的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社近日推出了兩個全新的超低功耗SRAM（超LPSRAM）系列——低功耗SRAM領域的產(chǎn)品，能夠為工廠自動化（FA）、工業(yè)設備、智能電網(wǎng)等應用提供更出色的可靠性并延長備用電池的使用壽命。全新的16MbRMLV1616A系列和32MbRMWV3216A系列采用110納米制造工藝，融合了創(chuàng)新的存儲單元技術(shù)，不僅大幅提升了可靠性，同時也有助于延長電池的工作時間。
　　
　　近來，業(yè)內(nèi)對用戶系統(tǒng)安全性和可靠性的要求日漸提高，而SRAM作為存儲系統(tǒng)程序和財務交易數(shù)據(jù)等重要信息的載體，必須具備高水平的可靠性。因此，如何減少因阿爾法輻射和宇宙中子輻射造成的軟失效成為了一項重點課題。通常情況下，解決這一問題的處理方式是在SRAM或用戶系統(tǒng)中加入內(nèi)部糾錯（ECC）電路。但ECC電路的糾錯能力具有一定的局限性，例如：可能無法同時糾正多個位元的錯誤。
　　
　　瑞薩的超LPSRAM的存儲器單元采用其*技術(shù)，抗軟失效能力是傳統(tǒng)全CMOS型存儲單元的500多倍，使其成為了對可靠性具有高要求的應用領域的理想之選，包括工廠自動化、測量設備、智能電網(wǎng)相關(guān)設備、工業(yè)設備以及消費電子設備、辦公設備和通訊設備等諸多其他應用領域。
　　
　　全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的主要特點如下：
　　
　　(1)采用瑞薩*的超LPSRAM技術(shù)，大幅提升了抗軟失效能力，實現(xiàn)了更良好的可靠性
　　
　　在瑞薩超LPSRAM的結(jié)構(gòu)方面，存儲單元中的每個存儲節(jié)點都結(jié)合了堆疊電容技術(shù)，從根本上預防了軟失效的出現(xiàn)。此外，每個SRAM單元的負載晶體管（P溝道）為多晶硅薄膜晶體管（TFT），堆疊于硅基板的N溝道MOS晶體管之上。在硅基板下方僅形成N溝道晶體管，這樣可確保存儲區(qū)內(nèi)不形成寄生晶閘管，并從理論上杜絕閂鎖效應。因此，對于需要嚴格保證高水平可靠性的應用環(huán)境（如：工廠自動化、測量設備、智能電網(wǎng)相關(guān)設備、交通系統(tǒng)、工業(yè)設備等）而言，超LPSRAM可謂理想之選。
　　
　　(2)待機電流比上一代產(chǎn)品降低了50%以上，有助于延長備用電池使用壽命
　　
　　全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列16Mb產(chǎn)品的待機電流僅為0.5µA（典型值），32Mb產(chǎn)品的待機電流僅為1µA（典型值）。新產(chǎn)品的電流消耗水平比瑞薩先前推出的同類SRAM產(chǎn)品降低了50%以上，有效延長了備用電池的使用壽命。保存數(shù)據(jù)時的zui低電源電壓為1.5V，低于先前瑞薩同類產(chǎn)品的2.0V。
　　
　　(3)封裝選項
　　
　　16MbRMLV1616A系列提供三個封裝選項：48球FBGA、48管腳TSOP(I)及52管腳µTSOP(II)，客戶可根據(jù)自身的應用需求來選擇的封裝方案。32MbRMWV3216A系列提供48球引腳的FBGA封裝。