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IGBT驅(qū)動(dòng)電路
IGBT模塊的說法還要追溯到80年代,實(shí)際上IGBT的集成結(jié)構(gòu)很復(fù)雜,其本身的工作頻率比二極管要高很多。按照現(xiàn)在的發(fā)展趨勢,IGBT是未來半導(dǎo)體器件的主力。進(jìn)一步把驅(qū)動(dòng)功率給降低很多。
對于IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)來說:電源的情況,元器件關(guān)斷偏置,耐固性,以及門級電路負(fù)荷等等是主要的 參數(shù)考核(這些僅適用在功率偏大的IGBT驅(qū)動(dòng)電路)。所謂的門級偏壓在很大程度上影響著關(guān)斷特性,因此在設(shè)計(jì)門級電路的時(shí)候,要考慮負(fù)載電壓的能力以及 dVcE/dt 造成電流所引起的誤觸發(fā)問題,以及門級的電阻大小、正負(fù)偏壓情況等等所引起的開關(guān)受損、承壓電路能力等等。
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2025中國(福州)工業(yè)博覽會
展會城市:福州市展會時(shí)間:2025-07-04