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      產(chǎn)品|公司|采購|資訊

      硅基|碳化硅特性曲線測試設(shè)備

      參考價 1000
      訂貨量 ≥1
      具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
      • 品       牌普賽斯儀表
      • 型       號PMST-3500V
      • 所  在  地武漢市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時間2024/3/7 9:21:01
      • 訪問次數(shù)311
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            武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司,一直專注于半導(dǎo)體的性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)銷售,致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測試用科學(xué)儀器的國產(chǎn)替代需求。

            基于普賽斯電子嶺先的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺優(yōu)勢,公司自主研發(fā)了高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國產(chǎn)化電性能測試儀表,以及mini LED測試系統(tǒng)、電流傳感器測試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測試精度高、速度快、兼容性強(qiáng)、測試范圍寬、可靠性高、操作簡便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測試、集成電路測試、高校教學(xué)實(shí)訓(xùn)平臺等應(yīng)用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案,同時滿足行業(yè)對測試效率、測試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)?;奶魬?zhàn)。

      普賽斯儀表自主研制的國產(chǎn)化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國內(nèi)嶺跑的半導(dǎo)體電性能測試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴(yán)格的質(zhì)量體系及國際化視野,推出的產(chǎn)品被國內(nèi)通信巨圖和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認(rèn)可和應(yīng)用是為數(shù)不多進(jìn)入國際半導(dǎo)體測試市場供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測試設(shè)備廠商。未來,公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨,朝著圈球半導(dǎo)體電性能測試儀表的嶺跑者邁進(jìn)。




      數(shù)字源表,脈沖恒流源,脈沖恒壓源,高壓源,大功率激光器老化系統(tǒng),功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)
      硅基|碳化硅特性曲線測試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,普賽斯基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析
      硅基|碳化硅特性曲線測試設(shè)備 產(chǎn)品信息

      普賽斯硅基|碳化硅特性曲線測試設(shè)備,集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、n安級電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。


      設(shè)備特點(diǎn)和優(yōu)勢:

      單臺Z大3500V輸出;

      單臺Z大1000輸出,可并聯(lián)后Z大6000A;

      15us的超快電流上升沿;

      同步測量;

      國標(biāo)全指標(biāo)的自動化測試;

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      系統(tǒng)指標(biāo)

      項(xiàng)目

      參數(shù)

      集電極-發(fā)射極

      Z大電壓.

      3500V

      Z大電流

      6000A

      精度

      0.10%

      大電壓上升沿

      典型值5ms

      大電流上升沿

      典型值15us

      大電流脈寬

      50us~500us

      漏電流測試量程

      1nA~100mA

      柵極-發(fā)射極

      Z大電壓

      300V

      Z大電流

      1A(直流)/10A(脈沖)

      精度

      0.05%

      Z小電壓分辨率

      30uV

      Z小電流分辨率

      10pA

      電容測試

      典型精度

      0.5%

      頻率范圍

      10Hz~1MHz

      電容值范圍

      0.01pF~9.9999F

      溫控

      范圍

      25℃~150℃

      精度

      ±1℃





      測試項(xiàng)目
      集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat

      集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges

      柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)

      輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容      

      續(xù)流二極管壓降Vf

      I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等

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      硅基|碳化硅特性曲線測試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測試方案和國產(chǎn)化高精度源表感興趣,歡迎隨時聯(lián)系我們!




      關(guān)鍵詞:功率器件 IGBT
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