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全新的Gen8組件提供從8A到高達60A的電流額定值,加上1.7V典型VCE(ON)和10µs短路額定值,能夠減少功耗,有效增加功率密度并帶來的耐用性。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR通過開發(fā)全新基準技術及*的IGBT硅平臺,彰顯其數(shù)十年來致力提升功率電子技術的承諾。我們期望為所有電動馬達實現(xiàn)變頻,從而更有效地使用電能,并且綠化環(huán)境。”
新技術為電機驅(qū)動應用提供更理想的軟關斷功能,通過盡量降低dv/dt來減少電磁干擾和過壓情況,有助于提升可靠性及耐用性。該平臺的參數(shù)分布狹窄,在進行多個IGBT并聯(lián)時便可帶來出色的電流分配。薄晶圓技術則改善了熱阻,還可達到175°C的zui高結(jié)溫。
潘大偉指出:“IR的Gen8IGBT平臺旨在為工業(yè)應用提供的技術。該IGBT平臺憑借*的VCE(ON)、的耐用性及*的開關功能,使工業(yè)市場所面臨的難題迎刃而解。”
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