LT4320用低損耗N溝道MOSFET橋取代了全波二極管橋整流器,以將功耗和電壓損耗降低10倍或更多。因電源效率提高而不再需要笨重的散熱器,從而減小了電源尺寸。由于消除了在二極管橋固有的兩個二極管壓降,所以提供了額外的裕度,而使低壓應(yīng)用可從中受益。與其他傳統(tǒng)電橋相比,MOSFET橋可實現(xiàn)非常節(jié)省空間和功耗的整流器設(shè)計。H級和MP級版本分別保證工作在-40℃至125℃和-55℃至125℃溫度范圍。
LT4320的開關(guān)控制平滑地接通兩個合適的MOSFET,同時保持另外兩個斷接以防止反向電流。一個集成的充電泵無需外部電容器,就能夠為導(dǎo)通電阻很低的外部N溝道MOSFET提供柵極驅(qū)動。MOSFET的選擇可在功率方面提供了zui大的靈活性,范圍從1W直到數(shù)千瓦。
LT4320有兩種版本可供選擇:LT4320為DC至60Hz電壓整流而設(shè)計;而LT4320-1通過加倍頂端源漏極調(diào)節(jié)電壓,為DC至600Hz進(jìn)行了優(yōu)化。H級版本采用8引腳DFN(3mmx3mm)和PDIP封裝、以及12引線MSOP封裝,并具備增強的高壓引腳間距,而MP級版本僅采用12引線MSOP封裝。H級和MP級版本的千片批購價分別為3.45美元和8.85美元。器件樣品和評估電路板可通過在線或凌力爾特當(dāng)?shù)剞k事處查詢詳情。
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