電力電子技術(shù)的發(fā)展
　　我國20 世紀(jì)80 年代以前的靜止變頻技術(shù)由于受到電力電子器件技術(shù)的影響，一直處于停滯不前的狀態(tài)，各個(gè)行業(yè)感應(yīng)加熱用中頻電源基本上使用中頻變頻電機(jī)供電。隨著20 世紀(jì)90 年代初電力電子器件的發(fā)展，目前國內(nèi)中頻電機(jī)組正呈被淘汰的格局，靜止變頻設(shè)備開始大量使用，特別是在音頻、超音頻領(lǐng)域，表現(xiàn)更為明顯。80 年代、90 年代，國內(nèi)靜止變頻基本上采用晶閘管作為功率開關(guān)元件，工藝水平基本上以8KC為上限。到2000 年，國內(nèi)開始出現(xiàn)采用IGBT作為功率開關(guān)器件的變頻技術(shù)，工作頻率可達(dá)20KC，功率可達(dá)300KW。目前國內(nèi)已出現(xiàn)50KC、100KW 的全固態(tài)電源，可以說靜止變頻技術(shù)目前國內(nèi)處于高速發(fā)展的階段。
晶閘管的使用與保護(hù)
　　晶閘管是晶體閘流管的簡稱，它是具有PNPN 四層結(jié)構(gòu)的各種開關(guān)器件的總稱。按照電工委員會（IEC）的定義，晶閘管指那些具有3 個(gè)以上的PN 結(jié)，主電壓——電流特征至少在一個(gè)象限內(nèi)具有導(dǎo)通、阻斷兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，且可在這兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體器件。我們通常說的晶閘管是其中之一，統(tǒng)稱可控硅（Silicon Controlled Rectifier），主要有普通晶閘管（KP）、快速晶閘管（KK）、高頻晶閘管（KG）、可控硅 target=_blank>雙向可控硅、門極可關(guān)斷晶閘管（GTO——GateTurn Off Thyristor）和光控晶閘管（LTT——LightTriggered Thristor）等。
晶閘管的應(yīng)用
　　由于技術(shù)上的原因，單個(gè)晶閘管的電壓、電流容量是有限的，往往不能滿足大功率應(yīng)用的要求，為了解決這個(gè)問題，必須采用兩個(gè)或更多晶閘管的串、并聯(lián)工作方式。由于工藝條件的限制，晶閘管本身的特性參數(shù)存在差異，在晶閘管串、并聯(lián)工作時(shí)，必須采取嚴(yán)格的措施，使電流電壓差異限制在允許的范圍之內(nèi)，以保證各個(gè)晶閘管可靠工作。
晶閘管的串聯(lián)
　　通常使用兩只晶閘管串聯(lián)工作以解決單只晶閘管耐壓不足的問題。這就需要解決晶閘管的工作電壓平均分配問題， 包括靜態(tài)均壓與動態(tài)均壓。靜態(tài)均壓可采用無感電阻串聯(lián)分壓的方式解決;動態(tài)均壓比較復(fù)雜，這是因?yàn)椋涸?shù)dv/dt 的差異以及反向恢復(fù)時(shí)間的差異導(dǎo)致開通與關(guān)斷過程中元件承受的電壓分配不均，情況可使支路電壓全部加在一只晶閘管上。這一問題可采用并聯(lián)電容以限制dv/dt，但是，實(shí)際上元件開通過程中電容通過元件放電影響di/dt，通常又在電容上串聯(lián)電阻，形成RC 阻容吸收均壓電路。為限制支路上的浪涌電流，通常在支路上串聯(lián)飽和電感或磁環(huán)，這樣就構(gòu)成了如圖所示的電路結(jié)構(gòu)。

晶閘管的并聯(lián)
　　由于單個(gè)元件耐壓水平的提高，每個(gè)元件并聯(lián)工作以增大設(shè)備功率的情形更常見，以兩只晶閘管并聯(lián)工作為例，如圖二所示。

　　理想情況下電流分布，I1=I2=I/2，但是由于元件參數(shù)的差異，比如飽和導(dǎo)通壓降的差異，di/dt的差異，電路安裝時(shí)工藝上的細(xì)微差別造成分布電感上差異等，直接導(dǎo)致I1≠I2，嚴(yán)重時(shí)將使電流較大的元件因過流而燒毀，因此必須采取措施保證I1 與I2 的差別在允許的范圍內(nèi)。
　　通常采取的辦法是：1）采用共軛電感，以保證動態(tài)均流;2）并聯(lián)RC 電路以吸收浪涌電壓;3）盡量選用通態(tài)壓降一致的晶閘管并聯(lián)工作;4）嚴(yán)格安裝工藝，保證各支路分布電感盡量一致，如圖三所示

　　以上所述的保護(hù)措施要根據(jù)元件工作頻率的不足區(qū)別對待，在三相整流電路中，通常在電源端增設(shè)△形RC 濾波器。
　　由于晶閘管自身特性參數(shù)的原因，其極限工作頻率一般限制在8KC 以下，對于更高頻率的使用要求，目前國內(nèi)已經(jīng)出現(xiàn)采用IGBT 作為功率開關(guān)元件的超音頻電源。
IGBT 的使用與保護(hù)
　　絕緣柵雙極晶體管（IGBT 或IGT — Insulated Gate Bipolar Transistor），是80 年代中期發(fā)展起來的一種新型復(fù)合器件。IGBT 綜合了MOSFET 和GTR 的優(yōu)點(diǎn)，因而具有良好的特性。目前IGBT 的電流/電壓等級已達(dá)1800A/1200V，關(guān)斷時(shí)間已經(jīng)縮短到40ns，工作頻率可達(dá)40kHz，擎住現(xiàn)象得到改善，安全工作區(qū)（SOA）擴(kuò)大。這些*的性能使得IGBT 稱為大功率電源 target=_blank>開關(guān)電源、逆變器等電力電子裝置的理想功率器件。IGBT 的驅(qū)動方式與可控硅有著明顯的不同，導(dǎo)致控制電路有著很大的差異。可控硅采用強(qiáng)上升沿的窄脈沖信號驅(qū)動，而IGBT 采用方波驅(qū)動。
IGBT 對柵極驅(qū)動電路的要求
　　IGBT 的靜態(tài)和動態(tài)特性與柵極驅(qū)動條件密切相關(guān)。柵極的正偏壓+VGE、負(fù)偏壓-VGE 和柵極電阻RG 的大小，對IGBT 的通態(tài)電壓、開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗，承受短路能力以及dvce/dt 等參數(shù)都有不同程度的影響。
　　柵極驅(qū)動電路提供給IGBT 的正偏壓+VGE使IGBT 導(dǎo)通。在實(shí)際應(yīng)用中，綜合該電壓對開通時(shí)間、開通損耗以及器件在短路時(shí)承受短路電流時(shí)間等方面的因素，通常使用+15V。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT 的負(fù)偏壓-VGE使其關(guān)斷。它直接影響IGBT 的可靠運(yùn)行，為了防止IGBT 產(chǎn)生動態(tài)擎住現(xiàn)象，柵極負(fù)偏壓應(yīng)為-5V 或更低一些的電壓，負(fù)偏壓的大小對關(guān)斷時(shí)間損耗的影響不大。
　　此外，柵極驅(qū)動電壓必須有足夠快的上升和下降速度，使IGBT 盡快開通和關(guān)斷，以減少開通和關(guān)斷損耗。在器件導(dǎo)通后，驅(qū)動電壓和電流應(yīng)保持足夠的幅度，保證IGBT 處于飽和狀態(tài)。由于IGBT 多用于高電壓、大電流場合，信號控制電路與驅(qū)動電路之間應(yīng)采用抗*力強(qiáng)、信號傳輸時(shí)間短的高速光電隔離器件加以隔離。為了提高抗*力，應(yīng)采用驅(qū)動電路到IGBT 模塊的引線盡可能短、引線為雙膠線或屏蔽線等措施。
IGBT 的保護(hù)措施
　　由于IGBT 具有*的輸入阻抗，容易造成靜電擊穿，將IGBT 用于電力變換時(shí)，為了防止異?，F(xiàn)象造成器件損壞，通常采用下列保護(hù)措施：
　　1）通過檢出的過電流信號切斷柵極信號，實(shí)現(xiàn)過電流保護(hù);
　　2）利用緩沖電路抑制過電壓，并限制過高的dv/dt;
　　3）利用溫度傳感器檢測IGBT 的外殼溫度，當(dāng)超過允許溫度時(shí)主電路跳閘，實(shí)現(xiàn)過熱保護(hù)。由于IGBT 具有正溫度系數(shù)和良好的并聯(lián)工作特性，IGBT 多采用多只元件并聯(lián)工作，主電路除對稱性外，無其他特殊要求。
　　從目前的使用情況看，采用IGBT 作為開關(guān)元件的靜止電源 target=_blank>變頻電源的故障率明顯較低，元器件損壞的較少，維修費(fèi)用也較低，是靜止變頻技術(shù)新的發(fā)展方向。