InGaAsAPD光電探測(cè)器

四川火狐公司提供的新一代高性能紫外、可見光、紅外光電探測(cè)器和組件，服務(wù)于商用，軍事/航空，醫(yī)療，和消費(fèi)類市場(chǎng)。產(chǎn)品分類：

一、InGaAsAPD/PIN光電探測(cè)器：

1、InGaAsAPD光電探測(cè)器：（900nm-1700nm）高質(zhì)量陶瓷以及光纖封裝。典型應(yīng)用于通信，數(shù)據(jù)傳輸，人眼安全激光測(cè)距機(jī)等。
型號(hào)：C30644E、C30645E、C30733、C30662E

2、InGaAsPIN（小面積）光電探測(cè)器：（900nm-1700nm）高質(zhì)量陶瓷以及光纖封裝。典型應(yīng)用于通信，數(shù)據(jù)傳輸，儀表等。
型號(hào)：C30616E、C30637E

3、InGaAsPIN（大面積）光電探測(cè)器：（900nm-1700nm）高質(zhì)量窗口以及光纖封裝。典型應(yīng)用于光功率表，人眼安全激光通信，儀表等。
型號(hào)：C30619G、C30641G、C30665G、C30723G

4、InGaAsPIN（大面積）擴(kuò)展波長(zhǎng)光電探測(cè)器：（1um-2.5um）高質(zhì)量陶瓷封裝，提供不帶制冷器、一級(jí)制冷器和二級(jí)制冷器三種封裝的產(chǎn)品。典型應(yīng)用于非破壞性檢查，水汽測(cè)量，生物化學(xué)應(yīng)用，環(huán)境監(jiān)控等，需要相關(guān)資料，請(qǐng)咨詢。

二、SiliconAPD光電探測(cè)器：

1、SiliconAPD標(biāo)準(zhǔn)雪崩管：（400nm-1100nm）密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于熒光探測(cè)，小信號(hào)快速探測(cè)，LIDAR，光子計(jì)數(shù)，數(shù)據(jù)傳輸，儀表，自適應(yīng)光學(xué)，共焦微透鏡等。
型號(hào)：C30817E、C30872E、C30902E、C30916E

2、SiliconAPD光電探測(cè)器陣列：（400nm-1100nm）密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于LIDAR，分光鏡，粒子探測(cè)，自適應(yīng)光學(xué)，跟蹤系統(tǒng)等。
型號(hào)：四象限陣列C30927E、線性陣列C30985E

3、SiliconAPD低價(jià)格光電探測(cè)器：（400nm-1100nm）大量，低價(jià)格探測(cè)器。典型應(yīng)用于激光測(cè)距，防碰撞系統(tǒng)等。
型號(hào)：低增益C30724、高增益C30737E

4、SiliconAPD熱電致能型光電探測(cè)器：（400nm-1100nm）帶一級(jí)或者兩級(jí)熱電致冷器，冷卻APD，減少小信號(hào)探測(cè)時(shí)的熱噪聲，內(nèi)部集成的熱電阻用來(lái)溫度監(jiān)控以及致冷器控制。典型應(yīng)用于小信號(hào)熒光探測(cè)，光子計(jì)數(shù)，快速或者微弱信號(hào)探測(cè)，自適應(yīng)光學(xué)等。型號(hào)：C30902S-TC,C30902S-DTC

5、SiliconAPD近紅外增強(qiáng)型（1.064um）光電探測(cè)器：密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于LIDAR，紅外激光測(cè)距，熒光探測(cè)，快速或者小信號(hào)探測(cè)。
型號(hào)：C30954E，C30955E，C30956E

6、SiliconAPD光纖耦合型光電探測(cè)器：光纖耦合封裝。典型應(yīng)用于光纖數(shù)據(jù)傳輸，遠(yuǎn)程光傳感器，小信號(hào)探測(cè)等。
型號(hào)：C30921

7、SiliconAPD輻射探測(cè)器：大光敏面積，平板封裝。典型應(yīng)用于直接探測(cè)光，x-Rays,電子的輻射。
型號(hào)：C30626，C30703

三、SiliconPIN光電探測(cè)器：

1、SiliconPIN窗口以及光纖封裝光電探測(cè)器：（400nm-1100nm）高速，P型設(shè)計(jì)。典型應(yīng)用于快速激光脈沖探測(cè)，光纖通訊，儀表等。
型號(hào)：C30971

2、SiliconPIN大面積光電探測(cè)器：（400nm-1100nm）高質(zhì)量，高速度，N型設(shè)計(jì)，密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于激光探測(cè)系統(tǒng)，快速脈沖探測(cè)，儀表等。
型號(hào)：FFD-100、FFD-200

3、SiliconPIN四象限光電探測(cè)器：（220nm-1100nm）N型設(shè)計(jì)，密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于光斑位置跟蹤，測(cè)量脈沖激光或者連續(xù)激光x-軸和y-軸的方向。
型號(hào)：C30845E、UV-140BQ-4、YAG-444-4A

4、SiliconPIN標(biāo)準(zhǔn)N型光電探測(cè)器：（400nm-1100nm）密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于激光探測(cè)系統(tǒng)，光度計(jì)，數(shù)據(jù)傳輸，儀表等。
型號(hào)：C30807E、C30808E、C30822E、C30809E、C30810E

5、SiliconPIN紫外增強(qiáng)型光電探測(cè)器：（220nm-1100nm）低噪聲，標(biāo)準(zhǔn)N型設(shè)計(jì)，密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于紫外光表，可見光表，光度計(jì)，熒光探測(cè)，分光鏡，微光探測(cè)傳感器，儀表等。
型號(hào)：UV-040BQ、UV-100BQ、UV-215BQ、UV-140BQ

6、Silicon/Silicon雙色光電探測(cè)器：（400nm-1100nm），DTC系列包括兩個(gè)探測(cè)器，密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于雙波長(zhǎng)功率表，雙色溫度測(cè)量等。
型號(hào)：DTC140

7、SiliconPIN表面貼裝光電探測(cè)器：CFD10、CR10DE、CR50DE、SR10BP、SR10BP-B6、SiliconPIN低帶寬（1kHz-50kHz）光電探測(cè)模塊：（220nm-1100nm）密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于紫外信號(hào)探測(cè)，光度計(jì)等。
型號(hào)：HUV-2000B、HUV-1100BG

8、窄光譜響應(yīng)光電探測(cè)器SR10SPD系列，不需要額外的濾波器，表面貼裝。
型號(hào)：SR10SPD 470-0.9 （ 470nm中心波長(zhǎng)）、SR10SPD 525-0.9 （ 525nm中心波長(zhǎng)）、SR10SPD 880-0.9 （ 880nm中心波長(zhǎng)）

9、SiliconPIN/APD高帶寬（40MHz-100MHz）光電探測(cè)模塊：（400nm-1100nm）密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于激光信號(hào)探測(cè)，儀表等。
型號(hào)：C30608E、C30950E、C30919E

10、Silicon/InGaAs APD高帶寬（50MHz-200MHz）光電探測(cè)模塊：（400nm-1700nm）密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于激光信號(hào)探測(cè)，儀表等。
型號(hào)：C30659-900-R5B、C30659-900-R8A、C30659-1060-R8B、C30659-1060-3A、C30659-1550-R08B、C30659-1550-R2（C30659E-CD2982）

四、SiliconPN硅光電池:

　　VTB系列紫外增強(qiáng)硅光電池（190nm-1100nm），增強(qiáng)光譜從UV（190nm）－NearIR（900nm），高阻抗，低噪聲，低暗電流，適合光電型、弱信號(hào)探測(cè)應(yīng)用。有效探測(cè)面積從1.6mm²— 37.7mm²。封裝型式包括TO-46、TO-18、TO-5、TO-8封裝，石英和紫外窗口陶瓷封裝。典型應(yīng)用：紫外、可見、紅外分光光度計(jì)、生化分析儀、驗(yàn)鈔機(jī)、紫外曝光表、紫外水質(zhì)凈化、熒光探測(cè)，以及其它分光鏡應(yīng)用。

        VTP系列，VTS系列硅光電池探測(cè)器，低價(jià)格，*的光電流線性，快速響應(yīng)時(shí)間，探測(cè)可見光以及近紅外光源，例如LED，氖燈，熒光燈，NIR激光管，火焰，陽(yáng)光以及其它光源。典型應(yīng)用：NIR傳感器，醫(yī)療紅外傳感器，紅外安全設(shè)備，工業(yè)用紅外傳感器，紅外接近傳感器，紅外激光探測(cè)器。

        VTA系列硅光電池探測(cè)器陣列，64單元。

五、波長(zhǎng)傳感器（450－900nm），可準(zhǔn)確檢測(cè)確定單色激光或者LEDS光源的單色光的波長(zhǎng)，與其他同類產(chǎn)品不同的是，其輸出不受所測(cè)光線強(qiáng)度的影響，光譜分辨率：0.01nm。

六、紅外光電探測(cè)器（探測(cè)器類型Silicon-Germanium-InGaAs-exInGaAs-InAs-InSb-PbS-PbSe-HgCdTe），能夠靈敏探測(cè)在0.2-40+microns波長(zhǎng)范圍內(nèi)的紅外光,以其在長(zhǎng)波長(zhǎng)方面的高靈敏度和快速探測(cè)，具有*的優(yōu)勢(shì)。這些探測(cè)器工作在室溫或者TE-Cooled情況下，各種TO類型封裝。典型應(yīng)用：脈沖、調(diào)制和連續(xù)CO2激光輻射探測(cè)和監(jiān)控，外差式檢波探測(cè)，2to12µm低頻和高頻調(diào)制輻射探測(cè)，激光測(cè)量，激光預(yù)警接收器，激光雷達(dá)、激光測(cè)距和激光通訊，追蹤、定位系統(tǒng)，行掃描儀，快速多色高溫計(jì)，紅外分光光度計(jì)，熱成像掃描儀，遙感，氣體分析，火焰探測(cè)器，人體探測(cè)等。

　　如果需要硅（Si）、鍺（Ge）、銦稼砷（InGaAs）、硫化鉛（PbS）、硒化鉛（PbSe）、銻鎘汞（HgCdTe）等探測(cè)器的相關(guān)資料，請(qǐng)隨時(shí)！

七、：

：王永貴
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