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平板IGBT

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱(chēng)北京東菱宏博電氣科技發(fā)展有限公司
品牌
型號(hào)CGF1200A/3
所在地北京市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2018/2/15 4:41:51
訪問(wèn)次數(shù)762

產(chǎn)品標(biāo)簽:

品牌：椿整易于大電流IGBT的制造 *解決了用焊接和鍵合工藝引出電極的IGBT模塊抗沖擊振動(dòng)和耐疲勞差的問(wèn)題不適用于高可靠的航空航天 IGBT 全壓接平板多臺(tái)架IGBT有利于IGBT高頻性能的發(fā)揮

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

北京東菱宏博電氣科技發(fā)展有限公司是由原首鋼電氣院自動(dòng)化分院改制而來(lái)，公司擁有 8 名教授級(jí)高工， 2 名享受政府特殊津貼的專(zhuān)家，以及多名在行業(yè)中有度的專(zhuān)家。多年來(lái)，公司一直從事冶金自動(dòng)化和鐵路電氣化領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化工作。

我公司生產(chǎn)的電力半導(dǎo)體器件有：普通整流管（ ZP ），快速整流管（ ZK ），軟恢復(fù)快速整流管（ FRD ），旋轉(zhuǎn)整流管（ ZX ），大功率組合整流元件，普通晶閘管（ KP ），快速晶閘管（ KK ），雙向晶閘管（ KS ），逆導(dǎo)晶閘管（ KN ），可關(guān)斷晶閘管（ GTO ），電力晶體管（ GTR ），功率模塊（ MTC ， MFC ， MDC ， MDQ ， MDS ），發(fā)電機(jī)旋轉(zhuǎn)勵(lì)磁整流組件，各種功率單元。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源，充電電源，電機(jī)調(diào)速，感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領(lǐng)域。我公司的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件，實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)軋機(jī)原器件的國(guó)產(chǎn)化； 6K ， 6G ， 8K ， 8G 電力機(jī)車(chē)原器件也全部由我公司國(guó)產(chǎn)化，使用壽命超過(guò)了進(jìn)口元件。

在自動(dòng)控制方面，我公司成功開(kāi)發(fā)出各種工控板，應(yīng)用在各種不同的場(chǎng)合，做到了控制方式靈活，保護(hù)齊全，可靠性高。

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電力電子元器件，晶閘管平板IGBT，GTO

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

我公司利用了從事多年平板晶閘管結(jié)構(gòu)封裝技術(shù)的封裝技術(shù)，其相關(guān)部件如多臺(tái)架的陶瓷外殼、零部件等全部立足國(guó)內(nèi)，成本較低、適用于大功率全壓接平板IGBT封裝制造。

平板IGBT 產(chǎn)品信息

由于平板IGBT用壓接替代了焊接工藝，其結(jié)構(gòu)發(fā)生了根本改變，和焊接型IGBT相比，優(yōu)點(diǎn)如下：

1.全壓接平板多臺(tái)架IGBT的多臺(tái)架結(jié)構(gòu)便于IGBT芯片和FRED芯片的并聯(lián)和反并聯(lián)，根據(jù)需要，易于大電流IGBT的制造。

2.全壓接平板多臺(tái)架IGBT的芯片不用焊接和鍵合工藝，全部用壓力連接(簡(jiǎn)稱(chēng)全壓接)方式引出發(fā)射極、集電極和柵極。電極引出牢固，提高了抗沖擊振動(dòng)和耐疲勞的能力。*解決了用焊接和鍵合工藝引出電極的IGBT模塊抗沖擊振動(dòng)和耐疲勞差的問(wèn)題，不適用于高可靠的航空航天、*、高壓直流輸電等領(lǐng)域，拓寬了IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域。

3.全壓接平板多臺(tái)架IGBT采取全壓接引出電極，即IGBT的發(fā)射極和集電極均直接和散熱器靠壓力連接在一起，柵極也采用壓接引出。電極引出牢靠，進(jìn)一步提高了抗震性能和抗沖擊性能。在焊接型IGBT木塊中，芯片的集電極、發(fā)射極和柵極分別用焊料焊接和用鋁絲鍵合連接，由于焊料的熱疲勞和鍵合的零克點(diǎn)(失重和超重下，會(huì)出現(xiàn)開(kāi)焊鋁絲斷裂)的隱患，焊接IGBT在航空、航天領(lǐng)域的應(yīng)用受到了限制。

4. 全壓接平板多臺(tái)架IGBT采用可冷壓焊的陶瓷外殼替代了硅凝脂、環(huán)氧樹(shù)脂的密封方法，使得IGBT模塊具有*的密封性能，封接氣密性≤1×10-9 Pam/s，可以很好地適應(yīng)潮濕、鹽霧等野外惡劣工作環(huán)境。

5. 全壓接平板多臺(tái)架IGBT有利于IGBT高頻性能的發(fā)揮。IGBT器件是一種可以在高頻下工作的大功率原件，因此要求盡可能的減少I(mǎi)GBT模塊內(nèi)部的分布電感。平板IGBT模塊中，由于省掉了IGBT芯片與電極間的鋁絲，縮短了元件與電極間的電流通路，也大大減少了元件內(nèi)部的分布電感，使得器件的高頻工作性能會(huì)更好。

6. 全壓接平板多臺(tái)架IGBT更適合高壓IGBT的封裝。由于模塊中，兩個(gè)主電極即集電極和發(fā)射極之間的爬電距離要遠(yuǎn)大于焊接IGBT模塊的爬電距離，因此全壓接平板多臺(tái)架IGBT更適應(yīng)于高電壓大電流的工作條件。

關(guān)鍵詞：IGBT