裸片及鍍膜片 全光譜 反色率、色度、膜厚測量儀
型號: XH-LAB-RC
硅晶電池片表面制絨效果對電池片效率提高扮演著非常重要的角色。電池片的制絨減少了因為反射而丟失的光，并且對電池片的鈍化效果也有很大的影響。另外就制絨工藝本身來講，硅片材料和硅片切割效果對其也有影響。因此，很有必要獲得制絨效果的詳細信息，從制絨后整理體反射率光譜的精確測量可以獲得這些重要的信息。

XH-LAB-RC是一款很好的化學制絨工藝測量，分析和工藝優(yōu)化的工具，同時也可以測量鍍膜后硅片的膜厚和顏色?？蛇M行雙面x，y全自動測量；保證測量的精準度。

系統(tǒng)使用簡單，無需操作人員具有專業(yè)的技能。因為系統(tǒng)有手動的單軸移動平臺，所以能快速進行線性掃描。用戶可以在移動的硅片上進行連續(xù)性測量，也可以測量硅片上的固定點。系統(tǒng)可自動生成測試報告并存儲數(shù)據。


測量原理
系統(tǒng)利用一個寬頻譜的鹵素燈作為光源，反射光被特別設計的積分球收集并探測，積分球通過光纖與一個高精度光譜儀連接。不管樣品表面是絨面還是拋光面，所有的反射光和散射光都會被收集測量，整體光譜反射率的值及變動情況可以用來管控硅片的制絨工藝，同時可以測量出鍍膜硅片的總的反射損失。通過標準邏輯運算，可計算出在不同顏色空間的顏色值，如Lab，xyY顏色空間等。

薄膜的上表面和下表面反色光由于相位不同而發(fā)生干涉，干涉光譜的頻率與膜厚是成正比的。這種現(xiàn)象用來計算硅片的膜厚。的計算方法是通過擬合測量光譜和薄膜理論光譜，使其吻合，計算出薄膜的實際厚度。

系統(tǒng)特點
■ 全波段整體反射率測量
■ 任意波段zui小反射率及對應波長測量
■ 自定義單一波長反射率測量
■ 任意波段平均反射率測量
■ 鍍膜膜層厚度測量
■ 色度計算
■ 集成參考校正片
■ 用戶自定門限設置
■ Goog/Bad指示
■ 手動單軸測試臺
■ 手動全硅片Mapping
■ 測量速度快, <0.8s /點
■ 可以提供第三方認證標片（選項）
■ 裸片和鍍膜片的測量:
-離線
-非接觸式
-靜態(tài)單點測量
■ 測量參數(shù):
-反射率: r（全光譜）
-色度: c（Lab, xyY , ...）
-膜厚 r（鍍膜片）
■ 應用范圍:
-多晶（拋光、粗糙、絨化）
-單晶（拋光、粗糙、絨化）
-125mm×125mm / 156mm×156mm
■ 應用在所有向光制絨工藝
-化學蝕刻（酸/堿）
-RIE（離子反應蝕刻）
■ 操作簡單
-只需點擊測量按鈕，即出測量結果
-手動單軸移動測試臺，可全硅片Mapping
-線性掃描簡單






技術參數(shù)
■ 測量參數(shù): 反射率/膜厚/色度
■ 反射率范圍: 0-*
■ 波長范圍: 380-1070nm
■ siN膜厚: 25-120nm
■ siO膜厚: 35-169nm
■ 反射率精度: ±0.1%
■ 反射率重復性: <0.05%
■ 膜厚精度:±1nm
■ 膜厚重復性: ±0.2nm
■ 色度表達: Lab/xyY/XYZ/Lch
■ 色度精度: x,y 3 σ±0.004/Y3σ±0.5
■ 色度重復性:x,y 3 σ<0.002/Y3σ<0.2
■ 測量光斑: ~8mm
■ 測量速度: 0.8s/點
■ 硅片尺寸: 156mm×156mm/ 125mm×125mm/ 圓形或更小
■ 樣品臺: 310*160mm
■ 環(huán)境溫度: 15-35℃
■ 濕度: <90%
■ 電源: AC100-240;50/60Hz
■ PC要求: WindoP, 2GB RAM, >100GB HDD