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高精度源表IV掃描場效應MOS管電特性

參考價	￥ 1000
訂貨量	≥1臺

具體成交價以合同協(xié)議為準

公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
品牌普賽斯儀表
型號S300B
所在地武漢市
廠商性質生產廠家
更新時間2023/9/21 13:43:51
訪問次數(shù)283

產品標簽:

源測單元場效應管電特性測試 IV曲線測試掃描國產源測單元數(shù)字源表電流模塊

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公司介紹主營產品

武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術有限公司的全資子公司，一直專注于半導體的性能測試儀表的開發(fā)、生產與銷售，致力于滿足半導體領域從材料、晶圓到器件測試用科學儀器的國產替代需求。

基于普賽斯電子嶺先的光學與光電技術、微弱信號處理與抗干擾技術、高速數(shù)字信號處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術平臺優(yōu)勢，公司自主研發(fā)了高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國產化電性能測試儀表，以及mini LED測試系統(tǒng)、電流傳感器測試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等。產品以其測試精度高、速度快、兼容性強、測試范圍寬、可靠性高、操作簡便以及快捷靈活的響應式服務等優(yōu)勢，廣泛應用于新型半導體器件材料分析、半導體分立器件測試、集成電路測試、高校教學實訓平臺等應用；為客戶提供模塊化硬件、高效驅動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構建自定義解決方案，同時滿足行業(yè)對測試效率、測試精度、供應鏈安全以及規(guī)?；奶魬?zhàn)。

普賽斯儀表自主研制的國產化數(shù)字源表，可作為電壓源和或電流源并同步測量電流和或電壓，支持四象限工作。作為國內嶺跑的半導體電性能測試儀表提供商，普賽斯儀表憑借長期的技術創(chuàng)新、精益的生產制造、嚴格的質量體系及國際化視野，推出的產品已被國內通信巨圖和多家之名半導體企業(yè)認可和應用，是為數(shù)不多進入國際半導體測試市場供應鏈體系的半導體電性能測試設備廠商。未來，公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質的產品與Z貼心的服務”為宗旨，朝著圈球半導體電性能測試儀表的嶺跑者邁進。

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數(shù)字源表,脈沖恒流源,脈沖恒壓源,高壓源,大功率激光器老化系統(tǒng),功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)

產品簡介在線詢價

MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管等材料制作，是材料及器件研究的熱點。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、 IDSS，擊穿電壓VDSS、低頻互導gm、輸出電阻RDS等。高精度源表IV掃描場效應MOS管電特性認準生產廠家武漢普賽斯儀表

高精度源表IV掃描場效應MOS管電特性產品信息

受器件結構本身的影響,在實驗室科研工作者或者測試工程師常見會碰到以下測試難題:

（1）由于MOSFET是多端口器件，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試，而且MOSFET動態(tài)電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，測量模塊的量程需要可以自動切換；

（2）柵氧的漏電與柵氧質量關系極大，漏電增加到一定程度即可構成擊穿，導致器件失效，因此MOSFET 的漏電流越小越好，需要高精度的設備進行測試；

（3）隨著MOSFET特征尺寸越來越小，功率越來越大，自加熱效應成為影響其可靠性的重要因素，而脈沖測試可以減少自加熱效應，利用脈沖模式進行MOSFET的I-V測試可以準確評估、表征其特性；

（4）MOSFET的電容測試非常重要，且與其在高頻應用有密切關系。不同頻率下C-V曲線不同，需要進行多頻率、多電壓下的C-V測試，表征MOSFET的電容特性。

使用普賽斯S系列高精度數(shù)字源表、P系列高精度臺式脈沖源表對MOSFET常見參數(shù)進行測試。

場效應管MOS電特性測試SMU源表輸入/輸出特性測試

MOSFET是用柵電壓控制源漏電流的器件,在某一固定漏源電壓下,可測得一條IDs~VGs關系曲線,對應一組階梯漏源電壓可測得一簇直流輸入特性曲線。 MOSFET在某一固定的柵源電壓下所得IDS~VDS 關系即為直流輸出特性，對應一組階梯柵源電壓可測得一簇輸出特性曲線。根據(jù)應用場景的不同，MOSFET器件的功率規(guī)格也不一致。針對1A以下的MOSFET器件，推薦2臺S系列源表搭建測試方案，Z大電壓300V，Z大電流1A, 最小電流100pA，可以滿足小功率MOSFET測試的需求。

高精度源表IV掃描場效應MOS管電特性

針對Z大電流為1A~10A的MOSFET功率器件，推薦采用2臺P系列脈沖源表搭建測試方案，其Z大電壓300V，Z大電流10A。

針對Z大電流為10A~100A的MOSFET功率器件，推薦采用P系列脈沖源表+HCP搭建測試方案，Z大電流高達100A。

閾值電壓VGS（th)

VGS(th)是指柵源電壓能使漏極開始有電流的VG S 值;測試儀表推薦S系列源表。

漏電流測試

GSS(柵源漏電流)是指在特定的柵源電壓情況下流過柵極的漏電流；IDSS(零柵壓漏極電流)是指在當 VGS=0時，在只定的VDS下的DS之間漏電流，測試時推薦使用一臺普賽斯S系列或P系列源表；

耐壓測試

VDSS(漏源擊穿電壓)：是指在VGS=0的條件下，增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS值；根據(jù)器件的規(guī)格不同，其耐壓指標也不一致，測試所需的儀表也不同，擊穿電壓在300V以下推薦使用S 系列臺式源表或P系列脈沖源表，其Z大電壓300V，擊穿電壓在300V以上的器件推薦使用E系列，Z大電壓3500V。

C-V測試

C-V測量常用于定期監(jiān)控集成電路的制造工藝，通過測量MOS電容高頻和低頻時的C-V曲線，可以得到柵氧化層厚度tox、氧化層電荷和界面態(tài)密度Dit、平帶電壓Vfb、硅襯底中的摻雜濃度等參數(shù)。分別測試Ciss(輸入電容)、Coss(輸出電容)以及Crss(反向傳輸電容)。

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