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      北京IGBT驅(qū)動 IGBT驅(qū)動板 IGBT驅(qū)動模塊

      參考價面議
      具體成交價以合同協(xié)議為準
      • 公司名稱北京普爾盛電子技術(shù)有限公司
      • 品       牌
      • 型       號PSHI2312PS
      • 所  在  地北京市
      • 廠商性質(zhì)代理商
      • 更新時間2017/7/29 21:10:25
      • 訪問次數(shù)1016
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      北京普爾盛電子技術(shù)有限公司始創(chuàng)于2001年,是集貿(mào)易及研發(fā)制造于一體的專業(yè)電力電子器件供應(yīng)商。2003年成立驅(qū)動事業(yè)部專注于IGBT驅(qū)動芯片的開發(fā)設(shè)計,于技術(shù)創(chuàng)新中求發(fā)展,并在短短的幾年時間內(nèi)迅速成長為國內(nèi)IGBT驅(qū)動器的*品牌。

      普爾盛電子主要由貿(mào)易代理及IGBT驅(qū)動二個部門組成:
      普爾盛電子貿(mào)易部主要代理德國POWERSEM(寶德芯)、ALCON(艾肯電子)、SanRex(三社電機)等品牌的電力半導(dǎo)體器件,包括:可控硅模塊、二極管模塊、整流橋模塊、IGBT驅(qū)動器及電解電容、無感吸收電容、高頻大功率諧振電容等。把國外的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品*給國內(nèi)用戶,同時也把國內(nèi)的優(yōu)秀產(chǎn)品介紹給國外用戶。

      普爾盛驅(qū)動技術(shù)有限公司(前普爾盛電子驅(qū)動事業(yè)部)專注于高性能IGBT驅(qū)動器及晶閘管驅(qū)動器的研發(fā)與生產(chǎn),生產(chǎn)基地設(shè)在離市區(qū)大約25公里的昌平中關(guān)村科技園區(qū)。在吸收*進技術(shù)的基礎(chǔ)上,結(jié)合近十年推廣電力電子器件所積累的應(yīng)用經(jīng)驗和當今電力電子器件的較早控制技術(shù),自主研發(fā)成功IGBT*驅(qū)動芯片(ASIC)PDI 021、PDI 022及晶閘管*驅(qū)動芯片PDT 011,結(jié)束了國內(nèi)沒有高性能IGBT驅(qū)動*芯片的局面。
      PSHI-IGBT Drivers分PCB即插即用型及ACEE經(jīng)濟緊湊型二大類10多個品種,可為用戶提供輸出峰值電流達±30A,電壓等級6500V的智能型IGBT驅(qū)動產(chǎn)品。形成了覆蓋高、中、低端市場的豐富的產(chǎn)品線,已廣泛應(yīng)用于電氣傳動、伺服控制、逆變焊機、UPS、通訊電源、感應(yīng)加熱、風力發(fā)電及太陽能發(fā)電等應(yīng)用領(lǐng)域。并與海外多家渠道商建立了合作聯(lián)盟;上千家用戶建立了*合作關(guān)系,并遠銷亞、非、歐美等國家地區(qū)。

      普爾盛電子(香港)有限公司負責普爾盛電子的海外業(yè)務(wù)。
       

      IGBT尖峰突波無感薄膜吸收電容、IGBT驅(qū)動器及電解電容、無感吸收電容、日本三社可控硅模塊、二極管模塊、整流橋模塊、高頻大功率諧振電容等
      產(chǎn)品特點
      ■PSHI2312 可以驅(qū)動全系列1200V IGBT(Vce 監(jiān)測保護的出廠設(shè)置根據(jù)1200V IGBT 的特性設(shè)定)。
      ■PSHI2317 可以驅(qū)動全系列1700V IGBT(Vce 監(jiān)測保護的出廠設(shè)置根據(jù)1700V IGBT 的特性設(shè)定)。
      ■工作模式可以選擇為半橋模式或兩個單路模式。
      ■輸入可兼容CMOS/TTL(HCMOS)電平。
      ■通過Vce 提供短路保護。
      ■發(fā)生短路時,具有軟關(guān)斷功能。
      ■通過變壓器(而非光耦)進行電氣隔離。
      ■電源欠壓保護(<13V
      北京IGBT驅(qū)動 IGBT驅(qū)動板 IGBT驅(qū)動模塊 產(chǎn)品信息

      產(chǎn)品特點
      ■PSHI2312 可以驅(qū)動全系列1200V IGBT(Vce 監(jiān)測保護的出廠設(shè)置根據(jù)1200V IGBT 的特性設(shè)定)。
      ■PSHI2317 可以驅(qū)動全系列1700V IGBT(Vce 監(jiān)測保護的出廠設(shè)置根據(jù)1700V IGBT 的特性設(shè)定)。
      ■工作模式可以選擇為半橋模式或兩個單路模式。
      ■輸入可兼容CMOS/TTL(HCMOS)電平。
      ■通過Vce 提供短路保護。
      ■發(fā)生短路時,具有軟關(guān)斷功能。
      ■通過變壓器(而非光耦)進行電氣隔離。
      ■電源欠壓保護(<13V)。
      ■故障記憶,輸出電平高低有效可選。
      ■半橋工作模式下,具有上下管互鎖功能。
      ■內(nèi)置驅(qū)動用隔離開關(guān)電源。
      ■短脈沖抑制功能 (小于500ns 的短脈沖被抑制)。
      2 應(yīng)用領(lǐng)域
      ■大功率高頻開關(guān)電源 
      ■半橋或全橋電路 
      ■變頻器 
      ■大功率UPS

       

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