智能制造網(wǎng)>產(chǎn)品庫>儀器儀表>實驗室設(shè)備>清洗設(shè)備|消毒設(shè)備>>上海伯東代理美國 KRI 霍爾離子源 eH 2000

上海伯東代理美國 KRI 霍爾離子源 eH 2000

參考價	￥ 540000
訂貨量	≥1 臺

具體成交價以合同協(xié)議為準

公司名稱伯東企業(yè)（上海）有限公司
品牌其他品牌
型號
所在地上海市
廠商性質(zhì)代理商
更新時間2023/4/4 16:07:44
訪問次數(shù)482

產(chǎn)品標簽:

離子槍霍爾離子源離子源 eH 2000 KRI 離子源發(fā)散型離子源

在線詢價收藏產(chǎn)品點擊查看電話

聯(lián)系我們時請說明是智能制造網(wǎng) 上看到的信息，謝謝!

索取相關(guān)資料

公司介紹主營產(chǎn)品

伯東公司成立于1953 年，范圍內(nèi)有一千七百名員工。伯東企業(yè)(上海)有限公司(www.hakuto-vacuum.cn)主要從事半導(dǎo)體設(shè)備、電子零部件加工、銷售及相關(guān)服務(wù)工作，集團年營業(yè)額約為100億人民幣。伯東公司在國內(nèi)主要城市：北京、蘇州、廣州、深圳、成都及廈門設(shè)有營業(yè)據(jù)點。
上海伯東真空產(chǎn)品事業(yè)部秉承為廣大中國客戶提供進口真空產(chǎn)品、推動中國真空工藝發(fā)展、承擔企業(yè)社會責任為經(jīng)營理念，已累計為超過10,000家企業(yè)提供真空服務(wù)，覆蓋工業(yè)、半導(dǎo)體、鍍膜、科研和分析行業(yè)。
上海伯東代理品牌包含：德國Pfeiffer 全系列真空產(chǎn)品、美國 KRI 離子源、美國Brooks Polycold 制冷機，美國HVA 真空閥門，美國 inTEST(Temptronic)高速溫度循環(huán)測試機，離子蝕刻機，真空鍍膜系統(tǒng)及配套真空零配件等。
上海伯東作為真空品牌**代理商，全權(quán)負責在中國地區(qū)的銷售和維修服務(wù)，* 使用原廠進口零部件以及國外受訓(xùn)維修工程師；擁有*的拆解，維修，校正能力并提供24小時在線服務(wù)。

展開顯示更多內(nèi)容

德國 Pfeiffer 真空產(chǎn)品, 美國 inTEST 高低溫測試機, 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱, 美國 Polycold 冷凍機,美國 HVA 真空閥門

產(chǎn)品簡介在線詢價

上海伯東代理美國考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 2000 特別適合大中型真空系統(tǒng), 帶有水冷方式, 低成本設(shè)計提供高離子電流. 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

上海伯東代理美國 KRI 霍爾離子源 eH 2000 產(chǎn)品信息

KRI 霍爾離子源 eH 2000
上海伯東代理美國進口 KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更強大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設(shè)計提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性
• 水冷 - 與 eh 1000 對比, 提供更高的離子輸出電流
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便
• 等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術(shù)參數(shù)

型號	eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	40-300V VDC
- 離子源直徑	~ 5 cm
- 陽極結(jié)構(gòu)	模塊化
電源控制	eHx-30010A
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發(fā)散角度	> 45° (hwhm)
- 陽極	標準或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移動或快接法蘭
- 高度	4.0'
- 直徑	5.7'
- 加工材料	金屬電介質(zhì) 半導(dǎo)體
- 工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離	16-45”
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH2000 應(yīng)用領(lǐng)域
•  離子輔助鍍膜 IAD
•  預(yù)清洗 Load lock preclean
•  預(yù)清洗 In-situ preclean
•  Direct Deposition
•  Surface Modification
•  Low-energy etching
•  III-V Semiconductors
•  Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專li. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進一步的了解 KRI 霍爾離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生