摘要：手機晶片大廠高通日前宣布，其RF360射頻(RF)前端系列產(chǎn)品已悉數(shù)問世，并獲得超過十五家原始設備制造商(OEM)用于七十五款行動裝置設計。一旦順利量產(chǎn)商用，將有助擴大CMOSPA在智慧型手機市場的滲透率。
　　
　　高通RF360前端解決方案正式獲中興旗艦級手機GrandSIILTE采用，意味其CMOSPA技術(shù)已可滿足長程演進計劃(LTE)市場的高頻操作性能需求，未來CMOSPA將于支援LTE及LTE-A載波聚合(CA)技術(shù)的行動裝置市場中大行其道，顛覆射頻前端產(chǎn)業(yè)版圖。
　　
　　高通中國臺灣區(qū)行銷總監(jiān)李承洲表示，高通去年雖已發(fā)布RF360前端方案，但僅先推出封包功率追蹤晶片(EnvelopePowerTracker)--QFE1100及可配置天線匹配諧振器(ConfigurableAntennaMatchingTuner)--QFE1510，至今年初整合天線切換器(AntennaSwitch)的CMOSPA問世后，全系列產(chǎn)品才全數(shù)到位。
　　
　　中興的旗艦機GrandSIILTE，系zui先導入完整RF360方案的智慧型手機。此外，目前還有超過十五家OEM、多達七十五款的行動裝置已采用RF360進行導入設計，預計今年下半年或明年相關(guān)終端產(chǎn)品即可陸續(xù)出籠；顯見CMOSPA效能已可滿足LTE市場的高頻操作要求，未來在智慧型手機市場中的能見度將可顯著攀升。
　　
　　據(jù)了解，由于通訊市場頻段需求分歧，高通將CMOSPA分為QFE2320及QFE2340兩種版本；前者支援六個中低頻頻段，后者則支援四個高頻頻段，因此行動裝置制造商可依照產(chǎn)品發(fā)布地區(qū)頻段變化，選擇任一顆導入或同時將兩顆整合至RF360前端方案中。
　　
　　另一方面，QFE2320整合PA與天線切換器的設計可簡化繞線(Routing)、降低前端設計中的RF元件數(shù)，并縮小印刷電路板(PCB)占位面積；至于QFE2340則采用商用化的晶圓級奈米規(guī)格封裝(WaferLevelNanoScalePackage,WLNSP)，整合發(fā)送器/接收器(Transmitter/Receiver)模式切換器。