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AUIRB24427S在整個(gè)溫度范圍內(nèi)為每個(gè)通道提供超過6A的高輸出電流,用于驅(qū)動(dòng)采用模塊和分立封裝的大尺寸IGBT和MOSFET的柵極。由于該器件在開/關(guān)模式中的輸出阻抗極低,功耗也非常低,因而可以在嚴(yán)苛環(huán)境和高溫環(huán)境中操作,比如在混合動(dòng)力電動(dòng)汽車的電源級(jí)作為初級(jí)側(cè)或次級(jí)側(cè)驅(qū)動(dòng)器。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“AUIRB24427S采用簡(jiǎn)便的PSOIC-8N封裝,具有超低功耗的特點(diǎn),可有效驅(qū)動(dòng)用于大功率開關(guān)電源的大尺寸IGBT和MOSFET,與市場(chǎng)上現(xiàn)有的分立式解決方案相比,可提供更為小巧、簡(jiǎn)便而堅(jiān)固的解決方案。”
AUIRB24427S可用于耐熱增強(qiáng)型PSOIC-8N封裝,與標(biāo)準(zhǔn)的DILSMD封裝相比,它能提供更高的熱耗散性能,便于在更高的環(huán)境溫度里操作。另外,軌到軌輸出級(jí)在高側(cè)使用P溝道MOSFET時(shí),可以實(shí)現(xiàn)內(nèi)部低壓差以減少功耗。在環(huán)境溫度為125℃時(shí),AUIRB24427S的zui大源極/汲極輸出電阻可以達(dá)到650mΩ。
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