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      北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司

      當(dāng)前位置:北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司>>IGBT模塊>>三菱IGBT模塊>>igbt模塊CM200YE4-12F安川變頻器IGBT模塊CM200YE4-12F

      安川變頻器IGBT模塊CM200YE4-12F

      參   考   價(jià): ¥ 1999

      訂  貨  量: ≥1件

      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

      產(chǎn)品型號(hào):igbt模塊CM200YE4-12F

      品       牌: 三菱

      廠商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商

      所  在  地:北京市

      更新時(shí)間:2024-01-19 11:45:56瀏覽次數(shù):4476

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      CM200YE4-12F北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM200YE4-12F
      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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      Three Level Inverter 三電平IGBT模塊CM200YE4-12F

      日本Mitsubishi三菱IGBT功率模塊CM200YE4-12F

      IGBT模塊CM200YE4-12F

      CM200YE4-12F技術(shù)參數(shù):vces=600v ;IC=200A

      安川變頻器IGBT模塊CM200YE4-12F

      CM200YE4-12F用中的注意事項(xiàng)
      由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn):
      在使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸; 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊; 盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極zui大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào),以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。

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      • 三菱IGBT模塊,1單元IGBT,2半橋IGBT
      • 三菱IPM智能功率模塊
      • 三菱快恢復(fù)二極管
      • 三菱可控硅
      • 三菱整流橋

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      CM75DU-12H CM100DY-12H CM100DU-12H
      CM100DUS-12F CM150DY-12H 
      CM150DU-12H CM150DUS-12F CM150DY-12NF
      CM200DY-12H CM200DY-12NF 
      CM200DU-12H CM200DUS-12F 
      CM600DU-5F
      CM300DJB-060 CM300DY-12H 
      CM300DY-12NF CM300DY-12E CM300DY-12
      CM300DY-12G CM300DU-12H CM300DU-12NF
       CM350DU-5F CM400DU-5F
      CM400DY-12H CM400DU-12NF 
      CM400DY-12 CM400DY1-12H CM400DY-12NF
      CM50E3Y-12E CM50E3U-12E 
      CM75E3U-12E CM75E3Y-12E
      CM100E3U-12E CM100E3Y-12E 
      CM150E3Y-12E CM150E3U-12E 
      CM200E3Y-12E CM200E3U-12E
      CM300E3Y-12E CM300E3U-12E 
      CM300E2U-12H CM400YE2P-12F 
      CM400YE2N-12FCM300YE2N-12F 
      CM300YE2P-12F CM600YE2N-12F 
      CM600YE2P-12F CM110YE4-12F
      CM150YE4-12F CM165YE4-12F 
      CM200YE4-12F CM600DY-12NF 
      CM800DU-12H
      CM50DY-12E CM75DY-12E CM75DU-12F 
      CM100DY-12E CM100DU-12F
      CM150DY-12E CM150DU-12F CM200DY-12E 
      CM200DU-12F CM300DU-12F
      CM300DU-12H CM400DU-12H 
      CM400DU-12H CM400DY1-12E 

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        斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù),其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制,因其波形如同斬切般整齊、對(duì)稱,故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位,它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能,而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和可靠性,因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。    IGBT是近代新發(fā)展起來(lái)的全控型功率半導(dǎo)體器件,它是由MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)與GTR(大功率達(dá)林頓晶體管)結(jié)合,并由前者擔(dān)任驅(qū)動(dòng),因此具有:驅(qū)動(dòng)功率小,通態(tài)壓降低,開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn),目前已廣泛應(yīng)用于變頻調(diào)速、開(kāi)關(guān)電源等電力電子領(lǐng)域。    就全控性能而言,IGBT是斬波應(yīng)用的器件,而且技術(shù)極為簡(jiǎn)單,幾乎IGBT器件本身就構(gòu)成了斬波電路。但是要把IGBT斬波形成產(chǎn)品,問(wèn)題就沒(méi)有那么簡(jiǎn)單,特別是大功率斬波,如果不面對(duì)現(xiàn)實(shí),認(rèn)真研究、發(fā)現(xiàn)和解決存在的問(wèn)題,必將事與愿違,斬波設(shè)備的可靠性將遭受?chē)?yán)重的破壞。不知道是出于技術(shù)認(rèn)識(shí)問(wèn)題還是商務(wù)目的,近來(lái)發(fā)現(xiàn),某些企業(yè)對(duì)IGBT晶體管倍加推崇,而對(duì)晶閘管全面否定,顯然,這是不科學(xué)的。

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        ● 應(yīng)用。需要根據(jù)一些特殊應(yīng)用調(diào)整產(chǎn)品。例如電動(dòng)汽車(chē)IGBT與一般工業(yè)用的IGBT在技術(shù)工藝性能上的主要區(qū)別在生產(chǎn)工序,因?yàn)槭擒?chē)載產(chǎn)品,需要實(shí)現(xiàn)超高品質(zhì)車(chē)載級(jí)模塊。在IGBT加工工序的開(kāi)始,每個(gè)生產(chǎn)工序都需要管理,對(duì)生產(chǎn)過(guò)程進(jìn)行精細(xì)控制,產(chǎn)品出貨時(shí)要有檔案管理。如果有一個(gè)產(chǎn)品出問(wèn)題,馬上可以查到數(shù)據(jù)。目前,日系混合動(dòng)力車(chē)基本上使用三菱電機(jī)的模塊。

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      1200V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
      SKIIP1814GB12E4-3DL     1200V----1800A
      SKIIP1814GB12E4-3DW     1200V----1800A
      SKIIP2414GB12E4-4DL     1200V----2400A
      SKIIP2414GB12E4-4DW     1200V----2400A
      SKIIP3614GB12E4-6DL     1200V----3600A
      SKIIP3614GB12E4-6DW     1200V----3600A
      1700V-IGBT 3(Trench)-SKIIP 3
      SKIIP1013GB172-2DL V3   1700V----1000A
      SKIIP1203GB172-2DW V3   1700V----1200A
      SKIIP1513GB172-3DL V3   1700V----1500A
      SKIIP1803GB172-3DW V3   1700V----1800A
      SKIIP2013GB172-4DL V3   1700V----2000A
      SKIIP2403GB172-4DW V3   1700V----2400A
      SKIIP1513GB172-3DUL V3   1700V----500A
      SKIIP603GD172-3DUW V3   1700V----600A

      北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)三菱IGBT模塊
      CM200YE4-12F

       

      IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為新型電力半導(dǎo)體場(chǎng)控自關(guān)斷器件,集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體,具有輸進(jìn)阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡(jiǎn)單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電力變換中獲得極廣泛的應(yīng)用。與此同時(shí),各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開(kāi)發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢(qián)技術(shù),主要采用1um以下制作工藝,研制開(kāi)發(fā)取得一些新進(jìn)展。

      1、低功率IGBT

      IGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域,為滿足家電行業(yè)的發(fā)展需求,摩托羅拉、ST半導(dǎo)體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品,實(shí)用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機(jī)、電磁灶、電子整流器、照相機(jī)等產(chǎn)品的應(yīng)用。

      2、U-IGBT

      U(溝槽結(jié)構(gòu))--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后,可進(jìn)一步縮小元胞尺寸,減少溝道電阻,進(jìn)步電流密度,制造相同額定電流而芯片尺寸zui少的產(chǎn)品?,F(xiàn)有多家公司生產(chǎn)各種U—IGBT產(chǎn)品,適用低電壓驅(qū)動(dòng)、表面貼裝的要求。

      3、NPT-IGBT

      NPT(非傳統(tǒng)型)--IGBT采用薄硅片技術(shù),以離子注進(jìn)發(fā)射區(qū)代替高復(fù)雜、高本錢(qián)的厚層高阻外延,可降低生產(chǎn)本錢(qián)25%左右,耐壓越高本錢(qián)差越大,在性能上更具有特色,高速、低損耗、正溫度系數(shù),無(wú)鎖定效應(yīng),在設(shè)計(jì)600—1200V的IGBT時(shí),NPT—IGBT可靠性zui高。西門(mén)子公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT,并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT,依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列,富士電機(jī)、摩托羅拉等在研制之中,NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。

      4、SDB--IGBT

      鑒于目前廠家對(duì)IGBT的開(kāi)發(fā)非常重視,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接鍵合)技術(shù),在IC生產(chǎn)線上制作第四代高速I(mǎi)GBT及模塊系列產(chǎn)品,特點(diǎn)為高速,低飽和壓降,低拖尾電流,正溫度系數(shù)易于并聯(lián),在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良,分為UF、RUF兩大系統(tǒng)。

      5、超快速I(mǎi)GBT

      整流器IR公司的研發(fā)重點(diǎn)在于減少I(mǎi)GBT的拖尾效應(yīng),使其能快速關(guān)斷,研制的超快速I(mǎi)GBT可zui大限度地減少拖尾效應(yīng),關(guān)斷時(shí)間不超過(guò)2000ns,采用特殊高能照射分層技術(shù),關(guān)斷時(shí)間可在100ns以下,拖尾更短,重點(diǎn)產(chǎn)品專為電機(jī)控制而設(shè)計(jì),現(xiàn)有6種型號(hào),另可用在大功率電源變換器中。

      6、IGBT/FRD

      IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD(快速恢復(fù)二極管)的新型器件,IGBT/FRD有效結(jié)合,將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗減少20%,采用TO—247外型封裝,額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A,用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率轉(zhuǎn)換,以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián),在多芯片模塊中實(shí)現(xiàn)更均勻的溫度,進(jìn)步整體可靠性。

      7、IGBT功率模塊

      IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng),各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展,其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于變頻調(diào)速外,600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車(chē)VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,用于艦艇上的發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB,大大降低電路接線電感,進(jìn)步系統(tǒng)效率,現(xiàn)已開(kāi)發(fā)成功第二代IPEM,其中所有的無(wú)源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱門(mén)。


      1700V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
      SKIIP1814GB17E4-3DL     1700V----1800A
      SKIIP1814GB17E4-3DW     1700V----1800A
      SKIIP2414GB17E4-4DL     1700V----2400A
      SKIIP2414GB17E4-4DW     1700V----2400A
      SKIIP3614GB17E4-6DL     1700V----3600A
      SKIIP3614GB17E4-6DW     1700V----3600A
      SKiiP 1814 GB12E4-3DUW
      SKiiP 1814 GB17E4-3DUL
      SKiiP 1813 GB123-3DW
      SKiiP 1814 GB17E4-3DUW
      SKiiP 1803 GB172-3DUW
      SKiiP 1813 GB123-3DUFL
      SKiiP 1814 GB12E4-3DUL
      SKiiP 1813 GB123-3DUL
      1200V - IGBT 3 (Trench) - SKiiP3
      SKiiP 603 GD123-3DUL V3
      SKiiP 603 GD123-3DUW V3
      SKiiP 613 GD123-3DUL V3
      SKiiP 613 GD123-3DUW V3
      SKiiP 1213 GB123-2DL V3
      SKiiP 1213 GB123-2DW V3
      SKiiP 1813 GB123-3DL V3
      SKiiP 1813 GB123-3DW V3
      SKiiP 2413 GB123-4DL V3
      SKiiP 2413 GB123-4DW V3

       

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      京誠(chéng)宏泰科技銷(xiāo)售英飛凌IGBT模塊

      產(chǎn)品型號(hào) 參數(shù)說(shuō)明 封裝形式
      FF200R06KE3 200A,600V@Tc=80℃,IGBT3,飽和壓降1.45V 原裝
      FF300R06KE3 300A,600V@Tc=80℃,IGBT3,飽和壓降1.45V 原裝
      FF400R06KE3 400A,600V@Tc=80℃,IGBT3,飽和壓降1.45V 原裝
      FF200R06ME3 200A,600V@Tc=80℃,IGBT3,飽和壓降1.45V,平板螺栓型 原裝
      FF300R06ME3 300A,600V@Tc=80℃,IGBT3,飽和壓降1.45V,平板螺栓型 原裝
      FF400R06ME3 400A,600V@Tc=80℃,IGBT3,飽和壓降1.45V,平板螺栓型 原裝
      FF50R12RT4 50A,1200V,IGBT4,螺栓型 原裝
      FF75R12RT4 75A,1200V,IGBT4,螺栓型 原裝
      FF100R12RT4 100A,1200V,IGBT4,鏍栓型 原裝
      FF150R12RT4 150A,1200V,IGBT4,鏍栓型 原裝
      FF1000R17IE4D_B2 
      FF650R17IE4D_B2 
      FF450R17ME3 
      FF225R17ME4 
      FF450R12ME3 
      FF300R12ME3
      FF225R12ME4 
      FF600R06ME3 
      FF200R17KE4 200A,1700V 原裝
      FF300R17KE4 300A,1700V 原裝
      FF150R17KE4 150A,1700V 原裝
      FF600R12ME4 600V,1200V 原裝

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      京誠(chéng)宏泰科技銷(xiāo)售富士IGBT模塊

      1MBI75L-060、1MBI100L-060、1MBI150L-060、
      1MBI300F-060、1MBI400F-060、1MBI600LN-060、1MBI600NN-060、1MBI200L-060、1MBI300L-060、1MBI400L-060、1MBI600LP-060、1MBI600NP-060、1MBI150NH-060、1MBI200L-120、1MBI200F-120、1MBI300L-120、1MBI300S-120、1MBI300NN-120、1MBI200S-120B、1MBI200N-120、1MBI300S-120B、1MBI300N-120、1MBI300JN-120、1MBI300JN-140、1MBI300SA-120、1MBI400N-120、1MBI400JN-120、1MBI400JN-140、1MBI400SX-140、1MBI600LP-120、1MBI600PX-140、1MBI400L-120、1MBI400S-120、1MBI400NN-120、1MBI400NP-120、1MBI600LN-120、1MBI600PX-120

      北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)三菱IGBT模塊CM200YE4-12F

      京誠(chéng)宏泰科技銷(xiāo)售三菱IGBT模塊

      CM50DY-12H CM75DY-12H 
      CM75DU-12H CM100DY-12H CM100DU-12H
      CM100DUS-12F CM150DY-12H 
      CM150DU-12H CM150DUS-12F CM150DY-12NF
      CM200DY-12H CM200DY-12NF 
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      北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)三菱IGBT模塊CM200YE4-12F

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