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      IGBT功率循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)

      參考價(jià)面議
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱西安誼邦電子科技有限公司
      • 品       牌
      • 型       號(hào)ENG1220
      • 所  在  地西安市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時(shí)間2020/10/27 10:33:22
      • 訪問(wèn)次數(shù)584
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      西安誼邦電子科技有限公司為國(guó)家*產(chǎn)業(yè)園、西安市重點(diǎn)支持的*。主要從事半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售等業(yè)務(wù)。公司主要技術(shù)人員均來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)研究所,擁有豐富的專業(yè)技術(shù)知識(shí)和多年的測(cè)試產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。 公司引進(jìn)美國(guó)*半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù),在此基礎(chǔ)上研制生產(chǎn)了系列半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng),該測(cè)試系統(tǒng)擁有功率大、速度快、精度高、測(cè)試種類全等技術(shù)特點(diǎn),各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到*水平。 誼邦電子研發(fā)技術(shù)涉及集成電路測(cè)試、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試等領(lǐng)域。產(chǎn)品主要應(yīng)用于汽車、飛機(jī)、船舶制造、能源等行業(yè)領(lǐng)域。 科技創(chuàng)新、服務(wù)無(wú)限,是我們工作的宗旨。

      主營(yíng)范圍:1.IGBT測(cè)試系統(tǒng) 2.半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀 3.高速大功率半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng) 4.分立功率器件測(cè)試儀 5.可控硅整流器測(cè)試(儀) 6.MOS 場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試(儀) 7.三端穩(wěn)壓器測(cè)試(儀) 8.絕緣柵雙*功率晶體管IGBT測(cè)試(儀) 9.光電耦合器測(cè)試(儀) 11.繼電器測(cè)試(儀)

       

      分立器件測(cè)試,圖示儀,大功率IGBT測(cè)試儀,雪崩測(cè)試儀
      該套測(cè)試設(shè)備主要可測(cè)試以下參數(shù):
      熱敏電壓測(cè)試:V f
      主電流測(cè)試:Ic
      集電極電壓測(cè)試:VCE
      閾值電壓測(cè)試:VGE(th)
      溫度參數(shù)測(cè)試:T1、T2
      穩(wěn)態(tài)電阻測(cè)試:Rth
      瞬態(tài)電阻測(cè)試:Zth
      IGBT功率循環(huán)測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

      主要技術(shù)指標(biāo):

      1 加熱電流:直流50-500A 顯示精度0.1 A±3%;

      2 加熱時(shí)間:20-60S,冷卻時(shí)間:20-60S;

      3 散熱要求:1分鐘內(nèi)完成器件加熱到結(jié)溫降溫到40℃的一個(gè)循環(huán);

      4 熱敏測(cè)試單元:

      熱敏電流:50mA-999 mA 分辨率0.1 mA精度±3%;1A-10A分辨率0.1A精度0.1A±3%;

      熱敏電壓:1V-10V分辨率1mV精度±2%

      5  熱阻單元

      功率計(jì)算:飽和壓降 0.3-5V分辨率0.01V精度±2%

      導(dǎo)通電流分辨率0.1 A精度±3%

      溫度采集:溫度采集單元分辨率0.1℃精度±0.1℃

      熱阻測(cè)試器件的數(shù)量為1只。

      ce,Ic,熱敏電壓,殼溫各采一路。

      6循環(huán)次數(shù):1—20000次

      7按時(shí)間控制時(shí),顯示每只器件的殼溫,采集殼溫的位置依據(jù)被側(cè)器件的相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,需方將測(cè)溫孔備好。

      8按結(jié)溫控制時(shí),顯示一只器件的結(jié)溫,6只器件殼溫。

      9被測(cè)器件:6只(二單元串聯(lián)結(jié)構(gòu))或1只6單元IGBT橋模塊,IGBT橋模塊按三組循環(huán)加熱、占空比30%的工作方式進(jìn)行設(shè)計(jì)和試驗(yàn);

      10計(jì)算機(jī)顯示器件殼溫、試驗(yàn)電流、試驗(yàn)次數(shù)、并可記錄測(cè)試數(shù)據(jù),測(cè)試記錄表格可轉(zhuǎn)為EXCEL文件。

      11在脫機(jī)狀態(tài)時(shí),面板顯示6個(gè)工位的殼溫,試驗(yàn)電流、試驗(yàn)次數(shù)、加熱時(shí)間、冷卻時(shí)間。

      12水路的回水采用開(kāi)放式輸出,冷卻水路由甲方提供。

      13電源:采用全波整流的直流電源,電流大小通過(guò)調(diào)壓器手動(dòng)調(diào)節(jié)。

      13.1被測(cè)器件為二單元串聯(lián)結(jié)構(gòu)時(shí),采用6只器件串聯(lián)試驗(yàn);

      13.2 被測(cè)器件為六單元全橋模塊時(shí),負(fù)載為一只模塊。

      13.3 電源共一組,輸出電流50-500A。

      14可測(cè)試器件穩(wěn)態(tài)熱阻Rth(J-C)

      15被測(cè)器件底板不帶電。

      16設(shè)備采用水冷散熱,冷卻水由需方提供。

      測(cè)試范圍

      該套測(cè)試設(shè)備主要可測(cè)試以下參數(shù):

      熱敏電壓測(cè)試:V f

      主電流測(cè)試:Ic

      集電極電壓測(cè)試:VCE

      閾值電壓測(cè)試:VGE(th) 

      溫度參數(shù)測(cè)試:T1、T2 

      穩(wěn)態(tài)電阻測(cè)試:Rth

      瞬態(tài)電阻測(cè)試:Zth

      關(guān)鍵詞:IGBT 顯示器
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