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所 在 地深圳市
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更新時(shí)間：2024-08-13 11:53:42瀏覽次數(shù)：130次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來自 智能制造網(wǎng)創(chuàng)見JetRam內(nèi)存模塊采用經(jīng)有效測(cè)試（ETT）的原廠芯片，并經(jīng)過嚴(yán)格的篩選與高低溫環(huán)境測(cè)試，展現(xiàn)優(yōu)異的兼容性與穩(wěn)定度，以實(shí)惠的價(jià)格成為消費(fèi)性電腦升級(jí)的。每支內(nèi)存模塊具備2666MHz頻率頻率，提供每秒高達(dá)21GB的傳輸速率，可大幅提升系統(tǒng)運(yùn)作效率。此外，創(chuàng)見DDR4 U-DIMM JetRam內(nèi)存模塊擁有1.2伏特低工作電壓特性，不但能減低運(yùn)作時(shí)的溫度，還能減少內(nèi)存控制器的電力負(fù)荷，相較于標(biāo)......
創(chuàng)見JetRam內(nèi)存模塊采用經(jīng)有效測(cè)試（ETT）的原廠芯片，并經(jīng)過嚴(yán)格的篩選與高低溫環(huán)境測(cè)試，展現(xiàn)優(yōu)異的兼容性與穩(wěn)定度，以實(shí)惠的價(jià)格成為消費(fèi)性電腦升級(jí)的。每支內(nèi)存模塊具備2666MHz頻率頻率，提供每秒高達(dá)21GB的傳輸速率，可大幅提升系統(tǒng)運(yùn)作效率。此外，創(chuàng)見DDR4 U-DIMM JetRam內(nèi)存模塊擁有1.2伏特低工作電壓特性，不但能減低運(yùn)作時(shí)的溫度，還能減少內(nèi)存控制器的電力負(fù)荷，相較于標(biāo)準(zhǔn)DDR3的1.5伏特電壓，能節(jié)省多達(dá)40%的電力。
| 容量 | DRAM | 創(chuàng)見型號(hào) | 描述 |
| 4GB | 512Mx8 | JM2666HLH-4G | 4GB JM DDR4 2666 U-DIMM 1Rx8 |
| 8GB | 1Gx8 | JM2666HLB-8G | 8GB JM DDR4 2666 U-DIMM 1Rx8 |
| 內(nèi)存模塊 | |
| RAM種類 | DDR4 |
| DIMM種類 | U-DIMM |
| 頻率 | 2666 |
| 時(shí)序 | CL19 |
| 容量 | 4 GB/ 8 GB |
| Rank | 1Rx8 |
| DRAM | 1Gx8/ 512Mx8 |
| 電壓 | 1.2V |
| 電路板高度 | 1.23 吋 |
| Pin | 288 pin |
| 備注 | 產(chǎn)品外觀因型號(hào)不同而有所差異，圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)際產(chǎn)品為準(zhǔn)。 |
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