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      GaN靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

      參考價(jià) 10000
      訂貨量 ≥1臺(tái)
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
      • 品       牌普賽斯儀表
      • 型       號(hào)PMST-6000A
      • 所  在  地武漢市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時(shí)間2023/3/14 9:45:23
      • 訪問(wèn)次數(shù)567
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            武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司,一直專(zhuān)注于半導(dǎo)體的性能測(cè)試儀表的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)銷(xiāo)售,致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測(cè)試用科學(xué)儀器的國(guó)產(chǎn)替代需求。

            基于普賽斯電子嶺先的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號(hào)處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號(hào)處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),公司自主研發(fā)了高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國(guó)產(chǎn)化電性能測(cè)試儀表,以及mini LED測(cè)試系統(tǒng)、電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測(cè)試精度高、速度快、兼容性強(qiáng)、測(cè)試范圍寬、可靠性高、操作簡(jiǎn)便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試、集成電路測(cè)試、高校教學(xué)實(shí)訓(xùn)平臺(tái)等應(yīng)用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案,同時(shí)滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)模化的挑戰(zhàn)。

      普賽斯儀表自主研制的國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測(cè)量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國(guó)內(nèi)嶺跑的半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長(zhǎng)期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴(yán)格的質(zhì)量體系及國(guó)際化視野,推出的產(chǎn)品被國(guó)內(nèi)通信巨圖和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認(rèn)可和應(yīng)用,是為數(shù)不多進(jìn)入國(guó)際半導(dǎo)體測(cè)試市場(chǎng)供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測(cè)試設(shè)備廠商。未來(lái),公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨,朝著圈球半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表的嶺跑者邁進(jìn)。




      數(shù)字源表,脈沖恒流源,脈沖恒壓源,高壓源,大功率激光器老化系統(tǒng),功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
      GaN靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)10KV,電流可高達(dá)6KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類(lèi)型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,皮安級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)
      GaN靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備 產(chǎn)品信息

      GaN靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備訂貨信息

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      測(cè)試項(xiàng)目
      集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
       
      集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
       
      柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
       
      輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容     

      續(xù)流二極管壓降Vf
       
      I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等
       

      設(shè)備特點(diǎn)

      高電壓:支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試(Z大擴(kuò)展至10kV);  
      大電流:支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試(多模塊并聯(lián));
      高精度:支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、納安級(jí)漏電流測(cè)試;
      豐富模板:內(nèi)置豐富的測(cè)試模板,方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù);
      配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能;
      數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;
      模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);
      可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;
      可定制開(kāi)發(fā):可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā);

      設(shè)備參數(shù)

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      GaN靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)10KV,電流可高達(dá)6KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類(lèi)型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,皮安級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì),方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。

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