DRAM和NANDFlash微縮制程逼近極限，業(yè)界認(rèn)為次世代記憶體“磁電阻式隨機(jī)存取記憶體”(MRAM)、“可變電阻式記憶體”(ReRAM)可能即將現(xiàn)身，要以更快的存取速度橫掃市場(chǎng)。
　　
　　韓媒BusinessKorea16日?qǐng)?bào)導(dǎo)，南韓半導(dǎo)體業(yè)者指出，16奈米將是DRAM微縮制程的zui后極限，10奈米以下制程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無法縮減，也可能不適合采用高介電常數(shù)(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM因此備受期待，認(rèn)為可以取代DRAM和NANDFlash，業(yè)者正全力研發(fā)。
　　
　　兩種新記憶體都是非揮發(fā)性記憶體，切斷電源后資料也不會(huì)消失，速度比現(xiàn)行記憶體快上數(shù)十倍到數(shù)百倍之多，由于內(nèi)部構(gòu)造較為簡(jiǎn)單，理論上未來微縮制程也有較大發(fā)展空間。其中MRAM采用磁阻效應(yīng)(Magnetoresistance)技術(shù)，研發(fā)業(yè)者有SK海力士(SKHynix)、東芝(Toshiba)。ReRAM則靠著絕緣體的電阻變化，區(qū)別0和1，外界認(rèn)為或許能取代NAND型快閃記憶體(NANDFlash)。
　　
　　日經(jīng)新聞2014年1月1日?qǐng)?bào)導(dǎo)，東芝（Toshiba）將攜手南韓海力士（SKHynix）預(yù)定2016年度量產(chǎn)大幅提高智慧型手機(jī)性能的次世代記憶體“磁電阻式隨機(jī)存取記憶體（MagnetoresistiveRandomAccessMemory；MRAM）”，量產(chǎn)時(shí)間將比美國(guó)美光科技（MicronTechnology）所計(jì)畫的2018年提前了約2年時(shí)間。
　　
　　MRAM研發(fā)可分為三大陣營(yíng)，除了上述的東芝/SK海力士之外，三星電子也正進(jìn)行研發(fā)，而美光則和東京威力科創(chuàng)（TokyoElectron）等20家以上日美半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)進(jìn)行合作，希望于2016年度確立MRAM的量產(chǎn)技術(shù)、之后并計(jì)劃2018年透過美光子公司爾必達(dá)（Elpida）的廣島工廠進(jìn)行量產(chǎn)。
　　
　　MarketRealist去年4月28日?qǐng)?bào)導(dǎo)，美光科技(MicronTechnology)和Sony在固態(tài)電路研討會(huì)(InternationalSolid-StateCircuitsConference)上表示，正透過27奈米制程，開發(fā)16-Gbit的ReRAM；Sony預(yù)定2015年量產(chǎn)ReRAM晶片。專家表示，三星(Samsung)應(yīng)該也在研發(fā)包括ReRAM的次世代儲(chǔ)存科技。