工控摘要：隨著消費者對高速無線寬頻網(wǎng)路的需求迅速成長，智能手機和平板電腦等裝置需要采用更復雜的電路。
　　
　　為滿足這一市場需求，提高移動裝置射頻（RF，radiofrequency）前端的性能，并縮減電路尺寸，橫跨多重電子應用領域、的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）發(fā)布全新、優(yōu)化*工藝。
　　
　　無線裝置RF前端電路通常采用獨立的放大器、開關和調諧器。隨著4G移動通信和Wi-Fi（IEEE802.11ac）等新高速標準開始使用多頻技術提高數(shù)據(jù)吞吐量，的移動裝置需要增加前端電路?，F(xiàn)有的3G手機可支援5個頻段，而下一代4GLTE標準3GPP可支援高達40個頻段。傳統(tǒng)的離散元件會大幅增加裝置尺寸，而意法半導體的新工藝H9SOI_FEM可制造并整合全部前端功能模組。
　　
　　這項工藝是H9SOI硅絕緣層金氧半電晶體元件工藝的進化。意法半導體于2008年成功研發(fā)了這一具突破性的H9SOI技術，隨后客戶運用這項技術研發(fā)了4億多顆手機和Wi-FiRF開關。憑借在這一領域的研發(fā)經(jīng)驗，為研發(fā)整合前端模組，意法半導體優(yōu)化了H9SOI工藝，推出了H9SOI_FEM，為天線開關和天線調諧器提供業(yè)界*的品質因數(shù)（RonxCoff＝207fs）。意法半導體同時投資擴大產能，以滿足客戶的zui大需求。
　　
　　從商業(yè)角度來看，高速多頻智能手機的拉動市場對RF前端元件（特別是整合模組）的需求迅速成長，根據(jù)Prismark的分析報告顯示，智能手機的RF前端元件數(shù)量大約是入門級2G/3G手機的3倍，目前智能手機年銷量超過10億臺，成長速度約30%。此外，OEM廠商要求芯片廠商提供更小、更薄、能效更高的元件。意法半導體看好離散元件以及整合模組的市場前景，如運用意法半導體新推出的工藝H9SOI_FEM整合功率放大器和開關的RF模組和整合功率放大器、開關和調諧器的模組。
　　
　　意法半導體混合信號工藝產品部總FlavioBenetti表示：“H9SOI_FEM工藝讓客戶能夠研發(fā)的尺寸，相當于目前前端解決方案的二分之一或更小的前端模組，此外，我們還開發(fā)出一個簡化的供貨流程，可大幅縮短供貨周期，提高供貨靈活性，這對市場上終端用戶至關重要。”
　　
　　目前意法半導體正與客戶合作使用H9SOI_FEM開發(fā)新設計。預計2013年年底投入量產。
　　
　　技術細節(jié)：
　　
　　H9SOI_FEM是一個閘寬0.13μm的1.2V和2.5V雙閘MOSFET技術。與制造RF開關等離散元件的傳統(tǒng)SOI工藝不同，H9SOI_FEM可支援多項技術，如GO1MOS、GO2MOS和優(yōu)化的NLDMOS，這些特性讓H9SOI_FEM可支援單芯片整合RF前端的全部主要功能，包括RF開關、低噪音放大器（LowNoiseAmplifier，LNA）、無線多模式、多頻功率放大器（PowerAmplifier，PA）、雙訊器（diplexer）、RF耦合器、天線調諧器和RF能源管理功能。
　　
　　GO1MOS是高性能LNA技術，能夠承受極低的噪音系數(shù)（1.4dB@5GHz），提供60GHz的閾頻率（Ft），為5GHz設計提供較高的安全系數(shù)。
　　
　　GO2CMOS和GO2NMOS被廣泛用于研發(fā)RF開關，讓意法半導體的工藝為天線開關和天線調諧器提供業(yè)界的品質因數(shù)（RonxCoff＝207fs）。
　　
　　GO2高壓MOS可整合功率放大器和能源管理功能。在飽合低頻帶GSM功率條件下，優(yōu)化的NLDMOS技術使功率放大器的Ft達到36GHz，開關效率達到60%。關于能源管理，PLDMOS技術的擊穿電壓（breakdownvoltage）為12V，可直接連接電池。
　　
　　必要時在三層或四層鋁和厚銅層上沉積，還可提高整合被動元件的性能。
　　
　　H9SOI_FEM既適用于重視低成本和高整合度的低階市場，又適用于高階智能手機市場。高階產品通常要求整合多頻段，不僅可支援2G、3G和4G標準，還可支援其它的無線連接標準，如藍牙、Wi-Fi、GPS和用于非接觸式支付的近距離無線通信（NFC，NearFieldCommunication）