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      IGBT尖峰突波無感薄膜吸收電容,無感電容,無感吸收電容,IGBT突波吸收保護電容,IGBT無感薄膜

      參考價面議
      具體成交價以合同協(xié)議為準
      • 公司名稱北京普爾盛電子技術有限公司
      • 品       牌
      • 型       號KP-6
      • 所  在  地北京市
      • 廠商性質(zhì)代理商
      • 更新時間2017/7/12 6:34:06
      • 訪問次數(shù)699
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      北京普爾盛電子技術有限公司始創(chuàng)于2001年,是集貿(mào)易及研發(fā)制造于一體的專業(yè)電力電子器件供應商。2003年成立驅(qū)動事業(yè)部專注于IGBT驅(qū)動芯片的開發(fā)設計,于技術創(chuàng)新中求發(fā)展,并在短短的幾年時間內(nèi)迅速成長為國內(nèi)IGBT驅(qū)動器的*品牌。

      普爾盛電子主要由貿(mào)易代理及IGBT驅(qū)動二個部門組成:
      普爾盛電子貿(mào)易部主要代理德國POWERSEM(寶德芯)、ALCON(艾肯電子)、SanRex(三社電機)等品牌的電力半導體器件,包括:可控硅模塊、二極管模塊、整流橋模塊、IGBT驅(qū)動器及電解電容、無感吸收電容、高頻大功率諧振電容等。把國外的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品*給國內(nèi)用戶,同時也把國內(nèi)的優(yōu)秀產(chǎn)品介紹給國外用戶。

      普爾盛驅(qū)動技術有限公司(前普爾盛電子驅(qū)動事業(yè)部)專注于高性能IGBT驅(qū)動器及晶閘管驅(qū)動器的研發(fā)與生產(chǎn),生產(chǎn)基地設在離市區(qū)大約25公里的昌平中關村科技園區(qū)。在吸收*進技術的基礎上,結合近十年推廣電力電子器件所積累的應用經(jīng)驗和當今電力電子器件的較早控制技術,自主研發(fā)成功IGBT*驅(qū)動芯片(ASIC)PDI 021、PDI 022及晶閘管*驅(qū)動芯片PDT 011,結束了國內(nèi)沒有高性能IGBT驅(qū)動*芯片的局面。
      PSHI-IGBT Drivers分PCB即插即用型及ACEE經(jīng)濟緊湊型二大類10多個品種,可為用戶提供輸出峰值電流達±30A,電壓等級6500V的智能型IGBT驅(qū)動產(chǎn)品。形成了覆蓋高、中、低端市場的豐富的產(chǎn)品線,已廣泛應用于電氣傳動、伺服控制、逆變焊機、UPS、通訊電源、感應加熱、風力發(fā)電及太陽能發(fā)電等應用領域。并與海外多家渠道商建立了合作聯(lián)盟;上千家用戶建立了*合作關系,并遠銷亞、非、歐美等國家地區(qū)。

      普爾盛電子(香港)有限公司負責普爾盛電子的海外業(yè)務。
       

      IGBT尖峰突波無感薄膜吸收電容、IGBT驅(qū)動器及電解電容、無感吸收電容、日本三社可控硅模塊、二極管模塊、整流橋模塊、高頻大功率諧振電容等
      KP-6 軸向系列薄膜無感電容特點:?低電感?高dv/dt?低ESR?低損耗聚丙烯介質(zhì)?灌注封裝,無電暈應用:?高電壓和高電流的應用場合?緩沖電路?能源轉換和控制電路?濾波器
      IGBT尖峰突波無感薄膜吸收電容,無感電容,無感吸收電容,IGBT突波吸收保護電容,IGBT無感薄膜 產(chǎn)品信息

      KP-6 軸向系列薄膜無感電容特點:•低電感•高dv/dt•低ESR•低損耗聚丙烯介質(zhì)•灌注封裝,無電暈應用:•高電壓和高電流的應用場合•緩沖電路•能源轉換和控制電路•濾波器

      ALCON無感電容,感應加熱用諧振電容,吸收電容,螺旋安裝鋁電解電容
      ALCON公司:無感電容,無感吸收電容,IGBT突波吸收保護電容,IGBT無感薄膜電容器,諧振電容,螺旋安裝鋁電解電容。

      KP-6軸向系列 電容量: 0.047 - 3.0μF,額定電壓: 850 - 3000 Vdc 引線軸向
      KPF-9軸向系列 電容量: 0.047 - 3.0μF,額定電壓: 850- 3000 Vdc 引線軸向
      KPF方形系列 電容量: 0.033 - 3.0μF,額定電壓: 1000 - 2000 Vdc 鐵片引出
      PG-6螺旋安裝鋁電解系列 電容量: 330 - 250000μF,額定電壓: 40 - 500 Vdc 螺栓安裝
      FP - 4 -150傳導冷卻(感應加熱用)諧振電容器系列 電容量: 0.1 - 2.5μF,額定電壓: 400 V- 700Vdc 銅板引出


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