一、介電常數(shù)測定儀技術(shù)參數(shù)：型號：ZJD-C
信號源：DDS數(shù)字合成信號
頻率范圍：100KHZ-160MHZ
Q分辨率：4位有效數(shù)，分辨率0.1
電感測量范圍：1nH～140mH,；分辨率0.1
信號源頻率精度： 3×10-5 ±1個字,6位有效數(shù)
Q值測量范圍： 1～1023自動/手動量程
Q值量程分檔： 30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔
信號源頻率覆蓋比：16000:1
采樣精度：12BIT
Q測量工作誤差：＜5%
電感測量誤差：＜3%
電容直接測量范圍：1pF～2.5uF
調(diào)諧電容誤差分辨率：±1pF或＜1%
主電容調(diào)節(jié)范圍：17～540pF
諧振點搜索：自動掃描
自身殘余電感扣除功能：有
大電容值直接顯示功能：有
介質(zhì)損耗系數(shù)精度：萬分之一
介質(zhì)損耗測試范圍：0.0001-1
介電常數(shù)測試范圍：0-1000
環(huán)境溫度：0℃～+40℃
消耗功率：約25W
LCD顯示參數(shù)：F,L,C,Q,LT,CT,波段等
Q合格預置范圍： 5～1000聲光提示
電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz
材料測試厚度： 0.1-10mm
夾具插頭間距： 25mm±0.01mm
夾具損耗正切值：≤4×10－4 （1MHz）
測微桿分辨率：0.001mm
準確度：150pF以下±1pF；150pF以上±1%
測試極片：材料測量直徑Φ38mm或50mm（二選一），厚度可調(diào) ≥ 15mm
介電常數(shù)測定儀第一篇關(guān)于介質(zhì)損耗的一些基本概念1、介質(zhì)損耗與介質(zhì)損耗因數(shù)：絕緣材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導和介質(zhì)極化的滯后效應，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失,簡稱介損。介質(zhì)損耗指的是電介質(zhì)在電場作用下引起的能量損耗,主要分為三種形式:漏導引起的損耗、電介質(zhì)極化引起的損耗、局部放電引起的損耗。直流電壓作用下電介質(zhì)里的損耗主要是漏導損耗，用絕緣電阻或漏導電流表示就可以了,因此平常討論的介質(zhì)損耗均為針對交流電壓作用下電介質(zhì)中的損耗。
2、介質(zhì)損耗角δ：在交變電場作用下，電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數(shù)角為φ）的余角（δ）。 簡稱介損角。
3、介質(zhì)損耗正切值tgδ：又稱介質(zhì)損耗因數(shù),是指介質(zhì)損耗角正切值。簡稱介損角正切。根據(jù)推導當電介質(zhì)、外加電壓及其頻率一定時，介質(zhì)損耗P與介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ成正比，所以可以用tgδ來表征介質(zhì)損耗的大小，工程上都是通過測量計算tgδ值來表示介損的大小.
4、高壓介質(zhì)損耗測量儀：簡稱介損儀,是指采用電橋原理，應用數(shù)字測量技術(shù),對介質(zhì)損耗角正切值和電容量進行自動測量的一種新型儀器。一般包含高壓電橋、高壓試驗電源和高壓標準電容器三部分。
5、外施：使用外部高壓試驗電源和標準電容器進行試驗，對介損儀的示值按一定的比例關(guān)系進行計算得到測量結(jié)果的方法。
6、內(nèi)施：使用介損儀內(nèi)附高壓電源和標準器進行試驗,直接得到測量結(jié)果的方法.
7、正接線:用于測量不接地試品的方法,測量時介損儀測量回路處于地電位。
8、反接線：用于測量接地試品的方法，測量時介損儀測量回路處于高電位,他與外殼之間承受全部試驗電壓。
9、常用介損儀的分類：現(xiàn)常用介損測試儀有西林型和M型兩種。QS1和KD9000屬于西林型.
10、常用抗干擾方法：目前介質(zhì)損耗測量中常見抗干擾方法有以下幾種： 倒相法、移相法、變頻法和移相跟蹤抗干擾法等.
11、準確度的表示方法tgδ：±（1%D+0.0004）
CX： ±（1%C+1pF）
加號前表示為相對誤差，加號后表示為絕對誤差。相對誤差小表示儀器的量程線性度好,絕對誤差小表示儀器的誤差起點低，但這兩個指標是相符相成的,一般不存在相對誤差大、絕對誤差小的現(xiàn)象。校驗時讀數(shù)與標準值的差應小于以上準確度，否則就是超差。
12、抗干擾指標抗干擾指標為滿足儀器準確度的前提下，干擾電流與試驗電流的最大比例，比例越大，抗干擾性能越好。
第二篇測量介質(zhì)損耗的原理和一些常見方法介質(zhì)損耗的測量,傳統(tǒng)上有電橋法、諧振法、伏安法等，但由于這些方法具有測量精度低或者操作繁瑣等缺點，現(xiàn)已逐漸被淘汰。近年來，隨著微機測量技術(shù)的發(fā)展，應用微機實現(xiàn)介質(zhì)損耗測量系統(tǒng)不斷涌現(xiàn)，介質(zhì)損耗測量技術(shù)發(fā)展到一個新時代。目前，應用微機實現(xiàn)的介質(zhì)損耗測量方法主要有矢量法、諧波分析法、過零點電壓比較法、過零檢測鑒相法等。
① 矢量法：矢量法是利用電壓向量、電流向量求出tgδ值的方法，實質(zhì)是利用了伏安法的原理.矢量法中常用的有兩種：一種是基波相位分離法，即利用三角函數(shù)的正交性,把高次諧波分量消除，把基波分離出來，再通過微機采樣和數(shù)據(jù)處理計算出tgδ值，這種方法能有效克服諧波干擾帶來的誤差，但其測量精度受A/D變換器的位數(shù)限制，要使用高位數(shù)的A/D變換器才能獲得高的測量精度;另一種是自由向量法，這種方法無須選擇參考向量，依據(jù)的是電壓信號與電流信號之間的相對位置和各自模的大小不變的原理來計算tgδ值的，這種方法硬件構(gòu)成簡單,但正弦信號的頻率不穩(wěn)、波形畸變、外磁場干擾及元器件誤差等都易引起測量誤差.
② 諧波分析法:諧波分析法,就是利用數(shù)字頻譜分析的方法對采樣的試品電壓、電流信號進行分析，提取出其基波分量，進而通過相位比較求出其介質(zhì)損耗角δ及tgδ值。目前采用較多的是基于離散傅立葉變換的快速離散傅立葉變換算法（FFT).這種方法具有較好的抗干擾性和測量精度,但系統(tǒng)頻率波動會影響到測量結(jié)果的準確度.
③ 過零點電壓比較法：過零點電壓比較法是測量兩個正弦波在過零點附近的電壓差，并由電壓差來計算相位差和介質(zhì)損耗角正切的方法.這種方法在測量正弦波的相位差時，不采用在過零點時間間隔的方法,而采用在過零點附近測量兩個正弦波差值電壓的方法，因而對過零點的檢測精確度沒有很高的要求，比較適合用于現(xiàn)場在線監(jiān)測。但該方法對所測量的正弦波波形要求很高：兩正弦波的幅值必須相等;兩正弦波的諧波分量和諧波相位要相等、兩正弦波的頻率及頻率的動態(tài)偏移要相等;兩正弦波的相位差要小。
④過零檢測鑒相法:過零檢測鑒相法,是利用電壓和電流的過零點之間的相位差實現(xiàn)介損測量，該方法是目前介損測量中常用的一種方法.這種方法相對以上的幾種方法具有分辨率高、線性好、易建模的優(yōu)點，但對過零點的檢測精度要求較高，電源諧波、過零比較器的失調(diào)電壓、零點漂移等因素都會引起測量誤差，必須采用相應措施消除干擾.
綜合比較各種方法的優(yōu)缺點,并考慮到平常介質(zhì)損耗的測量采用的是離線測量方式，相對現(xiàn)場測量干擾小，因此本系統(tǒng)選擇采用過零檢測鑒相法測量原理測量介質(zhì)損耗。圖3-1即為過零檢測鑒相法測量原理圖，利用采樣電路測出電壓和電流信號的過零點,通過邏輯轉(zhuǎn)換形成一定寬度的時間信號,脈沖寬度反映相位差,最后通過測量相位差方波的寬度即可求得試品的介質(zhì)損耗角δ和介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ。該方法應用單片機技術(shù)很容易實現(xiàn).
圖3-1 過零檢測鑒相法測量原理圖過零檢測鑒相法的系統(tǒng)組成:過零檢測鑒相法介質(zhì)損耗測量電路主要由信號抽取單元、濾波與信號放大電路、過零比較電路、整形電路、邏輯鑒相電路組成，如圖3-3所示。從試品上取得的電壓和電流信號分別經(jīng)濾波、限幅放大、過零比較、整形、展寬和邏輯鑒相后轉(zhuǎn)換為具有一定脈沖寬度的時間信號，利用單片機的計數(shù)器測量脈沖的寬度，以數(shù)字處理方法實現(xiàn)介質(zhì)損耗因數(shù)值的計算。同時,圖3-3中限幅放大電路輸出的信號經(jīng)V/F變換后輸入給單片機進行計數(shù)，根據(jù)測量信號與標準信號的計數(shù)比值可計算得試品的電容值.
圖3-3 過零檢測鑒相法硬件原理圖 第三篇介損測試儀的工作模型及儀器的檢定1、電容試品的模型任何有介損的電容器都可以模擬成RC串聯(lián)和并聯(lián)兩種理想模型：
串聯(lián)模型并聯(lián)模型理論上串聯(lián)模型tgδ=2πfRC，并聯(lián)模型tgδ=1/（2πfRC)，R和C基本不變,f是變化量。把45Hz、50Hz、55Hz分別代入公式，可看到tgδ分別隨頻率f成正比和反比.如下圖所示，f對正比和反比兩種模型影響較大。
但實際電容器是多種模型交織的混合模型，通過大量的試驗和理論計算，實際電力電容器大多數(shù)符合并聯(lián)模型，如CT、套管和均壓電容等，它們的tgδ多隨頻率的增大而減小.
2、ZJD-87介損儀采用的工作模型 因?qū)嶋H電力電容器大多數(shù)符合并聯(lián)模型，所以
ZJD-87采用并聯(lián)模型測量電容器的介質(zhì)損耗.所以因介損電橋采用的工作模型不同，而造成校驗時同一試品條件下測量數(shù)據(jù)的差異。這些差異只是精確校驗時的差異，對一般用戶的測量沒有影響，一般用戶不必關(guān)心您所使用的介損儀的工作模型。
3、ZJD-87介損儀的檢定 試驗室檢定介損測量儀時，用ZJD-87校驗臺檢驗比較準確。介損測試儀的量程和準確度都能準確的檢驗出來。但ZJD-87比較麻煩，在要求不是很嚴格的情況下，大多采用標準損耗器來校驗。
標準損耗器一般采用一個三電極的標準電容和多個精密電阻的串聯(lián)來實現(xiàn)，量程0-10％，分多個檔位。標準損耗器是一個典型的串聯(lián)模型。所以用ZJD-87做標準損耗器時要把工作模式調(diào)為串聯(lián)模型，這樣才能和各個檔位的實際值對應起來。
有時在測量標準損耗器時，隨著介損的增大而測量出的電容量反而減小，而實際標準電容容量是固定的，并沒有發(fā)生變化，這就是因為沒選對模型造成的?？捎孟旅娴墓叫?
C
校準=C
讀數(shù)（1+tg
2δ）
校驗時，應采用全屏蔽的標準插頭連接介損儀和試品，裸露的電極也會引起很大的誤差。
注意：西林型電橋做三電極結(jié)構(gòu)（高壓極、低壓極和屏蔽極）的標準損耗器時正、反接線都能做。而M型介損電橋只能做正接線，不能做反接線，否則會燒壞標準損耗器。
第四篇 常見問題第一節(jié)：表面泄漏或屏蔽不良引起正接線測量介質(zhì)損耗減小的分析用末端屏蔽法測量電磁式PT、正接線測量CT或變壓器套管，有時會出現(xiàn)介損極小或負值的現(xiàn)象，這主要是絕緣受潮、表面泄漏或屏蔽不良引起的，可分析如下:
示意圖 等效電路圖 CX:試品
C1：高壓端對瓷套的雜散電容
C2：低壓端對瓷套的雜散電容
R：瓷套表面泄漏對地電阻
1：為試驗電壓
2:為儀器輸入 這樣，C1、C2、R形成T形網(wǎng)絡，由于C1和R微分移相作用，使通過C2的電流超前,而使介損減小。設(shè)1為外加電壓U、2接地電位，流過2的電流為:
介質(zhì)損耗因數(shù)為實部電流與虛部電流之比，由于第一項為負值,故介損因數(shù)減小。
以CX=120pF，C1=1pF,C2=0.1pF,R=1000MΩ，CX無介損，按上式計算，T形網(wǎng)絡引起的附加介損為：-0。025%
同理，檢修用腳手架及包裝箱引起正接線測量介質(zhì)損耗減?。涸嚻穼Πb箱形成雜散電容，也形成T型網(wǎng)絡干擾?！?br data-filtered="filtered" style="margin: 0px; padding: 0px;"/>
解決方法： 1、擦干凈瓷套表面的臟污。
2、在陽光下曝曬試品或加熱烤干瓷套，變壓器套管吹干中間三裙.
3、高壓線盡量水平拉遠，不要貼近瓷套表面。
4、改用末端加壓法或常規(guī)法測量電磁式PT。
5、新設(shè)備吊裝前試驗時，一定要拆掉包裝箱和腳手架,移開木梯，解開繩套。做變壓器套管時一定要放在套管架上試驗，不能斜靠在墻上或躺放在地上。
第二節(jié)如何用ZJD-87做不拆高壓引線的CVT自激法測量試驗及電位用ZJD-87做CVT自激法測量非常方便，可按下圖接線。如果C
1是單節(jié)電容，母線不能接地;如果C
1是多節(jié)電容，高壓引線可不拆,母線也可接地，C
11和C
12可用常規(guī)正反接線測量，C
13和C
2用自激法測量。
一、接線方法如下圖：
二、測量過程及電位 CVT自激法測量中,儀器先測量C
13，然后自動倒線測量C
2，并自動校準分壓影響.
測C
13時，高壓線芯線和屏蔽帶高壓，C
X線芯線和屏蔽都是低壓。
測C
2時，高壓線芯線和屏蔽、C
X線芯線和屏蔽都是低壓.
三、為什么先測量C13，再測量C2 大家知道,C
13電容量較小，約2萬pF；c
2電容量較大，至少4萬pF；C
N為50pF標準電容器。測量C
13時，C
2和內(nèi)C
N串連當作標準電容器，根據(jù)電容串聯(lián)公式C串=(C
2C
N)/(C
2+C
N），由于C
2>>C
N，C
串≈C
N,這樣C
2對測量結(jié)果影響較小,可忽略不計。反之，如果先測C
13，因C
13容量較小,和內(nèi)C
N串連后，會把C
13的介損加進去,造成標準臂介損增大，引起C
2介損減小，造成測量誤差?！?br data-filtered="filtered" style="margin: 0px; padding: 0px;"/>
四、自激法時高壓線拖地會引起介損增大 自激法時高壓線應懸空不能接觸地面，否則其對地附加介損會引起介損增大，可用細電纜連接高壓插座與CVT試品并吊起。
上圖左框內(nèi)為電纜拖地時附加雜散電容的RC串聯(lián)模型，使δ點的電壓U
N超前變成U
N',相應的I
N變成I
N’，I
x相位不變，造成δ角增大，既介質(zhì)損耗增大。感興趣的用戶也可用公式推導出來。
第三節(jié)BR16標準電容器的試驗方法 BR16標準電容器在高壓試驗中經(jīng)常用到，主要用做外接標準電容器或判斷高壓介損電橋的測量誤差。也有的低壓端分幾個介損擋位，用于介損電橋的校驗.電容量約50P,tgδ約<0。05％。它不是真正的三端結(jié)構(gòu)電容器，很容易受潮，引起介損的偏差。
一、正接線
有時候10kV電壓下tgδ會出負值,降為3kV時tgδ正常,這是內(nèi)部受潮引起的。需更換防潮劑或把內(nèi)部電容芯拿出在陽光下曝曬即可。
二、反接線
反接線測得電容量和tgδ比正接線測得的值稍微偏大一些,這是由于反接線雜散電容的影響引起的。
三、錯誤的反接線
BR16做反接線時,很多人習慣把低壓端和屏蔽端短起來接地，高壓端加壓測量,結(jié)果電容量約58P,電容量增大8P。這是因為低壓端和屏蔽端短起來接地后,把高壓對屏蔽端的電容量也并聯(lián)進去了，造成電容量增大。所以不能采取這種方法做反接線
智能制造網(wǎng)