在采用IR的COOLiRFET™40V溝道技術(shù)的車用5x6mm雙PQFN功率MOSFET產(chǎn)品系列中,AUIRFN8459和AUIRFN8458是zui先推出的兩款產(chǎn)品。AUIRFN8459實現(xiàn)了基準性能,即每通道5.9mΩ的超低導通電阻,可承載50A大電流。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“與傳統(tǒng)的DPAK(TO-252)封裝相比,IR的AUIRFN8459和AUIRFN845840V5x6mm雙PQFNCOOLiRFET™器件的體積減小了50%以上,具有超低封裝電阻、電感值和基準導通電阻,十分適合要求率、高功率密度和節(jié)省空間的傳統(tǒng)12V汽車應用,比如電機控制應用。”
與SO-8封裝相比,新型5x6mm雙PQFNCOOLiRFET™器件提供到電路板的低導熱路徑和更高的導熱性能,具有更高的效率和功率密度,以及更低的整體系統(tǒng)成本。
所有IR車用MOSFET產(chǎn)品都遵循IR要求*的汽車質(zhì)量理念,并經(jīng)過了動態(tài)和靜態(tài)器件平均測試及*自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101標準要求器件在經(jīng)過1,000次溫度循環(huán)測試后,導通電阻變化幅度不能超過20%。
新器件符合AEC-Q101標準要求,采用的物料清單環(huán)保、不含鉛,也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS)。
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