上海坦?jié)娗餇栯娖骺萍紴槟峁?span style="color: #0000ff">Heraeus賀利氏的PT100/PT1000薄膜鉑電阻。
德國賀利氏(Heraeus)*
·–70℃-500℃
·100 或 1000 歐,DIN 鉑電阻
·A 級、B 級
·低價大包裝
M 系列是大規(guī)模使用的薄膜鉑電阻元器件。這些元器件具有特別 小的尺寸,長期穩(wěn)定性很好,寬溫度范圍內(nèi)精度很高。用于汽車工業(yè)、白色家電,HVAC,食品加工業(yè)、醫(yī)療行業(yè)。
標(biāo)稱電阻 R0:100 歐@0℃
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):DIN EN60751 A 級
DIN EN60751 B 級
技術(shù)指標(biāo):
溫度系數(shù):TCR=3850ppm/K
溫度范圍:B 級:-70℃-500℃
Heraeus A 級:-50℃-300℃
電線:鍍鉑鎳線
規(guī)范:DIN EN 60751(符合 IEC751)
尺寸:2.3mm×2.1mm×0.9mm(長×寬×高)
線長 10mm
長期穩(wěn)定性:R0 漂移小于等于 0.04%(500℃,1000 小時后)
抗振動等級:至少 40g 加速度(10-2000Hz)
絕緣電阻:>100MΩ,20℃時
>2MΩ,500℃時
抗沖擊等級:至少 100g 加速度(波動 8.5mS 后)
薄膜鉑電阻自熱系數(shù):0.4K/mW (0℃時)
響應(yīng)時間:水@0.4m/s t0.5=0.05S t0.9=0.15S
空氣@2m/s t0.5=3.0S t0.9=10.0S
環(huán)境條件: 未保護(hù)時只能用于干燥環(huán)境
包裝:大包裝 1000 件
測量電流:PT100 0.3-zui大 1.0mA
PT1000 0.1bis0.3mA
HeraeusPT100A薄膜鉑電阻是由Heraeus公司出廠.根據(jù)不同使用范圍,傳感器分為四組主要類型,用于超低溫測量(始于 -196 °C),低溫測量(到 +400 °C),中溫測量(到 +600 °C)及高溫測量(到 +1000°C)。為100, 200, 500, 1000 和 10000 Ohm的電阻值可供使用。
原材料的化學(xué)穩(wěn)定性,經(jīng)檢測的純凈度和均勻度為獲得長期穩(wěn)定性和在數(shù)千次測量循環(huán)中的重復(fù)測量性提供重要基礎(chǔ)。
Heraeus公司的特殊釉幾乎使產(chǎn)品不受濕度,氣候或其他環(huán)境的影響。在布線溫度傳感器元件這組產(chǎn)品中包括了特別微小的傳感器類型,它用于內(nèi)部直徑很小的保護(hù)管中。
這一類產(chǎn)品中還包括帶連接線的傳感器,通過 HD 和 HA薄膜技術(shù)系列的當(dāng)前類型可替換常規(guī)的繞線鉑金溫度探針。Heraeus公司憑借其廣泛的知識基礎(chǔ)可在任何時候根據(jù)客戶需求特別開發(fā)用戶定制薄膜鉑電阻
一般技術(shù)信息
下面給出了Heraeus電阻一些參數(shù)的詳細(xì)說明,他們在鉑金薄膜傳感器運(yùn)行過程中對其產(chǎn)生影響:
測量電流和自熱
電源電流會加熱鉑金薄膜傳感器。所導(dǎo)致的溫度測量誤差按照下式計算:
Δt = P*S
P,功率損失= I2R
S,自加熱系數(shù)單位是K/mW。
數(shù)據(jù)表上了各個產(chǎn)品的自熱系數(shù)。自熱由鉑金薄膜鉑電阻和周圍介質(zhì)的熱接觸決定。如果對環(huán)境的熱傳導(dǎo)效率很高,則會得到較高的實測電流。鉑金薄膜傳感器未設(shè)置實測電流的下限。它們很大程度上取決于應(yīng)用。
我們建議:
在100 Ohm: zui大值為 1 mA
在500 Ohm: zui大值為 0.7 mA
在1000 Ohm: zui大值為 0.3 mA
在2000 Ohm: zui大值為 0.25 mA
在10000 Ohm: zui大值為 0.1 mA
Heraeus鉑電阻熱反應(yīng)時間
熱反應(yīng)時間是鉑金薄膜傳感器在與電阻變化起反應(yīng)時而發(fā)生溫度變化所需的時間,薄膜鉑電阻變化符合一定比例的溫度變化。DIN EN 60751 建議采用的時間能達(dá)到50 %和 90 %的變化。t0.5和 t0.9是指數(shù)據(jù)表中0.4 或 2.0 m/s的水流和空氣流。 如要換算到其他介質(zhì)和溫度,可在VDI/VDE 3522手冊的幫助下實施。
根據(jù)DIN EN 60751得出100Ω鉑金溫度傳感器的基本值
°C Ω Ω/°C °C Ω Ω/°C °C Ω Ω/°C °C Ω Ω/°C
-200 18,52 0,432 70 127,08 0,383 340 226,21 0,352 610 316,92 0,320
-190 22,83 0,429 80 130,90 0,382 350 229,72 0,350 620 320,12 0,319
-180 27,10 0,425 90 134,71 0,380 360 233,21 0,349 630 323,30 0,318
-170 31,34 0,422 100 138,51 0,379 370 236,70 0,348 640 326,48 0,317
-160 35,34 0,419 110 142,29 0,378 380 240,18 0,347 650 329,64 0,316
-150 39,72 0,417 120 146,07 0,377 390 243,64 0,346 660 332,79 0,315
-140 43,88 0,414 130 149,83 0,376 400 247,09 0,345 670 335,93 0,313
-130 48,00 0,412 140 153,58 0,375 410 250,53 0,343 680 339,06 0,312
-120 52,11 0,409 150 157,33 0,374 420 253,96 0,342 690 342,18 0,311
-110 56,19 0,407 160 161,05 0,372 430 257,38 0,341 700 345,28 0,310
-100 60,26 0,405 170 164,77 0,371 440 260,78 0,340 710 348,38 0,309
-90 64,30 0,403 180 168,48 0,370 450 264,18 0,339 720 351,46 0,308
-80 68,33 0,402 190 172,17 0,369 460 267,56 0,338 730 354,53 0,307
-70 72,33 0,400 200 175,86 0,368 470 270,93 0,337 740 357,59 0,305
-60 76,33 0,399 210 179,53 0,367 480 274,29 0,335 750 360,64 0,304
-50 80,31 0,397 220 183,19 0,365 490 277,64 0,334 760 363,67 0,303
-40 84,27 0,396 230 186,84 0,364 500 280,98 0,333 770 366,70 0,302
-30 88,22 0,394 240 190,47 0,363 510 284,30 0,332 780 369,71 0,301
-20 92,16 0,393 250 194,10 0,362 520 287,62 0,331 790 372,71 0,300
-10 96,09 0,392 260 197,71 0,361 530 290,92 0,330 800 375,70 0,298
0 100,00 0,391 270 201,31 0,360 540 294,21 0,328 810 378,68 0,297
10 103,90 0,390 280 204,90 0,358 550 297,49 0,327 820 381,65 0,296
20 107,79 0,389 290 208,48 0,357 560 300,75 0,326 830 384,60 0,295
30 111,67 0,387 300 212,05 0,356 570 304,01 0,325 840 387,55 0,294
40 115,54 0,386 310 215,61 0,355 580 307,25 0,324 850 390,48 0,293
50 119,40 0,385 320 219,15 0,354 590 310,49 0,323
60 123,24 0,384 330 222,68 0,353 600 313,71 0,322
Heraeus鉑電阻熱電效應(yīng)
鉑金薄膜傳感器不生產(chǎn)熱電力。
震動和沖擊
鉑金薄膜傳感器是固體部件,抗振動和抗沖擊性強(qiáng)。制約因素一般是安裝方式。鉑金薄膜傳感器是否安裝合格,檢驗范圍是:
抗振動性:在10 Hz到 2 kHz的范圍內(nèi)為40 g加速度
抗沖擊性:100 g, 8 ms 半正弦波
基本傳感器的一般電子參數(shù)
電感: < 1µH
電容: 1 到 6 pF
絕緣: >在20°C時, >10 MOhm
在500°C時, >1 MOhm
抗高壓性: 20°C時,>1000 V
500°C時,> 25 V
機(jī)械負(fù)載能力
薄膜鉑電阻對機(jī)械負(fù)載敏感,在條件下,能導(dǎo)致破裂,玻璃蓋或陶瓷基板破碎。處理不當(dāng)或不合適的安裝程序可能導(dǎo)致測量信號的*性變化。
按照MIL 833 和 IEC 40046標(biāo)準(zhǔn),在制造過程中,連接導(dǎo)線要承受拉力和斷裂測試。在導(dǎo)線為鎳/鉑包裹時,當(dāng)ial > 8 N(無玻璃陶瓷密封連接埠)時,則該產(chǎn)品通過檢驗。
重復(fù)性
Heraeus公司的鉑金薄膜傳感器因其信號的重復(fù)準(zhǔn)確性高而品質(zhì)出眾。
分類精度公差
根據(jù)DIN EN 60751標(biāo)準(zhǔn),Heraeus公司在B級精度公差,此外還在*和1/3 DIN(見下表)范圍內(nèi)供應(yīng)鉑金薄膜傳感器。用 Δt = ±1/a (0,3°C + 0,005 Itl) 當(dāng) a = 1, 2 或 3時計算比例限制公差
100Ω 鉑金傳感器的極限偏差
溫度°C 極限偏差
* B級
°C Ohm °C Ohm
-200 ±0,55 ±0,24 ±1,3 ±0,56
-100 ±0,35 ±0,14 ±0,8 ±0,32
0 ±0,15 ±0,06 ±0,3 ±0,12
100 ±0,35 ±0,13 ±0,8 ±0,30
200 ±0,55 ±0,20 ±1,3 ±0,48
300 ±0,75 ±0,27 ±1,8 ±0,64
400 ±0,95 ±0,33 ±2,3 ±0,79
500 ±1,15 ±0,38 ±2,8 ±0,93
600 ±1,35 ±0,43 ±3,3 ±1,06
650 ±1,45 ±0,46 ±3,6 ±1,13
700 ±3,8 ±1,17
800 ±4,3 ±1,28
850 ±4,6 ±1,34
在0°C 到 100°C的范圍內(nèi),也可在zui大值為Δt = 0,1 K的公差組中選擇鉑金薄膜鉑電阻。如果此類公差的傳感器價格過高,也可使用其他公差度。
鉑金溫度傳感器的公差基礎(chǔ)值在DIN EN 60751 中已明確給出。下列適用于:
B級:Δt=±(0.3°C + 0.005 Itl)
*:Δt=±(0.15°C + 0.002 Itl)
根據(jù)我們自己的定義:
等級為 1/3 DIN:Δt=±1/3 (0.3°C + 0.005 Itl),
2B級:Δt=±2(0.3°C + 0.005 Itl)
Heraeus長期穩(wěn)定性
由于長期運(yùn)作或溫度沖擊,溫度傳感器的老化作用能夠?qū)鞲衅餍盘柕臏?zhǔn)確性和可重復(fù)性起到負(fù)面影響。因此傳感器的長期穩(wěn)定性具有重要意義。
基于鉑金的化學(xué)穩(wěn)定性和相對均勻性,鉑薄膜傳感器被視為具有穩(wěn)定性能的傳感器。
標(biāo)準(zhǔn)測試條件包括250小時,500小時和1000個小時,然而,沖擊試驗和長期穩(wěn)定性試驗可以根據(jù)客戶需求自行實施。
氣候和濕度
雙玻璃層和玻璃陶瓷固定滴保護(hù)傳感器元件不受環(huán)境影響。根據(jù)IEC 71的測量說明,氣候和濕度的變化不影響傳感器元件的測量精度。
電路設(shè)計
鉑金薄膜鉑電阻通常在持續(xù)電流中被使用,以2-導(dǎo)線電路為標(biāo)準(zhǔn)??紤]到節(jié)約能源(蓄電池或電池操作)也可用開關(guān)電流操作。輸出電壓信號是Rt電阻的一個函數(shù)。
由于鉑薄膜傳感器特性曲線為簡單的二次函數(shù)和有容易接近直線的可能性,從而使測量信號線性化不成問題。
連接
標(biāo)準(zhǔn)-2-導(dǎo)線電路可影響測量的準(zhǔn)確性。建議使用3-或4-導(dǎo)線電路:
用較長電纜和低傳感器阻值如Pt100,電纜的電阻和溫度電阻達(dá)到較大值
用于帶更小公差的鉑金薄膜傳感器
當(dāng)出現(xiàn)重要的電磁故障,可使用雙絞線或屏蔽電纜
存放
鉑薄膜傳感器不能暴露于有侵蝕性和腐蝕性介質(zhì)中和大氣中。針對個別類型須遵循特別存放須知進(jìn)行存放。
清潔
鉑金薄膜傳感器在封裝之前就進(jìn)行了清潔處理,通常無須進(jìn)行再清潔。在安裝之后應(yīng)對其進(jìn)行清潔處理,可使用zui常用的業(yè)內(nèi)處理操作過程,包括浸泡在液體中。我們推薦使用無殘渣清潔劑。
操作要素
鉑薄膜傳感器是精密部件,因此在安裝過程中要小心謹(jǐn)慎,禁止使用金屬鉗,夾子及其他粗糙夾持裝置。在安裝基本傳感器時建議使用塑料鑷子。禁止彎曲鉑薄膜傳感器機(jī)身附近的輸入導(dǎo)線。避免經(jīng)常更新輸入導(dǎo)線的位置。
Heraeus連接技術(shù)
通過焊接工藝(電阻焊接,激光焊接等)或焊料焊接工藝(軟焊,硬焊)達(dá)到高水平焊接目的。在實施硬焊時要注意,鉑薄膜傳感器不能被高于其zui大額定溫度的高溫加熱。
總之實施硬焊的時間不能超過三秒鐘。還可使用壓焊和超聲波焊接。
在實施壓焊時,要避免在接觸部位產(chǎn)生任何電阻。
在實施超聲波焊接時,輸入導(dǎo)線彎曲程度要高于鉑金薄膜鉑電阻,從而防止內(nèi)部損壞。
對于SMD 和SOT223系列,我們推薦使用波峰焊和回流焊工藝進(jìn)行進(jìn)一步自動處理。
粘附和嵌入
在對鉑薄膜傳感器實施粘附,嵌入或涂層時,重要的一點(diǎn)是,不同使用材料的熱膨脹系數(shù)要相互協(xié)調(diào),以避免產(chǎn)生對傳感器信號會有影響的機(jī)械應(yīng)力。嵌入材料得是化學(xué)中性材料。連接了的鉑薄膜傳感器的位置決不能通過移動其傳感器加以校正。Heraeus公司的MR傳感器系列已經(jīng)被嵌入到陶瓷膠囊中。
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