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塔瑪薩崎電子(蘇州)有限公司
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更新時(shí)間:2023-07-24 15:50:12瀏覽次數(shù):580次
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簡(jiǎn)單介紹: 主要特長采用獨(dú)自的平行調(diào)整機(jī)構(gòu),能夠高精度地設(shè)定掩膜與Wafer間的近接間隙。利用獨(dú)自的高速圖像處理技術(shù),實(shí)現(xiàn)高精度的對(duì)位。利用圖像處理技術(shù),使預(yù)對(duì)位可對(duì)應(yīng)薄型基板或翹曲基板及水晶等易碎Wafer(選購項(xiàng))。利用獨(dú)自的接觸壓力精密控制機(jī)構(gòu),能夠使Wafer與掩膜高精度地接觸。通過Wafer的背面真空吸著方式,實(shí)現(xiàn)高速度和高精度以及穩(wěn)定的自動(dòng)搬送
光刻機(jī)介紹
曝光裝置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ~ ?6″
光源 超高壓水銀燈 :500W or 1kW
曝光裝置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm
光源 超高壓水銀燈 :2kW or 3.5kW
LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2~4″或者?4~6″
光源 超高壓汞燈:500W 或 1kW
?200mm/?150 mm 對(duì)應(yīng)曝光裝置MA-4301M 材料SI 玻璃, 對(duì)齊精度自動(dòng)對(duì)齊:+/- 1 μm(
峰值搜索)
?300mm對(duì)應(yīng)曝光裝置MA-5301ML 光源超高壓汞燈:3.5kW ?200mm規(guī)格也可對(duì)應(yīng)
マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量(※3)245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E 曝光掃描速度22.5mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量(※3)460/70135
マスクレス露光裝置MX-1205 曝光掃描速度9/4.5mm/s 有效曝光區(qū)域100 x 100 追大曝光量(※3)100/50
MA-4000 | |||
---|---|---|---|
Wafer尺寸 | ?2~4″ | ?4~6″ | |
掩膜尺寸 | □5″ | □7″ | |
光源 | 超高壓水銀燈:500W or 1kW | ||
外觀尺寸及重量 | 本體尺寸 | W1340 x D1430 x H1900mm | |
本體重量 | 1120kg | ||
選購項(xiàng) | 生產(chǎn)管理系統(tǒng)(D-Net)、背面對(duì)位、○□基板兼用 |
※基板尺寸和水銀燈瓦數(shù)及特殊規(guī)格可商洽
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