IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;
IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此類(lèi)模塊化產(chǎn)品,一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn),此類(lèi)產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn).
1200 V IGBT,采用反并聯(lián)二極管,TO-247 封裝
1200 V,15 A 硬開(kāi)關(guān) TRENCHSTOP™ 第四代 IGBT,與定續(xù)流二極管聯(lián)合封裝到 TO-247 封裝中,結(jié)合溝槽柵和場(chǎng)終止概念,顯著改善器件靜態(tài)及動(dòng)態(tài)性能。IGBT 與軟恢復(fù)發(fā)射極控制二極管相結(jié)合,進(jìn)一步降低接通損耗。在開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗之間做出優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)高效率。
特征描述
• 低 VCEsat 壓隆,降低傳導(dǎo)損耗
• 低開(kāi)關(guān)損耗
• VCEsat 具備正溫度系數(shù),實(shí)現(xiàn)輕松并聯(lián)開(kāi)關(guān)能力
• 極軟、快速恢復(fù)防并聯(lián)發(fā)射極控制二極管
• 高穩(wěn)健性和溫度穩(wěn)定性
• 低 EMI 排放
• 低柵極電荷
• 參數(shù)分布非常緊湊
優(yōu)勢(shì)
• 高效率 – 低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗
• 豐富的 600 V 和 1200 V 產(chǎn)品組合,支持靈活設(shè)計(jì)
• 器件高可靠性
應(yīng)用領(lǐng)域
• 不間斷電源(UPS)
• 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
• 太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
品牌: | INFINEON |
型號(hào): | IKW15N120T2 |
制造商: | Infineon |
產(chǎn)品種類(lèi): | IGBT 晶體管 |
RoHS: | 是 |
封裝 : | TO-247 |
安裝風(fēng)格: | Through Hole |
配置: | Single |
集電極—發(fā)射極電壓 VCEO: | 1200 V |
集電極—射極飽和電壓: | 2.2 V |
柵極/發(fā)射極電壓: | 20 V |
在25 C的連續(xù)集電極電流: | 30 A |
Pd-功率耗散: | 235 W |
工作溫度: | - 40 C + 175 C |
系列: | Trenchstop IGBT3 |
集電極連續(xù)電流 Ic: | 30 A |
柵極—射極漏泄電流: | 600 nA |