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Diodes公司推出一對(duì)雙N通道增強(qiáng)型MOSFET DMN2014LHAB及DMN2011UFX，為電池充電電路提供緊湊型雙向低損耗開關(guān)。新產(chǎn)品的目標(biāo)終端市場(chǎng)包括智能手機(jī)、平板電腦、照相機(jī)和媒體播放器等便攜式產(chǎn)品使用的單芯及雙芯鋰電池充電器。
DMN2014LHAB及DMN2011UFX為雙共汲極配置MOSFET，在啟動(dòng)后可驅(qū)動(dòng)雙向電流充電或工作使用;在關(guān)斷后則通過防止過度充電或漏電流過量來保護(hù)電池。DMN2014LHAB及DMN2011UFX具有20V的擊穿電壓額定值，還分別配備少于13mΩ和9.5mΩ的低導(dǎo)通電阻，可在正常工作下降低電池功耗。zui高達(dá)80A的峰值電流使開關(guān)在保護(hù)電路啟動(dòng)前就能簡(jiǎn)單解決短路問題，少于1V的低柵極閾值電壓則確保器件能夠在低至1.8V驅(qū)動(dòng)電壓下正常工作。
DMN2014LHAB采用2mmx3mmDFN2030微型封裝，DMN2011UFX則采用2mmx5mmDFN2050封裝，為設(shè)計(jì)人員提供外形小巧的解決方案，從而利用省下來的空間來存放額外的電芯，并提高電池容量。兩款產(chǎn)品均以三千個(gè)為出貨批量。
DMN2014LHAB及DMN2011UFX為雙共汲極配置MOSFET，在啟動(dòng)后可驅(qū)動(dòng)雙向電流充電或工作使用;在關(guān)斷后則通過防止過度充電或漏電流過量來保護(hù)電池。DMN2014LHAB及DMN2011UFX具有20V的擊穿電壓額定值，還分別配備少于13mΩ和9.5mΩ的低導(dǎo)通電阻，可在正常工作下降低電池功耗。zui高達(dá)80A的峰值電流使開關(guān)在保護(hù)電路啟動(dòng)前就能簡(jiǎn)單解決短路問題，少于1V的低柵極閾值電壓則確保器件能夠在低至1.8V驅(qū)動(dòng)電壓下正常工作。
DMN2014LHAB采用2mmx3mmDFN2030微型封裝，DMN2011UFX則采用2mmx5mmDFN2050封裝，為設(shè)計(jì)人員提供外形小巧的解決方案，從而利用省下來的空間來存放額外的電芯，并提高電池容量。兩款產(chǎn)品均以三千個(gè)為出貨批量。
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