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工業(yè)介質(zhì)損耗角正切值試驗儀簡介：
工業(yè)介質(zhì)損耗角正切值試驗儀參數(shù)設(shè)置：
功能名稱： | ZJD-A | ZJD-B | ZJD-C |
信號源范圍DDS數(shù)字合成信號 | 10KHZ-70MHz | 10KHZ-110MHz | 100KHZ-160MHz |
信號源頻率精度:6位有效數(shù) | 3×10-5 ±1個字 | 3×10-5 ±1個字 | 3×10-5 ±1個字 |
Q測量范圍 | 1-1000自動/手動量程 | 1-1000自動/手動量程 | 1-1000自動/手動量程 |
Q分辨率 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 |
Q測量工作誤差 | <5% | <5% | <5% |
電感測量范圍:4位有效數(shù),分辨率0.1nH | 1nH-8.4H , 分辨率0.1nH | 1nH-8.4H 分辨率0.1nH | 1nH-140mH分辨率0.1nH |
電感測量誤差 | <5% | <5% | <5% |
調(diào)諧電容 | 主電容30-540pF | 主電容30-540pF | 主電容17-240pF |
電容直接測量范圍 | 1pF～2.5uF | 1pF～2.5uF | 1pF～25nF |
調(diào)諧電容誤差 | ±1 pF或<1% | ±1 pF或<1% | ±1 pF或<1% |
諧振點搜索 | 自動掃描 | 自動掃描 | 自動掃描 |
LCD顯示參數(shù) | F，L，C，Q，Lt，Ct等 | F，L，C，Q，Lt，Ct等 | F，L，C，Q，Lt，Ct，Tn，Er等 |
殘余電感自動扣除功能 | 有 | 有 | 有 |
大電容值直接測量顯示功能 | 測量值可達2.5uF | 測量值可達2.5uF | 測量值可達25nF |
介質(zhì)損耗系數(shù) | 精度 萬分之一 | 精度 萬分之一 | 精度 萬分之一 |
介電常數(shù) | 精度 千分之一 | 精度 千分之一 | 精度 千分之一 |
材料測試厚度 | 0.1mm-12mm | 0.1mm-12mm | 0.1mm-12mm |
介電常數(shù) | 手動測試 | 手動測試 | 自動測試 |
USB接口 | 支持介電常數(shù)輸出以及產(chǎn)生曲線 |
介電性能定義：介電性能是指在電場作用下,表現(xiàn)出對靜電能的儲蓄和損耗的性質(zhì)，通常用介電常數(shù)和介質(zhì)損耗來表示.
介電常數(shù)定義：
介電常數(shù)，又稱電容率〔permittivity 〕,是電位移D與電場強度E之比ε= D/E ，其單位為F/m 。
介電常數(shù)小的電介質(zhì)，其分子為非極性或弱極性構(gòu)造，介電常數(shù)大的電介質(zhì)，其分子為極性或強極性構(gòu)造。
介電常數(shù)是表征電介質(zhì)的最根本的參量，是衡量電介質(zhì)在電場下的極化行為或儲存電荷能力的參數(shù)。
電介質(zhì)電容、介電常數(shù)
真空電容 C0=Q0/V=e0s/d
電介質(zhì)電容 C=Q/V=ereos/d
相對介電常數(shù) εr = C/C0
Co = Q/V = eoA/d
C = eA/d er= e /eo
介電損耗 Dielectric loss
介質(zhì)的介電損耗是指電介質(zhì)在單位時間內(nèi)每單位體積中將電能轉(zhuǎn)換為熱能而損耗的能量。
電介質(zhì)的介電損耗一般用損耗角正切tand 表示，并定義為：
tand=介質(zhì)損耗的功率（即有效功率）/無功功率
同時，介電損耗也是表示絕緣材料〔如絕緣油料〕質(zhì)量的指標之一。介電損耗愈小，絕緣材料的質(zhì)量愈好，絕緣性能也愈好。
tanδ=1/WCR(式中W為交變電場的角頻率；C為介質(zhì)電容；R為損耗電阻)。
tand是頻率的函數(shù)，是電介質(zhì)的自身屬性，與試樣的大小和形狀無關(guān)?？梢院徒?/span>電常數(shù)同時測量，用介質(zhì)損耗儀、電橋、Q表等測量。
電導(dǎo)時tand與頻率ω的關(guān)系
