MEINBERG轉(zhuǎn)換接頭CON/FO/TTL-2/HS
MEINBERG轉(zhuǎn)換接頭CON/FO/TTL-2/H
江蘇邱成機(jī)電有限公司
專業(yè)采購歐洲工控產(chǎn)品、備品備件 。
優(yōu)勢供應(yīng)品牌及型號：伍爾特五金工具及化學(xué)品，哈恩庫博，蓋米閥門，施邁賽開關(guān)，IMM噴嘴，Ergoswiss液壓升降系統(tǒng)，Socla閥，kobold 科寶流量計開關(guān)等，SBS平衡裝置，ODU連接器，SCHURTER 碩特濾波器等，amf 夾具，菲尼克斯魏格米勒端子連接器，本特利 英維思的模塊卡件等
我們的優(yōu)勢：
| MU-US10 165008 |
| EK-UK15-L Nr.0160109/00 |
| 06250-24010 |
| 48826；M12*30 |
| 3831 |
| 888118 |
| 99.02.0.230.59 |
| D-263V-06 |
| KE07302 |
| KE07301 |
| D-247D |
| D-222 |
| D-281 |
| Article : 1K010016020E ,Dimensions: 010/016x020-22x3 E7/r7 |
| 229040 |
| SV 2002 V |
| C-ZINN1.0 |
| 1060029 |
| 9801104 |
| 1060389 |
| 03325-05X20 |
| 06013-06 |
| FLMP12G 10035084 |
| FM06LCF |
| 05520-09 |
| Stützring NP 25/41 + 50 Art-Nr.: 07.2695 |
| Z 81 /13/ R 1/4 |
| AMQD0822 |
| 269.6899.015 |
| 26106-02001055 |
| 23050.012 |
| Nr.6402 mounting bracket S-form |
| Product number 242250605 |
| HS38/17 GV M12*20MM |
| GM10LMSX |
| S83130 |
| 18.9008 SP2/0,5-1,5 |
| WF-WD 15 L VI（WAL610875） |
| 244.1.16.5 |
1）直接從廠家采購，保證所有產(chǎn)品均為原裝。
2）價格合理，繞過層層代理，zui大限度的讓利給客戶。
3）渠道廣泛，國內(nèi)有代理，或者有客戶保護(hù)廠家不賣的產(chǎn)品，只要您能提供型號，我們同樣可以從各國的分銷商來采購。
4）倉庫每周三統(tǒng)一拼箱發(fā)貨，極大節(jié)約了物流成本。
5）工程師為您提供專業(yè)的售前及售后技術(shù)咨詢服務(wù)。
江蘇邱成機(jī)電有限公司是一家集研發(fā)、工程、銷售、技術(shù)服務(wù)于一體的現(xiàn)代化企業(yè)，是國內(nèi)自動化領(lǐng)域具競爭力的設(shè)備供應(yīng)商。公司主要經(jīng)營歐美和日韓 等發(fā)達(dá)國家的機(jī)電一體化設(shè)備、高精度分析檢測儀器、環(huán)境與新能源工業(yè)設(shè)備及電動工具等工控自動化產(chǎn)品。
生產(chǎn)集成電路的簡要步驟：
利用模版去除晶圓表面的保護(hù)膜。
將晶圓浸泡在腐化劑中，失去保護(hù)膜的部分被腐蝕掉后形成電路。
用純水洗凈殘留在晶圓表面的雜質(zhì)。
其中曝光機(jī)就是利用紫外線通過模版去除晶圓表面的保護(hù)膜的設(shè)備。
一片晶圓可以制作數(shù)十個集成電路，根據(jù)模版曝光機(jī)分為兩種：
模版和晶圓大小一樣，模版不動。
模版和集成電路大小一樣，模版隨曝光機(jī)聚焦部分移動。
其中模版隨曝光機(jī)移動的方式，模版相對曝光機(jī)中心位置不變，始終利用聚焦鏡頭中心部分能得到更高的精度。成為的主流 [1] 。
主要廠商編輯 語音
曝光機(jī)是生產(chǎn)大規(guī)模集成電路的核心設(shè)備，制造和維護(hù)需要高度的光學(xué)和電子工業(yè)基礎(chǔ)，世界上只有少數(shù)廠家掌握。因此曝光機(jī)價格昂貴，通常在 3 千萬至 5 億美元。
ASML
尼康
佳能
歐泰克
上海微電子裝備
SUSS
| 991 R 2-1 BP |
| A2 AM6X1 H1 |
| 020-3220 |
| 020-2325 |
| 95164-036 |
| 31060600 |
| 03001-04 |
| 000737674-E3 Teile-Nr.: 931804101 |
| 000730422-E3 Teile-Nr.: 931804104 |
| 000730421-E3 Teile-Nr.: 931804103 |
| 000737666-E3 Teile-Nr.: 931804100 |
| VD-207D |
| D-244 |
| D-243B |
| RZ- 119I |
| RZ-042BX |
| 6540010 |
| DE70-14 |
| VK 21650d |
| 18.901 |
| WF-WD 18 L VI（WAL610877） |
| HRL 4 B1TM 30 PP ST M ZN |
| PAP3015-P10 |
| 0.926010.047 |
| 31060800 |
| DE 95-12 nr.7361031 |
| DE 95-12 |
| DE95-12 |
| 18.9004 |
| 2300-54-8-GU Nr.:0011536 |
| WAL610877 |
| 745.014-8 |
| 42.0402.0211 |
| US10S |
| US10 |
| MU-US10 NR：165008 |
| MU-US10S |
| 158268000 |
| OR 40×3 |
| 165008 US 10 VAHLE |
| 165009 US 10S VAHLE |
ABM, Inc.
品牌編輯 語音
光刻機(jī)的品牌眾多，根據(jù)采用不同技術(shù)路線的可以歸納成如下幾類：
高的投影式光刻機(jī)可分為步進(jìn)投影和掃描投影光刻機(jī)兩種，分辨率通常七納米至幾微米之間，端光刻機(jī)號稱上精密的儀器，世界上已有1.2億美金一臺的光刻機(jī)。端光刻機(jī)堪稱現(xiàn)代光學(xué)工業(yè)之花，其制造難度之大，世只有少數(shù)幾家公司能夠制造。國外品牌主要以荷蘭ASML（鏡頭來自德國），日本Nikon（intel曾經(jīng)購買過Nikon的端光刻機(jī)）和日本Canon三為主。
位于我國上海的SMEE已研制出具有自主知識產(chǎn)權(quán)的投影式中端光刻機(jī)，形成產(chǎn)品系列初步實現(xiàn)海內(nèi)外銷售。正在進(jìn)行其他各系列產(chǎn)品的研發(fā)制作工作。
生產(chǎn)線和研發(fā)用的低端光刻機(jī)為接近、接觸式光刻機(jī)，分辨率通常在數(shù)微米以上。主要有德國SUSS、美國MYCRO NXQ4006、以及中國品牌。
分類編輯 語音
光刻機(jī)一般根據(jù)操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動
A 手動：指的是對準(zhǔn)的調(diào)節(jié)方式，是通過手調(diào)旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準(zhǔn)，對準(zhǔn)精度可想而知不高了；
B 半自動：指的是對準(zhǔn)可以通過電動軸根據(jù)CCD的進(jìn)行定位調(diào)諧；
C 自動： 指的是 從基板的上載下載，曝光時長和循環(huán)都是通過程序控制，自動光刻機(jī)主要是滿足工廠對于處理量的需要。
紫外光源編輯 語音
曝光系統(tǒng)核心的部件之一是紫外光源。
常見光源分為:
可見光：g線：436nm
紫外光（UV），i線：365nm
深紫外光（DUV）,KrF 準(zhǔn)分子激光：248 nm, ArF 準(zhǔn)分子激光：193 nm
極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm
對光源系統(tǒng)的要求
a.有適當(dāng)?shù)牟ㄩL。波長越短，可曝光的特征尺寸就越?。籟波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高。]
b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短；
c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]
常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經(jīng)過濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。
| EG8X1-R1/4 |
| 1349 Schlauch PVC 9x12 mm (9m) |
| 111-200-14 |
| FM06SCF |
| 100869517 |
| 99118-0604 BLACK |
| 320 GL 90 2-3 |
| 89Z062010 M 6x20 |
| 2107003 |
| D12350 |
| 385-34-7 |
| 6306 AV |
| DE 95-10 |
| DE95-10 |
| WAL625954 |
| EW8X1-R1/8 |
| J01002A1261Y |
| 32008XAV |
| 12.2010.2003 |
| US10 165008 |
| US10S 165009 |
| 99118-0604k |
| 110965 |
| J01151A0931 |
| CUD00003 |
| STVC 96 F ABC VVV 7-00 TL 4,0 * 247 E007 NR:214836 |
| 243.50 NW7.2 |
| GUA 16x1 |
| SV 2001 V |
| 21049E0404 * UNI ENTST0ER MS VERN * M 10 × 14,0-2,5 |
| 12B-1 DIN 8187 |
| 246.5.016.012 |
| 76116125 |
| 1-1-66-621-010 |
| 1-1-66-621-003 |
| EGB2520-E40 |
| PAP2520 P10 |
| GN 615-M12-K |
對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準(zhǔn)分子激光。例如KrF 準(zhǔn)分子激光（248 nm）、ArF 準(zhǔn)分子激光（193 nm）和F2準(zhǔn)分子激光（157 nm）等。
曝光系統(tǒng)的功能主要有：平滑衍射效應(yīng)、實現(xiàn)均勻照明、濾光和冷光處理、實現(xiàn)強光照明和光強調(diào)節(jié)等。
對準(zhǔn)系統(tǒng)編輯 語音
制造高精度的對準(zhǔn)系統(tǒng)需要具有近乎美的精密機(jī)械工藝，這也是國產(chǎn)光刻及的技術(shù)難點之一，許多美國德國品牌光刻機(jī)具有特殊專機(jī)械工藝設(shè)計。例如Mycro N&Q光刻機(jī)采用的全氣動軸承設(shè)計利技術(shù)，有效避免軸承機(jī)械摩擦所帶來的工藝誤差。
對準(zhǔn)系統(tǒng)另外一個技術(shù)難題就是對準(zhǔn)顯微鏡。為了增強顯微鏡的視場，許多端的光刻機(jī)，采用了LED照明。
對準(zhǔn)系統(tǒng)共有兩套，具備調(diào)焦功能。主要就是由雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡主體、目鏡和物鏡各1對（光刻機(jī)通常會提供不同放大倍率的目鏡和物鏡供用戶組合使用）。
CCD對準(zhǔn)系統(tǒng)作用是將掩模和樣片的對準(zhǔn)標(biāo)記放大并成像于監(jiān)視器上。
工件臺顧名思義就是放工件的平臺，光刻工藝主要的工件就是掩模和基片。
工件臺為光刻機(jī)的一個關(guān)鍵，由掩模樣片整體運動臺（XY）、掩模樣片相對運動臺（XY）、轉(zhuǎn)動臺、樣片調(diào)平機(jī)構(gòu)、樣片調(diào)焦機(jī)構(gòu)、承片臺、掩模夾、抽拉掩模臺組成。
其中，樣片調(diào)平機(jī)構(gòu)包括球座和半球。調(diào)平過程中首先對球座和半球通上壓力空氣，再通過調(diào)焦手輪，使球座、半球、樣片向上運動，使樣片與掩模相靠而找平樣片，然后對二位三通電磁閥將球座和半球切換為真空進(jìn)行鎖緊而保持調(diào)平狀態(tài)。
樣片調(diào)焦機(jī)構(gòu)由調(diào)焦手輪、杠桿機(jī)構(gòu)和上升直線導(dǎo)軌等組成，調(diào)平上升過程初步調(diào)焦，調(diào)平完成鎖緊球氣浮后，樣片和掩模之間會產(chǎn)生一定的間隙，因此必須進(jìn)行微調(diào)焦。另一方面，調(diào)平完成進(jìn)行對準(zhǔn)，必須分離一定的對準(zhǔn)間隙，也需要進(jìn)行微調(diào)焦。
抽拉掩模臺主要用于快速上下片，由燕尾導(dǎo)軌、定位擋塊和鎖緊手輪組成。
承片臺和掩模夾是根據(jù)不同的樣片和掩模尺寸而進(jìn)行設(shè)計的。
性能指標(biāo)編輯 語音
光刻機(jī)的主要性能指標(biāo)有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準(zhǔn)精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產(chǎn)效率等。
分辨率是對光刻工藝加工可以達(dá)到的細(xì)線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。
對準(zhǔn)精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。
曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。
曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域，光源有汞燈，準(zhǔn)分子激光器等。
光刻機(jī)種類編輯 語音
a.接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當(dāng)，設(shè)備簡單。接觸式，根據(jù)施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。
1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附?。愃朴趧蚰z機(jī)的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面；
2.硬接觸 是將基片通過一個氣壓（氮氣），往上頂，使之與掩膜接觸；
3.真空接觸 是在掩膜和基片中間抽氣，使之更加好的貼合（想一想把被子抽真空放置的方式）
軟
缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，容易損壞,壽命很低（只能使用5～25次）；容易累積缺陷；上個世紀(jì)七十年代的工業(yè)水準(zhǔn)，已經(jīng)逐漸被接近式曝光方式所淘汰了，國產(chǎn)光刻機(jī)均為接觸式曝光，國產(chǎn)光刻機(jī)的開發(fā)機(jī)構(gòu)無法提供工藝要求更高的非接觸式曝光的產(chǎn)品化。
| AMQD0802 |
| B 42 |
| GSM-1012-08 |
| OR 50×3 |
| AX100021. |
| 22052dp9 |
| 845.018-8 |
| 070 80-106 |
| 180.541.000.307.000 |
| 180.575.000.307.000 |
| 180.545.000.307. 000 |
| 95.63 |
| 95.05 |
| 40.31.9024.0000 24v |
| 95.63 for 40.31.9024.0000 24v |
| 95.05 for 40.52.9024.0000 24v |
| 39932 |
| 39908 |
| 010-0825 |
| 10001046 |
| 3537952 3,4X20,5X25,5 |
| 7262167 |
| 016 500 |
| RX424730 |
| 1926 |
| S3450/13X3/8 |
| 82181BL |
| D11660 |
| VD-200A |
| GN 352-40-40-M8-S-55 |
| VD-207JR |
| 343P123070 |
| 828-0404 |
| DE 95-16 nr.7361061 |
| 31090410 |
| D6/B9/I60 5145.00.15 |
| 104216 |
b.接近式曝光（Proximity Printing）:掩膜板與光刻膠基底層保留一個微小的縫隙（Gap），Gap大約為0～200μm。可以有效避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷，使掩膜和光刻膠基底能耐久使用；掩模壽命長（可提高10 倍以上），圖形缺陷少。接近式在現(xiàn)代光刻工藝中應(yīng)用為廣泛。
c.投影式曝光（Projection Printing）:在掩膜板與光刻膠之間使用光學(xué)系統(tǒng)聚集光實現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉(zhuǎn)移圖形的4倍制作。優(yōu)點：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。
投影式曝光分類：
掃描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，>1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸；
步進(jìn)重復(fù)投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板縮小比例（4：1），曝光區(qū)域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所能覆蓋的區(qū)域）。增加了棱鏡系統(tǒng)的制作難度。
掃描步進(jìn)投影曝光（Scanning-Stepping Project Printing）。90年代末～至今，用于≤0.18μm工藝。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光區(qū)域（Exposure Field）26×33mm。優(yōu)點：增大了每次曝光的視場；提供硅片表面不平整的補償；提高整個硅片的尺寸均勻性。但是，同時因為需要反向運動，增加了機(jī)械系統(tǒng)的精度要求。
d. 高精度雙面：主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產(chǎn)。
高精度特制的翻版機(jī)構(gòu)、雙視場CCD顯微顯示系統(tǒng)、多點光源曝光頭、真空管路系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、直聯(lián)式無油真空泵、防震工作臺等組成。
適用于φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片的對準(zhǔn)曝光。
e.高精度單面：針對各大專院校、企業(yè)及科研單位，對光刻機(jī)使用特性研發(fā)的一種高精度光刻機(jī),中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)。
高精度對準(zhǔn)工作臺、雙目分離視場CCD顯微
| 502153 |
| 9939377 ZHU 5 |
| 96810 |
| FM08SCF |
| 9801105 |
| 9118-0604k(blue） |
| NLM07123-06X27 |
| UTTB 2,5/2P-PV Nr.3060377 |
| 22050.0406 |
| 22050.0404 |
| 06242-06X15 |
| KS-150 M3 |
| 020.123.1020 |
| 322-AL |
| 27964-26T12 |
| GFM-1012-06 |
| Druckfedern D 11560 0,63 x 8,0 x 24,5 mm |
| UNN -44020-051 |
| 94906 |
| 25SFIW17SXZ，Nr 0003940 |
| 259499 |
| LV46.0196 |
| 25SFAK17SXZ，Nr 0003936 |
| 03325-05x16... |
| 03325-05x16.. |
| 03325-05x16norelem |
| nlm 03325-05x16 |
| PKZM0-XM32DE, Nr.239349 |
| 116922000 |
| 181 -134-000-301-000 |
| V10MY1 |
| 3140-04-00 |
| 217,2-AL-IS |
| CF130.10.05.UL |
| 241.14.10.032 |
| 2901873 |
| CK2,5-ED-1,50BU AU NR:1674820 |
| FF2025-ZW-B-0-2 |
| 180 539 000 307 000 |
顯示系統(tǒng)、曝光頭、氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)、直聯(lián)式無油真空泵、防震工作臺和附件箱等組成。
解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準(zhǔn)的問題。
超分辨光刻機(jī)編輯 語音
2018年11月29日，國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制"通過驗收。該光刻機(jī)由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所研制，光刻分辨力達(dá)到22納米，結(jié)合雙重曝光技術(shù)后，未來還可用于制造10納米級別的芯片
憑借專業(yè)*的技術(shù)與商務(wù)團(tuán)隊， 公司在為客戶帶來優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的同時還可提供自動化工程技術(shù)服務(wù)及成套解決方案。
公司
智能制造網(wǎng)