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STGAP1S是意法半導(dǎo)體新一代gapDRIVE™柵驅(qū)動器的產(chǎn)品。新產(chǎn)品整合意法半導(dǎo)體*的雙極-CMOS-DMOS(BCD)制造工藝以及在芯片上植入隔離層的創(chuàng)新技術(shù),可進(jìn)一步提高系統(tǒng)集成度。高壓軌上可耐受zui高達(dá)1500V電壓,而不會干擾其它電路;高可靠性使其適用于工業(yè)驅(qū)動器、大功率600V或1200V逆變器、太陽能逆變器以及不間斷電源(uninterruptiblepowersupplies)。
100ns電隔離層信號傳播延時,使STGAP1S能夠傳輸高精度的PWM信號。新產(chǎn)品集成驅(qū)動級的灌入或源出電流zui高達(dá);軌對軌輸出支持負(fù)驅(qū)動電壓,可與大型絕緣柵雙極型晶體管(IGBT,InsulatedGateBipolarTransistors)或?qū)拵?wide-bandgap)電源開關(guān)(例如碳化硅MOSFET)配套使用。新產(chǎn)品具有優(yōu)異的共模瞬變免疫能力(common-modetransientimmunity),可耐受超過±50V/ns的共模瞬變電壓,支持跨電隔離層通信和安全的工作環(huán)境。灌入與源出輸出分開式設(shè)計可提高設(shè)計的靈活性,有助于減少外部元器件的使用。
新產(chǎn)品可通過內(nèi)置的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口SPI端口與主控制器通信,內(nèi)部控制邏輯可實時監(jiān)控工作狀態(tài)。STGAP1S通過這個接口向主控制器提供豐富的診斷信息,進(jìn)一步提升系統(tǒng)保護(hù)性能和工作可靠性。
新智能驅(qū)動器還集成大量的保護(hù)功能,幫助芯片zui大限度提升在惡劣工業(yè)環(huán)境中的工作可靠性。這些保護(hù)功能包括防止無用的晶體管導(dǎo)通的功率級有源米勒箝位(activeMillerclamp);在短路條件下保護(hù)開關(guān)的去飽和檢測(desaturationdetection);可防止有危害性的電壓過沖的集電極-發(fā)射極的過壓保護(hù)(collector-emitterovervoltageprotection)及輸出雙電平關(guān)斷功能;過熱保護(hù)(over-temperatureprotection)、欠壓保護(hù)(UVLO,Under-VoltageLockout)和過壓保護(hù)(OVLO,Over-VoltageLockout)以及過流(over-current)檢測引腳。
STGAP1S是一款具有集成度且尺寸精巧的SO24W芯片。
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