



用高可靠的砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaAs FET )制造的。三階交調(diào)產(chǎn)物比行波管TWT指標(biāo)要高4 到6dB,WAVE STREAM的設(shè)備可以代替TWT,平均時(shí)間比典型的TWT設(shè)備要高出5到6倍。體積小,集成度高。





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