SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的*半導體材料。然而生長優(yōu)質的SiC單晶非常困難，其中SiC粉源的顆粒度、純度、類型等各方面都*地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結構以及電學性質等等。