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      產(chǎn)品|公司|采購|資訊

      平板IGBT

      參考價面議
      具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱北京東菱宏博電氣科技發(fā)展有限公司
      • 品       牌
      • 型       號CGF800A/25
      • 所  在  地北京市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時間2018/4/14 9:02:37
      • 訪問次數(shù)779
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      北京東菱宏博電氣科技發(fā)展有限公司是由原首鋼電氣院自動化分院改制而來,公司擁有 8 名教授級高工, 2 名享受政府特殊津貼的專家,以及多名在行業(yè)中有度的專家。多年來,公司一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領(lǐng)域的國產(chǎn)化工作。 

         我公司生產(chǎn)的電力半導(dǎo)體器件有:普通整流管( ZP ),快速整流管( ZK ),軟恢復(fù)快速整流管( FRD ),旋轉(zhuǎn)整流管( ZX ),大功率組合整流元件,普通晶閘管( KP ),快速晶閘管( KK ),雙向晶閘管( KS ),逆導(dǎo)晶閘管( KN ),可關(guān)斷晶閘管( GTO ),電力晶體管( GTR ),功率模塊( MTC , MFC , MDC , MDQ , MDS ),發(fā)電機(jī)旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件,各種功率單元。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源,充電電源,電機(jī)調(diào)速,感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領(lǐng)域。我公司的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件,實現(xiàn)了自動軋機(jī)原器件的國產(chǎn)化; 6K , 6G , 8K , 8G 電力機(jī)車原器件也全部由我公司國產(chǎn)化,使用壽命超過了進(jìn)口元件。 

        在自動控制方面,我公司成功開發(fā)出各種工控板,應(yīng)用在各種不同的場合,做到了控制方式靈活,保護(hù)齊全,可靠性高。 

      電力電子元器件,晶閘管平板IGBT,GTO
      北京東菱宏博電氣科技發(fā)展有限公司 銷售高瑞華:
      我公司利用了從事多年平板晶閘管結(jié)構(gòu)封裝技術(shù)的封裝技術(shù),其相關(guān)部件如多臺架的陶瓷外殼、零部件等全部立足國內(nèi),成本較低、適用于大功率全壓接平板IGBT封裝制造。
      平板IGBT 產(chǎn)品信息

      北京東菱宏博電氣科技發(fā)展有限公司 銷售高瑞華:

      由于平板IGBT用壓接替代了焊接工藝,其結(jié)構(gòu)發(fā)生了根本改變,和焊接型IGBT相比,優(yōu)點如下:

      1.全壓接平板多臺架IGBT的多臺架結(jié)構(gòu)便于IGBT芯片和FRED芯片的并聯(lián)和反并聯(lián),根據(jù)需要,易于大電流IGBT的制造。

         2.全壓接平板多臺架IGBT的芯片不用焊接和鍵合工藝,全部用壓力連接(簡稱全壓接)方式引出發(fā)射極、集電極和柵極。電極引出牢固,提高了抗沖擊振動和耐疲勞的能力。*解決了用焊接和鍵合工藝引出電極的IGBT模塊抗沖擊振動和耐疲勞差的問題,不適用于高可靠的航空航天、*、高壓直流輸電等領(lǐng)域,拓寬了IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域。

      3.全壓接平板多臺架IGBT采取全壓接引出電極,即IGBT的發(fā)射極和集電極均直接和散熱器靠壓力連接在一起,柵極也采用壓接引出。電極引出牢靠,進(jìn)一步提高了抗震性能和抗沖擊性能。在焊接型IGBT木塊中,芯片的集電極、發(fā)射極和柵極分別用焊料焊接和用鋁絲鍵合連接,由于焊料的熱疲勞和鍵合的零克點(失重和超重下,會出現(xiàn)開焊鋁絲斷裂)的隱患,焊接IGBT在航空、航天領(lǐng)域的應(yīng)用受到了限制。

      4. 全壓接平板多臺架IGBT采用可冷壓焊的陶瓷外殼替代了硅凝脂、環(huán)氧樹脂的密封方法,使得IGBT模塊具有*的密封性能,封接氣密性≤1×10-9 Pam/s,可以很好地適應(yīng)潮濕、鹽霧等野外惡劣工作環(huán)境。

      5. 全壓接平板多臺架IGBT有利于IGBT高頻性能的發(fā)揮。IGBT器件是一種可以在高頻下工作的大功率原件,因此要求盡可能的減少IGBT模塊內(nèi)部的分布電感。平板IGBT模塊中,由于省掉了IGBT芯片與電極間的鋁絲,縮短了元件與電極間的電流通路,也大大減少了元件內(nèi)部的分布電感,使得器件的高頻工作性能會更好。

      6. 全壓接平板多臺架IGBT更適合高壓IGBT的封裝。由于模塊中,兩個主電極即集電極和發(fā)射極之間的爬電距離要遠(yuǎn)大于焊接IGBT模塊的爬電距離,因此全壓接平板多臺架IGBT更適應(yīng)于高電壓大電流的工作條件。

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