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      高溫柵偏試驗(yàn)系統(tǒng)

      參考價(jià)面議
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
      • 品       牌其他品牌
      • 型       號(hào)HTGB-C16
      • 所  在  地深圳市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時(shí)間2024/3/21 15:35:31
      • 訪問次數(shù)491
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         深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的*,坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測(cè)儀,MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,在線式檢修用IGBT測(cè)試儀,變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀,IGBT模塊測(cè)試儀,軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等;
          華夏神州,科技興國,智能創(chuàng)新,源遠(yuǎn)流長(zhǎng);華科智源公司 核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建,致力于中國功率半導(dǎo)體事業(yè),積極響應(yīng)國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略,投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
          深圳華科智源科技有限公司-,功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商,2025中國制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。

      首件檢測(cè)儀,首件檢測(cè)系統(tǒng),SMT智能首件檢測(cè)儀,首樣檢測(cè),首板確認(rèn)
      品牌: HUSTEC
      名稱: HTGB高溫柵偏試驗(yàn)系統(tǒng)
      型號(hào): GKH-HTGB-C16
      HTRB/HTGBJ測(cè)試介紹高溫反偏試驗(yàn)(High Temperature Reverse Bias Test,HTRB)是在高溫下加上反向偏壓的工作模式,由于高溫下漏電流增加,質(zhì)量差的器件就會(huì)失效,以此評(píng)估產(chǎn)品的可靠性。
      高溫柵偏試驗(yàn)系統(tǒng) 產(chǎn)品信息



      產(chǎn)品詳情


      ★主要技術(shù)規(guī)格和性能:

      產(chǎn)品型號(hào)GKH-HTGB-C16

      產(chǎn)品名稱高溫柵偏試驗(yàn)系統(tǒng)

      高溫試驗(yàn)箱PH-201高溫試驗(yàn)箱一臺(tái),

      試驗(yàn)區(qū)域16個(gè) 

      試驗(yàn)容量每通道80工位,共16通道。

      試驗(yàn)電源選配TDK的Z+系列電源或安捷倫試驗(yàn)電源。

      電源數(shù)量:配置4臺(tái)/8臺(tái)電源。

      輸出范圍:0~35V或0~60V。

      主要功能① 正常HTGB試驗(yàn),通過按鈕可以選擇正柵壓或負(fù)柵壓,兩種偏壓工作時(shí)只能二選一,不能同時(shí)工作。

      ② 熱阻測(cè)量,即測(cè)量HTGB工作時(shí)的Tj值。

      ③ 高溫試驗(yàn)箱內(nèi)可放置4層板或8層板。具體需根據(jù)器件的封裝尺寸定義。當(dāng)被測(cè)量模塊體積過大時(shí),由于體積的限制,被測(cè)器件數(shù)據(jù)需相應(yīng)減少。

      ④ 可選配溫度可達(dá)300℃的高溫試驗(yàn)箱。

      測(cè)控功能① 檢測(cè)每個(gè)材料的電壓、漏電流值。

      ② 漏電流超限保護(hù),自動(dòng)切斷測(cè)量回路。

      ③ 測(cè)量電流范圍:1nA~100uA;

      ④ 電流分辨率:0.5nA;

      ⑤ 測(cè)量精度:±2%±3nA;

      防靜電設(shè)計(jì)① 設(shè)備外殼良好接地;

      ② 預(yù)留靜電接地端子(香蕉插頭插孔)方便操作員連接靜電環(huán)。

      計(jì)算機(jī)工業(yè)級(jí)電腦主機(jī)、液晶顯示器、專用鍵盤及鼠標(biāo)。WINDOWS操作界面,友好的人機(jī)對(duì)話窗口, 強(qiáng)大的圖形編輯能力以及強(qiáng)大的器件庫供用戶選擇,軟件操作簡(jiǎn)單易學(xué)。更有系統(tǒng)查詢?cè)\斷功能, 試驗(yàn)狀況一目了然,方便用戶隨時(shí)查驗(yàn)。

      老化板可按客戶的器件封裝定制老化板。

      電網(wǎng)要求單相AC220V±10%,47Hz~63Hz,6KW

      外形尺寸W1360mmхH1820mmхD1320mm

      重量約500kg 


      HTRB/HTGBJ測(cè)試介紹


      高溫反偏試驗(yàn)(High Temperature Reverse Bias Test,HTRB)是在高溫下加上反向偏壓的工作模式,由于高溫下漏電流增加,質(zhì)量差的器件就會(huì)失效,以此評(píng)估產(chǎn)品的可靠性。


      測(cè)試溫度:125℃,150℃或175℃。


      測(cè)試時(shí)間:168h,500h,1000h。


      測(cè)試目的:研究器件在靜態(tài)工作模式下,以額定反向直流電壓下或者80%額定反向直流電壓進(jìn)行工作,以確定偏置條件和溫度隨時(shí)間對(duì)固態(tài)設(shè)備的影響。


      參考測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):JESD22-A108


       


      高溫柵偏試驗(yàn)(High Temperature Gate Bias, HTGB)主要是用于測(cè)定柵氧本身及相關(guān)界面的可靠性。


      測(cè)試溫度:150℃或175℃。


      測(cè)試時(shí)間:500h,1000h。


      參考測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):JESD22-A108


      HTBR和HTGB是可靠性測(cè)試中非常常見的測(cè)試項(xiàng)目。


      適用測(cè)試器件:功率二極管, SiC肖特基和肖特基二極管,晶閘管,三端雙向可控硅和IGBT。


      試驗(yàn)設(shè)備:高溫反偏試驗(yàn)機(jī)


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