代理英飛凌BSM200GB120DLC兩單元IGBT模塊型號(hào):BSM200GB120DLC
廠家:英飛凌（原EUPEC） 
  電力電子器件的發(fā)展經(jīng)歷了晶閘管（SCR）、可關(guān)斷晶閘管（GTO）、晶體管（BJT）、絕緣柵晶體管（IGBT）等階段。目前正向著大容量、高頻率、易驅(qū)動(dòng)、低損耗、模塊化、復(fù)合化方向發(fā)展，與其他電力電子器件相比，IGBT具有高可靠性、驅(qū)動(dòng)簡單、保護(hù)容易、不用緩沖電路和開關(guān)頻率高等特點(diǎn)，為了達(dá)到這些高性能，采用了許多用于集成電路的工藝技術(shù)，如外延技術(shù)、離子注入、精細(xì)光刻等。要提高功率MOSFET的耐壓能力，勢必增加高導(dǎo)通電阻，從而妨礙器件在高電壓、大電流范圍的應(yīng)用。針對(duì)這些缺陷，20世紀(jì)80年代誕生了功率IGBT（絕緣柵雙極晶體管）器件，20世紀(jì)90年代初進(jìn)入實(shí)用化。近幾年來，功率IGBT的性能提高很快，額定電流已達(dá)數(shù)百安培，耐壓達(dá)1500V以上，BSM200GB120DLC而且還在不斷提高。由于IGBT器件具有PIN二極管的正向特性，P溝功率IGBT的特性不比N溝IGBT差多少，這非常有利于在應(yīng)用中采取互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，從而擴(kuò)大其在交流和數(shù)字控制技術(shù)領(lǐng)域中的應(yīng)用。
    目前，應(yīng)用在中壓大功率領(lǐng)域的電力電子器件，已形成GTO、IGCT、OGBT、IEGT相互競爭不斷創(chuàng)新的技術(shù)市場，在大功率（1MW），低頻率（1kHz）的傳動(dòng)領(lǐng)域，如電力牽引機(jī)車領(lǐng)域GTO、IGCT有著*的優(yōu)勢，而在高載波頻率、高斬波頻率下,IGBT、IEGT有著廣闊的發(fā)展前景，在現(xiàn)階段中壓大功率變頻領(lǐng)域?qū)⒂蛇@4種電力電子器件構(gòu)成其主流器件。
    IGBT BSM200GB120DLCzui大的優(yōu)點(diǎn)是無論在導(dǎo)通狀態(tài)還是短路狀態(tài)都可以承受電流沖擊。它的并聯(lián)不成問題，由于本身的關(guān)斷延遲很短，其串聯(lián)也容易。盡管IGBT模塊在大功率應(yīng)用中非常廣泛，但其有限的負(fù)載循環(huán)次數(shù)使其可靠性成了問題，其主要失效機(jī)理是陰極引線焊點(diǎn)開路和焊點(diǎn)較低的疲勞強(qiáng)度，另外,絕緣材料的缺陷也是一個(gè)問題。