我們見到“END”這個詞的時候，腦海中可能會浮現(xiàn)出“結尾”“劇終”等印象。在半導體科學中END這個詞會更接近于“邊”的用法。下面主要介紹晶體管形成截止的前端工藝（Front-End）和晶體管形成后多層布線工序的后端工藝（Back-End）。前端工藝的晶體管相關的制造工藝在晶圓中進行，而后端工藝的多層布線工藝是在晶圓上形成布線結構的。前端工藝就像建筑物上的基礎工程，而后端工藝相當于房屋的疊加，從某種意義上說，前端工藝有各種各樣的工藝：清洗、離子注入和熱處理、光刻、刻蝕、成膜、平坦化（CMP）,并由這幾種工藝組合而成。前端工藝是多次重復相同的工序進行產(chǎn)品生產(chǎn)的方式，因經(jīng)歷了多次相同的工藝又稱為循環(huán)型工藝。

產(chǎn)品特點：  

方形基片的邊緣清洗

邊緣區(qū)域：1-20mm

基片厚度要求：0.5-20mm

自動對準邊緣尺寸

液體噴嘴數(shù)量可選可增配

“邊膠”的產(chǎn)生及改善

厚膠旋涂和方形襯底勻膠時邊緣會形成較厚的光刻膠膠邊即邊膠，邊膠是硅片邊緣形成的厚度不均勻的膠層，不僅影響晶圓的外觀還對接觸式光刻工藝產(chǎn)生影響，光刻、顯影等過程產(chǎn)生缺陷，芯片性能降低：由于邊緣光刻膠的溶劑殘留量高，即使在前烘后，掩膜板也會粘附，會污染掩膜板。在曝光過程中，邊珠還會在光刻膠膜和掩膜板之間充當不必要的間隙，導致光刻膠曝光的圖案分辨率低、尺寸誤差大或顯影后圖案的側壁不陡直等。

消除“邊膠”的措施
除了通過自動化設備完成去邊角工藝（EBR）的話，還可以通過以下措施幫助減少邊膠:
圓形基底:可使用配套EBR溶劑，利用一個帶有細噴嘴的洗瓶，在500 rpm左右動態(tài)去除邊膠；
足夠高的旋轉速度(3000-4000rpm/min)達到目標膜厚的膠膜；
非常厚的光刻膠可利用較高的加速度，在短時間內(nèi)獲得較高的旋轉速度 ，當光刻膠層已經(jīng)足夠干燥，但邊膠仍然有足夠的液體時，在旋涂工藝末端突然增加旋轉速度使邊膠脫離；
膠層與前烘之間的等待時間取決于抗蝕涂層的厚度和殘留溶劑的含量，以防止在高前烘溫度下膠層的粘度突然升高而增加邊膠效應(可使用分步干燥: 室溫->50°C->95°C)；
調(diào)整良好旋涂腔室保證襯底與襯底托盤之間緊密接觸；
非圓形襯底: 如有可能的話，可將襯底邊緣片與邊緣珠一起裁切掉，或用潔凈間的刷子將邊膠刷洗掉。
除此之外，多次旋涂也是導致邊膠的重要原因之一，這種情況下，在前次涂膠完成后，烘烤有助于防止在下次涂膠過程中光刻膠再次溶解，從而減小邊膠效應。

芯片勻膠去邊是指在芯片制造過程中，使用勻膠機將光刻膠均勻涂布在芯片表面后，通過去邊工藝將多余的光刻膠去除，留下所需的圖案。這一步驟在芯片制造中非常重要，其作用主要包括以下幾點：
1、定義圖案邊界：勻膠去邊過程可以幫助定義芯片上所需圖案的邊界，確保光刻膠只留在需要的區(qū)域內(nèi)，從而保證后續(xù)工藝的準確性和可靠性。
2、提高圖案分辨率：通過去除多余的光刻膠，可減少圖案間的相互干擾，提高圖案的分辨率和清晰度，有利于后續(xù)工藝的精確加工。
3、保證芯片質(zhì)量：勻膠去邊可以幫助去除光刻膠涂布過程中可能產(chǎn)生的不均勻和雜質(zhì)，保證芯片表面的平整度和清潔度，有利于后續(xù)工藝步驟的順利進行。
4、提高制程穩(wěn)定性：通過勻膠去邊工藝，可以減少光刻膠在芯片表面的變形和不均勻現(xiàn)象，提高制程的穩(wěn)定性和可重復性，有利于提高芯片制造的良品率。
芯片勻膠去邊的作用主要是為了定義圖案邊界、提高圖案分辨率、保證芯片質(zhì)量和提高制程穩(wěn)定性，從而確保芯片制造過程的準確性和可靠性。

產(chǎn)品特點：  

方形基片的邊緣清洗

邊緣區(qū)域：1-20mm

基片厚度要求：0.5-20mm

自動對準邊緣尺寸

液體噴嘴數(shù)量可選可增配

產(chǎn)品特點：  

方形基片的邊緣清洗

邊緣區(qū)域：1-20mm

基片厚度要求：0.5-20mm

自動對準邊緣尺寸

液體噴嘴數(shù)量可選可增配

產(chǎn)品特點：  

方形基片的邊緣清洗

邊緣區(qū)域：1-20mm

基片厚度要求：0.5-20mm

自動對準邊緣尺寸

液體噴嘴數(shù)量可選可增配

產(chǎn)品特點：  

方形基片的邊緣清洗

邊緣區(qū)域：1-20mm

基片厚度要求：0.5-20mm

自動對準邊緣尺寸

液體噴嘴數(shù)量可選可增配

EBR depth ? Parallelism to edge ? Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm ? Automatic adaption to various substrate sizes

EBR depth ? Parallelism to edge ? Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm ? Automatic adaption to various substrate sizesEBR depth ? Parallelism to edge ? Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm ? Automatic adaption to various substrate sizesEBR depth ? Parallelism to edge ? Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm ? Automatic adaption to various substrate sizesEBR depth ? Parallelism to edge ? Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm ? Automatic adaption to various substrate sizesEBR depth ? Parallelism to edge ? Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm ? Automatic adaption to various substrate sizesEBR depth ? Parallelism to edge ? Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm ? Automatic adaption to various substrate sizes