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      北京京誠宏泰科技有限公司

      當(dāng)前位置:北京京誠宏泰科技有限公司>>IGBT模塊>>英飛凌IGBT模塊>>FF800R12KE7英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

      英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

      參   考   價(jià): ¥ 1888

      訂  貨  量: ≥1只

      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

      產(chǎn)品型號(hào):FF800R12KE7

      品       牌: 英飛凌/Infineon

      廠商性質(zhì):經(jīng)銷商

      所  在  地:北京市

      更新時(shí)間:2024-10-14 11:14:41瀏覽次數(shù):1759

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      封裝 AG-62MMHB
      英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7
      北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊;可控硅模塊;晶閘管;二極管模塊;整流橋模塊;PLC模塊;電容;變頻器備件
      第七代IGBT英飛凌FF600R12KE7

      英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

      北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊;可控硅模塊;整流橋模塊;二極管模塊;晶閘管;IPM模塊

      產(chǎn)品參數(shù):

       

      FF800R12KE7  IGBT 模塊 溝槽型場截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM 雙低飽和和快速溝槽 IGBT 模塊,

      帶有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和發(fā)射極控制的 7 二極管。

      62 mm 1200 V, 800 A 低飽和壓降的Fast trench IGBT半橋模塊,采用TRENCHSTOP™ IGBT7和發(fā)射極控制第7代二極管。也可提供預(yù)涂導(dǎo)熱介質(zhì)版本。

      638192379783877030282.jpg

      產(chǎn)品規(guī)格:

      IGBT 類型:溝槽型場截止

      配置:半橋

      電壓 - 集射極擊穿:1200 V

      電流 - 集電極 (Ic):800 A

      電流 - 集電極截止:100 µA

      不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies):122 nF @ 25 V

      輸入:標(biāo)準(zhǔn)

      NTC 熱敏電阻:無

      工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)

      安裝類型:底座安裝

      封裝/外殼:模塊

      供應(yīng)商器件封裝:AG-62MM

      產(chǎn)品特征:

      高功率密度

      的 VCE,SAT

      Tvj op = 175°C 過載

      高爬電距離和電氣間隙

      符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

      4 kV AC 1 分鐘絕緣

      CTI > 400 的封裝

      通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認(rèn)證

      優(yōu)勢:北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

      具有更高電流能力的現(xiàn)有封裝,允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

      高功率密度

      避免 IGBT 模塊并聯(lián)

      通過簡化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本

      靈活性

      高的可靠性

      產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域:

      不間斷電源(UPS)

      儲(chǔ)能系統(tǒng)

      電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

      商用、建筑和農(nóng)用車輛 (CAV)

      變頻器

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      IGBT是什么?

      IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

      IGBT與MOSFET的對(duì)比

      MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

      優(yōu)點(diǎn):熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

      缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

      IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

      特點(diǎn):擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作頻率可達(dá)20kHz。

      IGBT的典型應(yīng)用

      電動(dòng)機(jī)

      不間斷電源

      太陽能面板安裝

      電焊機(jī)

      電源轉(zhuǎn)換器與反相器

      電感充電器

      電磁爐

      637743823599565566542.png

      第七代IGBT型號(hào):

       

      FF900R12ME7P_ B11

      FF450R12ME7_ B11

      FF900R12ME7W_ _B11

      FF900R12ME7_ B11

      FF600R12ME7_ B11

      FF800R12KE7

      FF300R12ME7_ B11

      FF750R12ME7_ _B11

      FF750R17ME7D_ B11

      FF225R17ME7_ _B11

      FF1800R23IE7P

      FF1800R23IE7

       

      FF2400RB12IP7P

      FF2400RB12IP7

      F3L400R10W3S7F_ B11

      F3L600R10W4S7F_ C22

      FS3L200R10W3S7F_ B94

      F3L 400R10W3S7_ _B11

      FS3L200R10W3S7F_ B11

      FP15R12W1T7_ B3

      FP15R12W1T7

      FP15R12W1T7P_ B11

      FP25R12W2T7

      FP50R12W2T7_ B11

      FP25R12W1T7

      FP50R12W2T7

      FP35R12W2T7_ B11

      FP10R12W1T7_ B11

      FP35R12W2T7

      FP25R12W1T7_ B11

      FP25R12W2T7_ B11

      FP15R12W1T7_ _B11

      FP10R12W1T7_ B3 .

      FP15R12W1T7P

      FP100R12W3T7 B11

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