MOV與通用型壓敏電阻性能要求的主要區(qū)別

2012年12月15日 21:14:23人氣：776來源：揚州中恒電氣有限公司

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MOV與通用型壓敏電阻性能要求的主要區(qū)別

限壓型SPD使用的MOV芯片幾何尺寸大、通流容量要求高，殘壓比要求小。例如34×34mm芯片要求8/20μs標稱通流In 20kA、Imax 40kA/2次；而Φ20通用型壓敏電阻zui大通流容量為10kA/1次；前者瞬間電流密度為34.6A/mm2 ，后者為31.8A/mm2，二者相差10%；前者需經(jīng)受二次不損壞，而后者僅需一次；前者制作成SPD后還需經(jīng)受熱平衡考驗（指MOV芯片分別流過2mA-的工頻交流電流），所以前者焦爾熱容量要求比后者要大很多。由于幾何尺寸大，形狀異，電氣性能要求高，SPD用MOV芯片在制造工藝及電氣參數(shù)特性上有其特殊性。這二種產(chǎn)品性能要求的側重異同見下表：

在此重點介紹一下SPD用MOV芯片要重視熱容量的理由：SPD的熱脫離原理是利用MOV芯片失效后在工頻負荷的作用下，其泄漏電流不斷增大導致芯片發(fā)熱將熱脫離機構的低熔點合金焊接點熔化脫離切斷電路以達到保護目的，MOV芯片自身還存在熱熔擊穿的問題，一旦MOV芯片被熱熔擊穿，就成了一個阻值很低的導體，造成系統(tǒng)短路，有時會起弧使模塊內(nèi)的物質(zhì)迅速氣化、壓力驟增造成爆炸、噴火燃燒，損毀設備、建筑。故熱脫離機構必須在MOV芯片被熱熔擊穿前實現(xiàn)脫離，熱容量大的MOV芯片在被熱熔擊穿前可堅持更長的時間以保證熱脫離機構的低熔點合金焊接點熔化，此即要重視MOV芯片熱容量的理由。對同種材料來說，一般只能通過增加物質(zhì)量來提高熱容量，在徑向尺寸固定的情況下，則只有增大軸向尺寸即芯片厚度來增大其熱容量；但是芯片厚度增加同時帶來了殘壓升高的問題，故對芯片的性能要求應當綜合平衡，不可過分強調(diào)其一。

關鍵詞：壓敏電阻

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