ON Semiconductor IGBT特點(diǎn)
- 在IGBT 1200V的高速應(yīng)用中,ON Semiconductor的IGBT相比其他同類競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手擁有性能。其IGBT可以做到飽和壓降溫漂小,內(nèi)部的二極管開(kāi)關(guān)速度快,開(kāi)關(guān)損耗小,從而可以極大地減小自身發(fā)熱和提升系統(tǒng)的工作效率。
- ON Semiconductor可提供IGBT+SiC的復(fù)合產(chǎn)品。這種類型的產(chǎn)品可以極大的提升系統(tǒng)的工作效率,尤其適用于HPPC(High Performance Power Conversion)的應(yīng)用場(chǎng)合。
- ON Semiconductor的IGBT已經(jīng)應(yīng)用于汽車,太陽(yáng)能逆變器,UPS,交流電機(jī),高溫焊接,電池感應(yīng)加熱等多方面應(yīng)用。
