CCD傳感器所基于的技術(shù)是MOS電容器（金屬氧化物半導(dǎo)體）。如果能量超過間隙能量的光子被耗盡區(qū)吸收，就會產(chǎn)生電子-空穴對。電子留在耗盡區(qū)，而空穴朝向接地電極?？墒占呢?fù)電荷（電子）量與施加的電壓、氧化物厚度和柵電極表面成正比?？梢源鎯Φ碾娮涌倲?shù)稱為“阱容量”。當(dāng)波長增加時，光子在增加的深度處被吸收。它顯著限制了對高波長的響應(yīng)。目前，可用的傳感器可以從遠(yuǎn)紅外線到X射線發(fā)揮作用。

　CCD寄存器由一系列門組成。以系統(tǒng)和順序的方式處理柵極電壓，將電子像信使一樣從一個柵極轉(zhuǎn)移到另一個柵極。對于電荷轉(zhuǎn)移，耗盡區(qū)必須相互重疊。耗盡區(qū)呈梯度，梯度應(yīng)重疊，以便發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移。

　每個門都有自己的隨時間變化的控制電壓。電壓是一種稱為“時鐘”或“時鐘信號”的方波信號。首先，在門1施加電壓，光電子被收集在井1(b)中。當(dāng)在柵極2施加電壓時，電子像瀑布一樣向阱2移動(c)。這個過程很快，兩個孔之間的電荷迅速平衡(d)。當(dāng)柵極1的電壓降低時，勢阱降低，所有電子再次級聯(lián)流入阱2(e)。最后，當(dāng)柵極1上施加的電壓接近零時，所有電子都在阱2(f)中。這個過程重復(fù)幾次，直到電荷轉(zhuǎn)移到所有的移位寄存器。當(dāng)柵極電壓低時，它充當(dāng)勢壘，而當(dāng)電壓高時，可以存儲電荷。

　一個像素可以由多個門（從2到4，甚至更多）構(gòu)成，有時也稱為系統(tǒng)階段。根據(jù)時鐘信號（參見下文），對于相同的像素尺寸，像素表面的50%可用于四相系統(tǒng)的井，三相系統(tǒng)為33%。

　CCD傳感器矩陣是一系列按列排列的寄存器。

　在每個像素通過光電效應(yīng)曝光和產(chǎn)生電荷后，電荷通過通道或阻滯塊存儲在行中或列中，耗盡區(qū)僅在一個方向上重疊（列的下降，讀取線的水平）。電荷轉(zhuǎn)移首先發(fā)生在行與行之間，發(fā)生在內(nèi)部，然后是像素間柵極跳躍。

　在每一列的末尾，都有一個水平像素寄存器。該寄存器一次收集一條線，然后以串行模式將電荷包傳輸?shù)捷敵龇糯笃鳌Ｔ谙乱恍羞M(jìn)入串行寄存器之前，整個水平串行寄存器必須與檢測節(jié)點(diǎn)同步。這就是為什么所有矩陣都需要獨(dú)立的垂直和水平時鐘。

　數(shù)千次傳輸之間的相互作用減少了輸出信號。轉(zhuǎn)移電荷的容量由電荷轉(zhuǎn)移效率(CTE)。雖然可以在傳感器表面按像素使用任意數(shù)量的傳輸點(diǎn)（門），但我們通常使用其中的兩個到四個，甚至是只需要一個時鐘的虛擬相位系統(tǒng)。

　在每個提到的系統(tǒng)中，該過程的步是將電荷包轉(zhuǎn)換為可測量的電壓。這是通過浮動二極管或浮動擴(kuò)散實現(xiàn)的。用作電容器的二極管產(chǎn)生與電子數(shù)n e成正比的電壓。然后，信號可以由獨(dú)立于CCD傳感器的電子處理器進(jìn)行放大、處理和數(shù)字編碼。

　對于多個矩陣，可以在串行寄存器中移動多條充電線。類似地，也可以將多個元素從串行寄存器移動到輸出節(jié)點(diǎn)之前的求和門。它被稱為“裝箱”、“超級像素化”，甚至“電荷收集”。裝箱增加了輸出信號和信號動態(tài)范圍。裝箱增加了輸出信號和信號動態(tài)范圍，但以傳感器空間分辨率為代價。由于它增加了信噪比，在分辨率不是很重要的情況下，合并對于低光級應(yīng)用很有趣。串行寄存器和輸出節(jié)點(diǎn)需要更高容量的井來裝箱。如果輸出電容在每個像素后都沒有更新，那么它會積累電荷。

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