SiC 碳化硅功率器件溫度測(cè)試
應(yīng)用于 AI 人工智能, 新能源, 電動(dòng)汽車(chē), 消費(fèi)電子等領(lǐng)域的 SiC 碳化硅功率器件是一種新型的半導(dǎo)體器件, 具有高溫, 高頻, 高壓等優(yōu)異特性. 為確保 SiC 碳化硅功率器件的性能和質(zhì)量, 需要進(jìn)行全面的測(cè)試和分析. 上海伯東美國(guó) inTEST 高低溫沖擊熱流儀, 兼容各類(lèi)半導(dǎo)體測(cè)試儀器, 為 SiC 碳化硅功率器件的溫度測(cè)試提供解決方案.

SiC 碳化硅功率器件的溫度測(cè)試主要包含以下幾個(gè)方面：?
1. 靜態(tài)測(cè)試: 靜態(tài)測(cè)試一般指電壓, 電流, 功率和溫度等方面的測(cè)試. 溫度測(cè)試用于評(píng)估 SiC 碳化硅器件在通電使用, 帶溫環(huán)境下的工作穩(wěn)定性, 確保其能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作

2. 可靠性測(cè)試: 可靠性測(cè)試主要包括壽命測(cè)試, 溫度循環(huán)測(cè)試和濕熱循環(huán)測(cè)試等方面. 包括 AEC-Q10,? AQG-324 和 JEDEC-JC70 等標(biāo)準(zhǔn). 這些標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了從高溫反向偏置 HTRB, ?高溫柵極偏置 HTGB, ?溫度循環(huán) TC 到高濕高溫反向偏壓 H3TRB 等多種測(cè)試類(lèi)型, 以確保 SiC 碳化硅器件的質(zhì)量和可靠性. 溫度循環(huán)測(cè)試用于模擬 SiC 碳化硅器件在不同溫度下的工作情況, 以評(píng)估其在溫度變化環(huán)境下的穩(wěn)定性.

3. 極限能力測(cè)試: 極限能力測(cè)試主要包括耐壓測(cè)試, 耐電流測(cè)試和耐溫度測(cè)試等方面. 耐溫度測(cè)試用于評(píng)估器件在惡劣溫度條件下的穩(wěn)定性, 對(duì) SiC 碳化硅器件進(jìn)行高低溫沖擊測(cè)試, 確保其在溫度環(huán)境下的可靠性.

上海伯東美國(guó) inTEST 熱流儀兼容市面上各類(lèi)半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)平臺(tái), 完成再電測(cè)試下的各類(lèi)測(cè)試. 通過(guò)對(duì) SiC 碳化硅器件的關(guān)鍵性能進(jìn)行全面測(cè)試和分析, 確保器件的性能和質(zhì)量, 這也為 SiC 器件的研發(fā)和改進(jìn)提供了重要的技術(shù)支持.

inTEST 熱流儀可與愛(ài)德萬(wàn) advantest, 泰瑞達(dá) teradyne, 惠瑞捷 verigy, 是德 keysight 等聯(lián)用, 進(jìn)行 SiC 碳化硅功率器件溫度沖擊測(cè)試 Thermal shock 和溫度循環(huán)測(cè)試 Thermal cycle.

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美國(guó) inTEST ThermoStream 系列高低溫沖擊熱流儀, 溫度沖擊范圍 -100 ℃ 至+ 300 ℃, 防靜電設(shè)計(jì), 不需要 LN2 或 LCO2 冷卻, 溫度顯示精度: ±1℃, 通過(guò) NIST 校準(zhǔn). 通過(guò) ISO 9001, CE, RoHS 認(rèn)證. inTEST 熱流儀提供適用于 RF 射頻, 微波, 電子, 功率器件, 通信芯片等溫度測(cè)試, 滿(mǎn)足芯片特性和故障分析的需求. 上海伯東是美國(guó) inTEST 中國(guó)總代理.

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