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安森美半導(dǎo)體電源分立分部副總裁兼總PaulLeonard說:“GaN晶體管為開關(guān)電源和其它在能效及功率密度至關(guān)重要的應(yīng)用帶來了性能飛躍。隨著更多工程師熟悉氮化鎵器件的優(yōu)勢(shì),基于GaN的產(chǎn)品需求將快速增長(zhǎng)。安森美半導(dǎo)體和Transphorm正工作于新的發(fā)展前沿,并加速市場(chǎng)的廣泛采納。”
兩款新品NTP8G202N(TPH3202PS)和NTP8G206N(TPH3206PS),導(dǎo)通阻抗典型值為150mΩ和290mΩ,采用優(yōu)化的TO-220封裝,易于根據(jù)客戶現(xiàn)有的制板能力而集成。兩款600V產(chǎn)品均已使用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證并在量產(chǎn)。
NCP1397GANGEVB(TDPS250E2D2)評(píng)估板為客戶提供完整的參考設(shè)計(jì),以實(shí)現(xiàn)和評(píng)估他們的電源設(shè)計(jì)中的GaN共源共柵晶體管。該評(píng)估板為客戶提供比使用傳統(tǒng)器件的電源更小的占位面積和更高的能效。升壓段提供98%的能效并采用NCP1654功率因數(shù)校正控制器。LLCDC-DC段使用NCP1397諧振模式控制器提供97%的滿載能效。這性能在以200+千赫茲(kHz)運(yùn)行時(shí)實(shí)現(xiàn),而且顯然也能滿足EN55022的B類電磁兼容(EMC)性能。完整的文檔請(qǐng)從安森美半導(dǎo)體獲取。
蒞臨安森美半導(dǎo)體在201PEC的407展臺(tái)(Transphorm–1317展臺(tái))觀看關(guān)于GaN器件以及新的電流模式LLC電源和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的演示。
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IOTE 2025國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)展·上海站
展會(huì)城市:上海市展會(huì)時(shí)間:2025-06-18