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工控摘要：東京大學(xué)的器件是采用硅摻雜部分P型砷化鎵（GaAs）壁壘結(jié)合自行聚合砷化銦（InAs）形成量子點，以構(gòu)建激光二極管的有源發(fā)光區(qū)域，再將這些器件鍵合到硅基底上。
近日，日本東京大學(xué)研制出了鍵合在硅基底上的1.3m量子點（QD）激光二極管。光子電路通常以硅為基底，但目前的光源通常采用化合物半導(dǎo)體研制。特別是，研究人員正在尋求大溫度范圍下穩(wěn)定工作的器件，以實現(xiàn)更高的工作溫度。東京大學(xué)的器件是采用硅摻雜部分P型砷化鎵（GaAs）壁壘結(jié)合自行聚合砷化銦（InAs）形成量子點，以構(gòu)建激光二極管的有源發(fā)光區(qū)域，再將這些器件鍵合到硅基底上。
有源區(qū)域由8層P-GaAs壁壘中自行聚合的InAs量子點結(jié)構(gòu)組成。每層的點密度為6×1010/cm2。試驗中對直接和金屬介導(dǎo)兩種鍵合工藝進行了測試，兩種工藝研制的器件均可在超過100℃的條件下發(fā)射1.3m（光通信的O波段）的激光。這些結(jié)果證實了，采用晶圓鍵合工藝研制的硅上III-V族量子點激光器有望在高密度光子集成電路中實現(xiàn)溫度穩(wěn)定的運行。
近日，日本東京大學(xué)研制出了鍵合在硅基底上的1.3m量子點（QD）激光二極管。光子電路通常以硅為基底，但目前的光源通常采用化合物半導(dǎo)體研制。特別是，研究人員正在尋求大溫度范圍下穩(wěn)定工作的器件，以實現(xiàn)更高的工作溫度。東京大學(xué)的器件是采用硅摻雜部分P型砷化鎵（GaAs）壁壘結(jié)合自行聚合砷化銦（InAs）形成量子點，以構(gòu)建激光二極管的有源發(fā)光區(qū)域，再將這些器件鍵合到硅基底上。
有源區(qū)域由8層P-GaAs壁壘中自行聚合的InAs量子點結(jié)構(gòu)組成。每層的點密度為6×1010/cm2。試驗中對直接和金屬介導(dǎo)兩種鍵合工藝進行了測試，兩種工藝研制的器件均可在超過100℃的條件下發(fā)射1.3m（光通信的O波段）的激光。這些結(jié)果證實了，采用晶圓鍵合工藝研制的硅上III-V族量子點激光器有望在高密度光子集成電路中實現(xiàn)溫度穩(wěn)定的運行。
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展會城市：鄭州市展會時間：2025-05-09