微軟在其即將推出的Windows Vista操作系統(tǒng)內集成了諸如混合磁盤驅動器和ReadyBoost和ReadyDrive等儲存方案，這表明這些方案和英特爾提出的替代性的Robson技術已走入舞臺*。這些方案均提供低成本、高密度NAND閃存。

    然而，隨著閃存制造商將工藝技術推向小至40nm的特征尺寸，若要獲得高達32Gb的芯片密度，則不得不考慮隨之而來的性能和與結構相關的問題。例如，盡管表面上很相似，同等容量的NAND閃存經常采用不同的內部控制結構。存儲芯片的外部管理依賴于為此存儲器優(yōu)化的特定的控制芯片。這使系統(tǒng)制造商更難以改變供應商以獲得優(yōu)化的成本節(jié)省。

    為了允許處理多供應商芯片，存儲控制器將不得不足夠靈活，對其控制接口加以調整。這徒增了許多控制器芯片設計的人力成本，可能限制控制器處理未來NAND存儲器的能力。作為替代，英特爾與美光共同提出了開放NAND閃存接口（ONFI），被稱為受控NAND。三星開發(fā)了自己的名為MoviNAND方案，在單片封裝內加入了多媒體存儲卡控制器和NAND存儲器。在這些方案中，存儲控制器被集成到NAND存儲芯片或者與之并排，從而為主機系統(tǒng)提供了更標準的接口。

    市場研究公司IDC消費半導體研究分析師IdaRose Sylvester指出，板上NAND需求和手機內對閃存卡的需求將獲得zui大幅度的增長。另外，儲存要求增加對未經*的數(shù)據(jù)侵入實施更大保護。英特爾閃存部工程師John Rudelic表示，閃存易于受到黑客威脅，閃存外部的電路也易被黑掉。

    NOR閃存內標準的模塊鎖閉提供的保護不充分，甚至將關鍵代碼轉移到芯片組片上芯片或引導ROM，這使得保護限制于初始化序列，使剩余的數(shù)據(jù)易受攻擊。

    在Memcon上，英特爾披露了經過認證的閃存結構，以NOR閃存實現(xiàn)，在閃存內集成了FIPS兼容的隨機數(shù)生成器和SHA-1和RSA宏。通過采用認證過的序列，存儲器在執(zhí)行任何操作前都需要一個有效簽名。Rudelic表示，這一方案防止了有意更改閃存的行為，保護了整個閃存，采用獨立于CPU主機的硬件。據(jù)悉，這種存儲器的樣品目前已可供應，英特爾正在研制一種替代源。

    目前，在許多手機內，NOR和NAND閃存共存，NOR閃存負責操作系統(tǒng)和應用軟件，而NAND閃存維持音視頻和靜止圖像數(shù)據(jù)。然而，隨著系統(tǒng)性能要求增加，NOR閃存上的標準地址/存儲器總線接口也大勢已去。為提升性能，意法半導體提出了雙數(shù)據(jù)率存儲接口，以翻番傳輸速率。維持存儲性能將要求存儲器內部流水線化，但接口將導致系統(tǒng)級簡化，引腳數(shù)量更少。