特性
JSM-IT800 整合了我們用于從高分辨率成像到快速元素分析的“浸沒(méi)式肖特基 Plus 場(chǎng)發(fā)射電子槍”、創(chuàng)新的電子光學(xué)控制系統(tǒng)“Neo Engine”以及無(wú)縫 GUI 系統(tǒng)“SEM Center”,該系統(tǒng)采用一體化 JEOL X 射線(xiàn)能量色散譜儀 (EDS) 作為通用平臺(tái),進(jìn)行快速元素分析。
JSM-IT800 允許物鏡作為一個(gè)更換模塊,提供不同的版本以滿(mǎn)足各種用戶(hù)需求。JSM-IT800 有五種版本,提供不同的物鏡:混合型物鏡 (HL),這是一種通用 FE-SEM;超級(jí)混合物鏡(SHL/SHLs,具有不同功能的兩種版本),可實(shí)現(xiàn)更高分辨率的觀察和分析;以及新開(kāi)發(fā)的半浸沒(méi)式物鏡(i/is,具有不同功能的版本),適用于納米材料、化學(xué)、新材料、半導(dǎo)體器件的觀察和分析。
此外,JSM-IT800 還可以配備新型閃爍體背散射電子探測(cè)器 (SBED) 和多功能背散射電子探測(cè)器 (VBED)。SBED 支持以高響應(yīng)性獲取圖像,即使在低加速電壓下也能產(chǎn)生清晰的成分襯度,而 VBED 可以幫助獲取 3D、形貌和成分襯度的圖像。因此,JSM-IT800 可以幫助用戶(hù)獲取豐富多樣德 信息并解決測(cè)量中的問(wèn)題。
■ 視頻介紹
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1. 浸沒(méi)式肖特基Plus場(chǎng)發(fā)射電子槍
集成的浸沒(méi)式肖特基Plus電子槍和低像差聚光透鏡可實(shí)現(xiàn)高亮度。即使低加速電壓下也能獲得充足的探針電流(100nA@5kv), 這可幫助用戶(hù)在對(duì)SEM參數(shù)進(jìn)行微小調(diào)整的情況下,進(jìn)行高分辨觀察、高速元素面分析、EBSD分析、軟X射線(xiàn)分析。
2. Neo Engine(New Electron Optical Engine)
配備本公司電子光學(xué)技術(shù)精華的新一代電子光學(xué)控制系統(tǒng),可在調(diào)整各種參數(shù)的同時(shí)進(jìn)行穩(wěn)定的觀察。此外,該系統(tǒng)還具有增強(qiáng)的自動(dòng)功能,更易于使用。
AFS ACB
樣品:碳基納米錫粒子
入射電壓:15kV,WD:2mm,觀察模式:BD,檢測(cè)器:UED, 倍率:x200,000
3. SEM Center / EDS一體化
操作導(dǎo)航“SEM Center”與本公司生產(chǎn)的EDS進(jìn)行了全面集成,更易于操作。此外,還配備了Smile Navi(可選),可以幫助新手了解如何操作SEM,LIVE - AI (Live Image Visual Enhancer-AI)(可選),可輕松查看實(shí)時(shí)圖像;及SMILE VIEWTM Lab,用于快速生成報(bào)告。
4. LIVE-AI Filter
利用AI功能,整合LIVE-AI Filter以實(shí)現(xiàn)更高質(zhì)量的實(shí)時(shí)圖像。與圖像集成處理不同,這樣可以顯示無(wú)殘留圖像的無(wú)縫移動(dòng)實(shí)時(shí)圖像。這一功能對(duì)于快速搜索觀察區(qū)域、聚焦和像散調(diào)整非常有效。
實(shí)時(shí)圖像比較
樣品:螞蟻外骨骼,入射電壓:0.5kV,SED檢測(cè)器
樣品: 鐵銹, 入射電壓:1kV,SED檢測(cè)器
5. HL/HLs(Hybrid Lens)、 SHL/SHLs(Super Hybrid Lens)、i/is (Semi-in-Lens)
JSM-IT800 系列了提供多種物鏡可供選擇,以滿(mǎn)足用戶(hù)的多種需求。
HL 版本和 SHL 版本(包括 SHLs 版本)配備了電磁/靜電場(chǎng)疊加物鏡。可以對(duì)從金屬到納米材料的各種樣本進(jìn)行高分辨率觀察和分析,特別適用于磁性材料的觀察和分析,例如 EBSD 分析。
i 版本和 is 版本都配備了半浸沒(méi)式物鏡,非常適合對(duì)傾斜和橫截面樣本進(jìn)行高分辨率觀察和分析,這是半導(dǎo)體器件故障分析的要素。此外,它還適用于使用高位透鏡內(nèi)電子探測(cè)器 (UID) 進(jìn)行觀察。
6. 高位檢測(cè)器UHD (Upper Hybrid Detector)
SHL物鏡里標(biāo)配高位檢測(cè)器,可高效檢測(cè)樣本中的電子,從而獲得高S/N的圖像。
SHL 觀察舉例
1. 氧化鋁顆粒 二次電子像
入射電壓0.5kV, 檢測(cè)器:UHD
可以觀察顆粒表面的階梯結(jié)構(gòu),能清楚地看到納米尺度的階梯。
2. 鋁勃姆石和纖維素納米纖維CNF
樣本:IC芯片橫截面(表面蝕刻,鋨鍍層)
入射電壓:5.0kV(無(wú)BD模式),SHL觀察模式,探測(cè)器:UHD、UED(BSE模式)
HL 觀察舉例
i/is version 觀察舉例
1. 光催化顆粒 二次電子像
JSM-IT800(i) UED檢測(cè)器 樣品提供:東京大學(xué) 特聘教授 堂免 一成
這種光催化劑使水分解反應(yīng)的量子效率接近 99%。高分辨率 SE 圖像清楚地顯示:尺寸小于 10 nm 的助催化劑顆粒優(yōu)先沉積在立方顆粒的 {100} 晶面上,以促進(jìn)析氫和析氧反應(yīng)。
參考文獻(xiàn):T. Takata et. al., "Photocatalytic water splitting with a quantum efficiency of almost unity," Nature , 581, 411-414, 2020.
2. 半導(dǎo)體器件(SRAM)內(nèi)部組成像、電位襯度像、凹凸像
觀察條件:入射電壓1kV,WD8mm,觀察模式SIL,檢測(cè)器UED、UID、SED,3種信號(hào)同時(shí)獲取
7. 新型背散射電子檢測(cè)器
閃爍體背散射電子檢測(cè)器(SBED、選配件)響應(yīng)性能*,適用于低加速電壓下材料襯度像的采集。多用途背散射電子檢測(cè)器(VBED、選配件)適用于3D、凹凸等特色圖像的采集。
SBED觀察例
VBED觀察例
VBED中不同方位的半導(dǎo)體元件接受不同角度的背散射電子。位于內(nèi)側(cè)的元件接受的電子主要反映樣品的成分信息,外側(cè)的主要反映其表面凹凸信息,且使用內(nèi)側(cè)半導(dǎo)體元件還能觀察處于AI鍍層深處的熒光物質(zhì)