普賽斯硅基|碳化硅特性曲線測試設(shè)備,集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、n安級電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
設(shè)備特點(diǎn)和優(yōu)勢:
單臺Z大3500V輸出;
單臺Z大1000輸出,可并聯(lián)后Z大6000A;
15us的超快電流上升沿;
同步測量;
國標(biāo)全指標(biāo)的自動化測試;
系統(tǒng)指標(biāo)
項(xiàng)目 | 參數(shù) | |
集電極-發(fā)射極 | Z大電壓. | 3500V |
Z大電流 | 6000A | |
精度 | 0.10% | |
大電壓上升沿 | 典型值5ms | |
大電流上升沿 | 典型值15us | |
大電流脈寬 | 50us~500us | |
漏電流測試量程 | 1nA~100mA | |
柵極-發(fā)射極 | Z大電壓 | 300V |
Z大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) | |
精度 | 0.05% | |
Z小電壓分辨率 | 30uV | |
Z小電流分辨率 | 10pA | |
電容測試 | 典型精度 | 0.5% |
頻率范圍 | 10Hz~1MHz | |
電容值范圍 | 0.01pF~9.9999F | |
溫控 | 范圍 | 25℃~150℃ |
精度 | ±1℃ |
測試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等
硅基|碳化硅特性曲線測試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測試方案和國產(chǎn)化高精度源表感興趣,歡迎隨時聯(lián)系我們!