專家估計，市場每年對太陽能逆變器的需求大約增長30%；消費者需要更便宜的電子設(shè)備，降低產(chǎn)品成本的一個重要途徑就是提高太陽能逆變器的效率。絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）能夠幫助產(chǎn)品設(shè)計者應(yīng)對他們所面臨的設(shè)計具有更高電路效率和性能的產(chǎn)品的挑戰(zhàn)。這類器件也稱為電導(dǎo)調(diào)制場效應(yīng)晶體管（CMFET），是MOSFET的近親，主要在各種應(yīng)用中用作電源開關(guān)。這些電壓控制的器件在市場上隨處可見，在開關(guān)電源設(shè)備中采用合適的IGBT代替類似的MOSFET器件能夠提高能效，降低產(chǎn)品成本。

一些供應(yīng)商的產(chǎn)品及其廣泛應(yīng)用

例如，安森美半導(dǎo)體公司提供了將近20種不同型號的IGBT，用于電子汽車點火、燃料加注系統(tǒng)和其他一些需要控制高電流和高電壓開關(guān)的應(yīng)用。該公司的產(chǎn)品特點是廣泛采用集成ESD和過電壓保護的單片集成電路。英飛凌公司針對高頻電源開關(guān)應(yīng)用提供了幾款高速IGBT產(chǎn)品。該公司的TrenchStop IGBT 具有較低的飽和電壓、較高的溫度穩(wěn)定性和很低的傳導(dǎo)損耗，適用于電機驅(qū)動應(yīng)用。這類晶體管的動態(tài)開關(guān)特性降低了關(guān)斷過程的能量損耗，減少了電磁干擾。ST Microelectronics公司制造的條狀PowerMESH IGBT 適用于電機驅(qū)動、電子汽車點火、遮光器、高頻電子鎮(zhèn)流器、焊接設(shè)備、不間斷電源和家用電器等領(lǐng)域。這些300～1200V的晶體管具有很低的壓降，適用于更的產(chǎn)品設(shè)計。該公司的V系列IGBT瞄準的是快速、高頻的應(yīng)用，提供了附帶和不帶續(xù)流二極管兩種配置。
 

Microsemi公司推出了十幾款支持600V和1200V電壓的IGBT。該公司的IGBT 產(chǎn)品支持硬開關(guān)和軟開關(guān)。這些IGBT主要瞄準的是焊接設(shè)備、電感加熱器以及電信和醫(yī)療電子等應(yīng)用。Microsemi 公司的DL 系列提供了超軟的恢復(fù)二極管，能夠減少電磁干擾，減少傳導(dǎo)功率損耗，減少或取消原來需要使用的緩沖器。Microsemi 的Power MOS8 IGBT支持600V和900V的電壓，針對工業(yè)設(shè)備、電池充電器和太陽能逆變器等應(yīng)用提供了穿通技術(shù)。

的場截止溝道技術(shù)

飛兆半導(dǎo)體公司研究了各種適用于不同應(yīng)用的IGBT技術(shù)。例如，他們推出的場截止溝道式（FieldStopTrench）IGBT采用了的場截止結(jié)構(gòu)和溝道柵單元設(shè)計，具有高速開關(guān)和低飽和電壓的特點。支持600V和1200V電壓的這類晶體管適用于不間斷電源、太陽能逆變器以及微波爐和感應(yīng)加熱類的應(yīng)用。它們能夠幫助電子設(shè)計人員減少傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，實現(xiàn)*的效率。飛兆半導(dǎo)體公司所有*的IGBT技術(shù)都經(jīng)過了專門的優(yōu)化，能夠減少漂移電阻，溝道柵結(jié)構(gòu)消除了器件中MOSFET 部分的寄生JFET電阻。與傳統(tǒng)的NPT 溝道IGBT 器件相比，飛兆半導(dǎo)體的FGA20N120FTD可減小25%的傳導(dǎo)損耗、8%的開關(guān)損耗。

它們不僅提高了設(shè)備的能效，而且大大降低了系統(tǒng)的工作溫度。因此，使用這類IGBT的應(yīng)用對冷卻的要求較低，從而進一步減少了功耗，提高了效率和可靠性。這些晶體管還采用了零電壓開關(guān)（ZVS）技術(shù)，內(nèi)置了快速恢復(fù)二極管（FRD），這也有利于提高產(chǎn)品的可靠性。飛兆憑借其*的場截止技術(shù)，提供了緊密的參數(shù)分布，增強了抗雪崩擊穿的能力，能夠在雪崩工作模式下保持一致的性能，減少器件失效。這些器件都采用了長壽命設(shè)計，是高性能、低開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗應(yīng)用的理想選擇。在當前普遍呼喚節(jié)能的市場上，電子設(shè)計者必須關(guān)注高能效器件，關(guān)鍵是要針對不同的應(yīng)用選擇合適的IGBT。無論你的產(chǎn)品需求如何，市場上總有一款晶體管能夠滿足要求。（end）