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全新75VStrongIRFET功率MOSFET系列配備可提升低頻應(yīng)用性能的超低導(dǎo)通電阻(RDS(on))、*的載流能力、軟體二極管,以及有助于提高抗噪性的3V典型閥值電壓。該系列的每款器件都*通過(guò)業(yè)界zui高雪崩電流級(jí)別的雪崩測(cè)試,能夠?yàn)橐髧?yán)格的工業(yè)應(yīng)用提供zui堅(jiān)固耐用的解決方案。新組件都采用穿孔式封裝。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR的75VStrongIRFET器件系列具有超低導(dǎo)通電阻,而且*通過(guò)嚴(yán)格的行業(yè)級(jí)雪崩測(cè)試,以確保產(chǎn)品堅(jiān)固耐用。新組件提供基準(zhǔn)性能MOSFET以供選擇,旨在為工業(yè)市場(chǎng)作出優(yōu)化。”
規(guī)格
采用穿孔式封裝的75VStrongIRFET
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2025中國(guó)(福州)工業(yè)博覽會(huì)
展會(huì)城市:福州市展會(huì)時(shí)間:2025-07-04