特征描述
• 更低的 VCEsat 壓降可以降低導(dǎo)通損耗
• 低開關(guān)損耗
• 由于 VCEsat呈現(xiàn)正溫度系數(shù)特性,因此易于進(jìn)行器件的并聯(lián)應(yīng)用
• 非常軟且快速恢復(fù)的反并聯(lián)發(fā)射極控制二極管
• 具有高魯棒性、溫度穩(wěn)定的特性
• 低電磁干擾輻射
• 低柵極電荷
• 非常緊密的參數(shù)分布
優(yōu)勢
• 高效率 - 得益于低導(dǎo)通和低開關(guān)損耗
• 600 V 和 1200 V 的全面產(chǎn)品組合可實(shí)現(xiàn)設(shè)計靈活性
• 器件可靠性高
應(yīng)用領(lǐng)域
• 不間斷電源(UPS)
• 電機(jī)控制和驅(qū)動
• 工業(yè)加熱和焊接
• 太陽能系統(tǒng)解決方案
型號: | IKW50N60T |
封裝: | TO-247 |
制造商: | Infineon |
產(chǎn)品種類: | IGBT晶體管 |
RoHS: | 是 |
封裝/箱體: | TO-247-3 |
安裝風(fēng)格: | Through Hole |
配置: | Single |
集電極—發(fā)射極電壓VCEO: | 600 V |
集電極—射極飽和電壓: | 1.5 V |
柵極/發(fā)射極電壓: | 20 V |
在25 C的連續(xù)集電極電流: | 80 A |
Pd-功率耗散: | 333 W |
工作溫度: | - 40 C + 175 C |
系列: | TRENCHSTOP IGBT |
集電極連續(xù)電流Ic: | 80 A |
高度: | 20.9 mm |
長度: | 15.9 mm |
寬度: | 5.03 mm |
柵極—射極漏泄電流: | 100 nA |