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      產(chǎn)品|公司|采購|資訊

      介質(zhì)損耗測試儀

      參考價 68000
      訂貨量 ≥1
      具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱北京智德創(chuàng)新儀器設(shè)備有限公司
      • 品       牌ZHIDECHUANGXIN
      • 型       號ZJD-87
      • 所  在  地北京市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時間2023/4/3 9:36:34
      • 訪問次數(shù)514
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      北京智德創(chuàng)新儀器設(shè)備有限公司成立十年來一直專注于電學(xué),燃燒,力學(xué),熱學(xué)、機(jī)械等儀器的研究與生產(chǎn)。服務(wù)行業(yè)包括:石油/化工、航空航天、科研院校、汽車/零部件、光伏/發(fā)電、電線電纜、電子/電器、涂料等。公司注冊資金 6000 萬,是集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的高科技企業(yè)。是以中國航空航天研究院、中科院為重要依托。聯(lián)合清華大學(xué)、北京航空航天大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)精儀系專家作為公司技術(shù)團(tuán)隊。公司總部坐落于美麗富饒的政治經(jīng)濟(jì)文化交流中心—北京市,物華天寶,人杰地靈。

      北京智德創(chuàng)新儀器設(shè)備有限公司自創(chuàng)建以來,一直保持著健康穩(wěn)定的發(fā)展態(tài)勢,并以超過30%的年均增長速度快速持續(xù)發(fā)展,完善的客戶服務(wù)體系,確保了中航時代產(chǎn)品的設(shè)計*,質(zhì)量穩(wěn)定,供貨及時和服務(wù)周到。公司擁有一批專業(yè)從事設(shè)計、制造、安裝、調(diào)試及售后服務(wù)的員工隊伍。在工程設(shè)計和技術(shù)研發(fā)上,公司擁有部級高級工程師的專家團(tuán)隊、勇于創(chuàng)新的中青年專業(yè)技術(shù)人員和項目人員。

      企業(yè)愿景:

      經(jīng)營宗旨

      員工滿意

      客戶滿意

      股東滿意

      社會責(zé)任

      智德創(chuàng)新的使命

      提供質(zhì)優(yōu)儀器設(shè)備

      服務(wù)超出客戶期望

      經(jīng)營理念

      忠誠才有信任

      敬業(yè)才有尊重

      投入才有回報

      主動才有創(chuàng)新

      智德創(chuàng)新的價值觀

      平等地尊重每一位員工

      永遠(yuǎn)都把真相告訴公眾

      誠實守信是基本的準(zhǔn)則

      企業(yè)文化:

      成為員工自豪的企業(yè)          

      成為客戶信賴的企業(yè)

      成為社會尊重的企業(yè)  



      電壓擊穿試驗儀,介電常數(shù)測試儀,體積表面電阻率測定儀,塑料摩擦磨損試驗機(jī)
      介質(zhì)損耗測試儀適宜于在高電壓下測量電力電纜、高壓套管、電力電容器、 電抗器、互感器等高壓電力設(shè)備的電容量及損耗角正切值tgδ,以及各種固體或液體絕緣材料的介電常數(shù)(ε)及介損值tgδ,也可測量高壓變壓器或電壓互感器的比差和角差。電橋可外接電流互感器以擴(kuò)大量程,測量大的電力電容器時本電橋為四端測量具有引線補(bǔ)償裝置,使測量精度提高,消除接線電阻引起的附加誤差。
      介質(zhì)損耗測試儀 產(chǎn)品信息

      介質(zhì)損耗測試儀型號及參數(shù):

      項目/型號

      ZJD-B

      ZJD-A

      ZJD-C

      信號源

      DDS數(shù)字合成信號

      頻率范圍

      10KHZ-70MHZ

      10KHZ-110MHZ

      100KHZ-160MHZ

      信號源頻率覆蓋比

      7000:1

      11000:1

      16000:1

      采樣精度

      11BIT

      12BIT

      信號源頻率精度

      3×10-5 ±1個字,6位有效數(shù)

      Q值測量范圍

      11000自動/手動量程

      Q值量程分檔

      30100、300、1000、自動換檔或手動換檔

      Q分辨率

      4位有效數(shù),分辨率0.1

      Q測量工作誤差

      5%

      電感測量范圍

      1nH8.4H,;分辨率0.1

      1nH140mH;分辨率0.1

      電感測量誤差

      3%

      電容直接測量范圍

      1pF2.5uF

      1pF25uF

      調(diào)諧電容誤差分辨率

      ±1pF或<1%

      主電容調(diào)節(jié)范圍

      30540pF

      17240pF

      諧振點搜索

      自動掃描

      自身殘余電感扣除功能

      大電容值直接顯示功能

      介質(zhì)損耗直讀功能

      介質(zhì)損耗系數(shù)精度

      萬分之一

      介質(zhì)損耗測試范圍

      0.0001-1

      介電常數(shù)直讀功能

      介電常數(shù)精度

      千分之一

      介電常數(shù)測試范圍

      0-1000

      LCD顯示參數(shù)

      F,L,C,Q,LT,CT,波段等

      準(zhǔn)確度

      150pF以下±1pF;150pF以上±1%

      Q合格預(yù)置范圍

      51000聲光提示

      環(huán)境溫度

      0℃~+40

      消耗功率

      25W

      電源

      220V±22V50Hz±2.5Hz

      極片尺寸

      38mm/50mm(二選一)

      極片間距可調(diào)范圍

      15mm

      材料測試厚度

      0.1-10mm

      夾具插頭間距

      25mm±0.01mm

      夾具損耗正切值

      4×104 1MHz

      測微桿分辨率

      0.001mm

      測試極片

      材料測量直徑Φ38mm/50mm,厚度可調(diào)   ≥ 15mm

      介質(zhì)損耗測試儀配置清單:

      主機(jī)一臺
      電感九只
      夾具一套
      液體杯一個
      電源線一根
      數(shù)據(jù)線一根
      說明書一份
      合格證一份
      保修卡一張

      定義解釋

      介質(zhì)損耗:絕緣材料在電場作用下,由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng),在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失,簡稱介。在交變電場作用下,電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角功率因數(shù)角Φ)的余角δ稱為介質(zhì)損耗角。

      概念:

      電介質(zhì)在外電場作用下,其內(nèi)部會有發(fā)熱現(xiàn)象,這說明有部分電能已轉(zhuǎn)化為熱能耗散掉,電介質(zhì)在電場作用下,在單位時間內(nèi)因發(fā)熱而消耗的能量稱為電介質(zhì)的損耗功率,或簡稱介質(zhì)損耗(diclectric loss)。介質(zhì)損耗是應(yīng)用于交流電場中電介質(zhì)的重要品質(zhì)指標(biāo)之一。介質(zhì)損耗不但消耗了電能,而且使元件發(fā)熱影響其正常工作。如果介電損耗較大,甚至?xí)鸾橘|(zhì)的過熱而絕緣破壞,所以從這種意義上講,介質(zhì)損耗越小越好。

      形式:

      各種不同形式的損耗是綜合起作用的。由于介質(zhì)損耗的原因是多方面的,所以介質(zhì)損耗的形式也是多種多樣的。介電損耗主要有以下形式:

      1)漏導(dǎo)損耗

      漏導(dǎo)損耗又稱電導(dǎo)損耗。實際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì),在外電場的作用下,總有一些帶電粒子會發(fā)生移動而引起微弱的電流,這種微小電流稱為漏導(dǎo)電流,漏導(dǎo)電流流經(jīng)介質(zhì)時使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導(dǎo)而引起的介質(zhì)損耗稱為漏導(dǎo)損耗。由于實際的電介質(zhì)總存在一些缺陷,或多或少存在一些帶電粒子或空位,因此介質(zhì)不論在直流電場或交變電場作用下都會發(fā)生漏導(dǎo)損耗。

      2)極化損耗

      在介質(zhì)發(fā)生緩慢極化時(松弛極化、空間電荷極化等),帶電粒子在電場力的影響下因克服熱運動而引起的能量損耗。

      一些介質(zhì)在電場極化時也會產(chǎn)生損耗,這種損耗一般稱極化損耗。位移極化從建立極化到其穩(wěn)定所需時間很短(約為10-1610-12s),這在無線電頻率(5×1012Hz 以下)范圍均可認(rèn)為是極短的,因此基本上不消耗能量。其他緩慢極化(例如松弛極化、空間電荷極化等)在外電場作用下,需經(jīng)過較長時間(10-10s或更長)才達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài),因此會引起能量的損耗。

      若外加頻率較低,介質(zhì)中所有的極化都能跟上外電場變化,則不產(chǎn)生極化損耗。若外加頻率較高時,介質(zhì)中的極化跟不上外電場變化,于是產(chǎn)生極化損耗。 

      3)電離損耗

      電離損耗(又稱游離損耗)是由氣體引起的,含有氣孔的固體介質(zhì)在外加電場強(qiáng)度超過氣孔氣體電離所需要的電場強(qiáng)度時,由于氣體的電離吸收能量而造成指耗,這種損耗稱為電離損耗。

      4)結(jié)構(gòu)損耗

      在高頻電場和低溫下,有一類與介質(zhì)內(nèi)鄰結(jié)構(gòu)的緊密度密切相關(guān)的介質(zhì)損耗稱為結(jié)構(gòu)損耗。這類損耗與溫度關(guān)系不大,耗功隨頻率升高而增大。

      試驗表明結(jié)構(gòu)緊密的晶體成玻璃體的結(jié)構(gòu)損耗都很小,但是當(dāng)某此原因(如雜質(zhì)的摻入、試樣經(jīng)淬火急冷的熱處理等)使它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)松散后。其結(jié)構(gòu)耗就會大大升高。

      5)宏觀結(jié)構(gòu)不均勻性的介質(zhì)損耗

      工程介質(zhì)材料大多數(shù)是不均勻介質(zhì)。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和氣相,各相在介質(zhì)中是統(tǒng)計分布口。由于各相的介電性不同,有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質(zhì)的電場分布不均勻,造成局部有較高的電場強(qiáng)度而引起了較高的損耗。但作為電介質(zhì)整體來看,整個電介質(zhì)的介質(zhì)損耗必然介于損耗最大的一相和損耗最小的一相之間。

      表征:

      電介質(zhì)在恒定電場作用下,介質(zhì)損耗的功率為

      W=U2/R=Ed2S/ρd=σE2Sd

      定義單位體積的介質(zhì)損耗為介質(zhì)損耗率為

      ω=σE2

      圖片1.png 

      D,E,J之間的相位關(guān)系

      在交變電場作用下,電位移D與電場強(qiáng)度E均變?yōu)閺?fù)數(shù)矢量,此時介電常數(shù)也變成復(fù)數(shù),其虛部就表示了電介質(zhì)中能量損耗的大小。

      如圖《DE,J之間的相位關(guān)系圖》所示,從電路觀點來看,電介質(zhì)中的電流密度為

      J=dD/dt=dεE/dt=Jτ+iJe

      式中JτE同相位。稱為有功電流密度,導(dǎo)致能量損耗;Je,相比較E超前90°,稱為無功電流密度。

      定義

      tanδ=Jτ/Je/εˊ

      式中,δ稱為損耗角,tanδ稱為損耗角正切值。

      損耗角正切表示為獲得給定的存儲電荷要消耗的能量的大小,是電介質(zhì)作為絕緣材料使用時的重要評價參數(shù)。為了減少介質(zhì)損耗,希望材料具有較小的介電常數(shù)和更小的損耗角正切。損耗因素的倒數(shù)Q=tanδ-1在高頻絕緣應(yīng)用條件下稱為電介質(zhì)的品質(zhì)因素,希望它的值要高。

      工程材料:

      離子晶體的損耗

      離子晶體的介質(zhì)損耗與其結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。

      緊密結(jié)構(gòu)的晶體離子都排列很有規(guī)則,鍵強(qiáng)度比較大,如α-Al2O3、鎂橄欖石晶體等,在外電場作用下很難發(fā)生離子松弛極化,只有電子式和離子式的位移極化,所以無極化損耗,僅有的一點損耗是由漏導(dǎo)引起的(包括本質(zhì)電導(dǎo)和少量雜質(zhì)引起的雜質(zhì)電導(dǎo))。這類晶體的介質(zhì)損耗功率與頻率無關(guān),損耗角正切隨頻率的升高而降低。因此,以這類晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場合。如剛玉瓷、滑石瓷、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等

      結(jié)構(gòu)松散的離子晶體,如莫來石3Al2O3·2SiO2)、董青石(2MgO·2Al2O3·5SiO2)等,其內(nèi)部有較大的空隙或晶格畸變,含有缺陷和較多的雜質(zhì),離子的活動范圍擴(kuò)大。在外電場作用下,晶體中的弱聯(lián)系離子有可能貫穿電極運動,產(chǎn)生電導(dǎo)打耗。弱聯(lián)系離子也可能在一定范圍內(nèi)來回運動,形成熱離子松弛,出現(xiàn)極化損耗。所以這類晶體的介質(zhì)損耗較大,由這類品體作主晶相的陶瓷材料不適用于高頻,只能應(yīng)用于低頻場合。

      玻璃的損耗

      復(fù)雜玻璃中的介質(zhì)損耗主要包括三個部分:電導(dǎo)耗、松弛損耗和結(jié)構(gòu)損耗。哪一種損耗占優(yōu)勢,取決于外界因素溫度和電場頻率。高頻和高溫下,電導(dǎo)損耗占優(yōu)勢:在高頻下,主要的是由弱聯(lián)系離子在有限范圍內(nèi)移動造成的松弛損耗:在高頻和低溫下,主要是結(jié)構(gòu)損耗,其損耗機(jī)理還不清楚,可能與結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。一般來說,簡單玻璃的損耗是很小的,這是因為簡單玻璃中的分子接近規(guī)則的排列,結(jié)構(gòu)緊密,沒有弱聯(lián)系的松弛離子。在純玻璃中加入堿金屬化物后,介質(zhì)損耗大大增加,并且隨著加入量的增大按指數(shù)規(guī)律增大。這是因為堿性氧化物進(jìn)入玻璃的點陣結(jié)構(gòu)后,使離子所在處點陣受到破壞,結(jié)構(gòu)變得松散,離子活動性增大,造成電導(dǎo)損耗和松弛損耗增加。

      陶瓷材料的損耗

      陶瓷材料的介質(zhì)損耗主要來源于電導(dǎo)損耗、松弛質(zhì)點的極化損耗和結(jié)構(gòu)損耗。此外,表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導(dǎo)也會引起較大的損耗。

      在結(jié)構(gòu)緊密的陶瓷中,介質(zhì)損耗主要來源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能,往往在配方中引入此易熔物質(zhì)(如黏土),形成玻璃相,這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大,介質(zhì)損耗也增大。因面一般高頻瓷,如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數(shù)電陶瓷的離子松弛極化損耗較大,主要的原因是:主晶相結(jié)構(gòu)松散,生成了缺固濟(jì)體、多品型轉(zhuǎn)變等。

      高分子材料的損耗

      高分子聚合物電介質(zhì)按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地,偶極矩在0~0.5D(德拜)范圍內(nèi)的是非極性高聚物;偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,其介電常數(shù)約為2,介質(zhì)損耗小于10-4;極性高聚物則具有較高的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,并且極性愈大,這兩個值愈高。

      高聚物的交聯(lián)通常能阻礙極性基團(tuán)的取向,因此熱固性高聚物的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均隨交聯(lián)度的提高而下降。酚醛樹脂就是典型的例子,雖然這種高聚物的極性很強(qiáng),但只要固化比較全,它的介質(zhì)損耗就不高。相反,支化使分子鏈間作用力減弱,分子鏈活動能力增強(qiáng),介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均增大。

      高聚物的凝聚態(tài)結(jié)構(gòu)及力學(xué)狀態(tài)對介電性景響也很大。結(jié)品能抑制鏈段上偶極矩的取向極化,因此高聚物的介質(zhì)損耗隨結(jié)晶度升高而下降。當(dāng)高聚物結(jié)晶度大于70%時,鏈段上的偶極的極化有時全被抑制,介電性能可降至全值,同樣的道理,非晶態(tài)高聚物在玻璃態(tài)下比在高彈態(tài)下具有更低的介質(zhì)損耗。此外,高聚物中的增塑利、雜質(zhì)等對介電性能也有很大景響。

       


      關(guān)鍵詞:電位移
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