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英飛凌(Infenion)是功率半導(dǎo)體和汽車電子器件的主要供應(yīng)商,在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,英飛凌(Infenion)是整個(gè)電力能源供應(yīng)鏈的創(chuàng)新者和供應(yīng)商,包括從風(fēng)能和太陽能逆變器等發(fā)電領(lǐng)域到輸電領(lǐng)域,再到...
Simens/EUPECIGBT各型號(hào)中所指電流都是在Tc=80°C時(shí)的標(biāo)稱,有些公司的IGBT是Tc=25°C的標(biāo)稱,敬請(qǐng)廣大用戶注意!BSM100GB120DN2KBSM-------------...
有著高科技技術(shù),有著過硬的技術(shù),本公司歡迎您.三菱智能igbt模塊采用第6代IGBT硅片技術(shù),損耗低二極管采用第6代LPT硅片技術(shù),正向?qū)▔航档凸杵Y(jié)溫可高達(dá)175°C硅片運(yùn)行溫度zui高可達(dá)150...
北京固力通達(dá)機(jī)電設(shè)備有限公司專業(yè)生產(chǎn),歡迎您的到來.富士智能igbt模塊安裝在工業(yè)設(shè)備,如逆變器驅(qū)動(dòng)電機(jī),不間斷電源系統(tǒng)(UPS)等,以及功率調(diào)節(jié)的風(fēng)力或太陽光發(fā)電設(shè)備,并且是在兼顧節(jié)能和穩(wěn)定的電力供...
IGBT有三個(gè)電極,分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)一、用指針式萬用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向...
一、漏電問題產(chǎn)生的原因有的現(xiàn)場(chǎng)使用變頻器控制電機(jī),會(huì)出現(xiàn)漏電問題,漏電電壓有幾十伏到二百伏電壓不等。針對(duì)這個(gè)問題,在這里特對(duì)此故障產(chǎn)生的原因進(jìn)行理論的分析和說明如下。根據(jù)變頻器控制電機(jī)運(yùn)行的功能框圖(...
變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟起來,原來一直難于解決的高壓?jiǎn)栴},近年來通過器件...
在保管IGBT模塊時(shí)應(yīng)注意的事項(xiàng):1、在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象,因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方;2、一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所,應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài),不應(yīng)偏離...
近幾年西門子在工業(yè),能源,醫(yī)療,城市基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域世界。西門子是世界上zui大的電氣和電子公司之一,歷經(jīng)150年來常盛不衰,其營(yíng)業(yè)收入在2003年列財(cái)富500強(qiáng)第21位,在電子電氣類公司中更是名列。在...
晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí),由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電...
一、可控硅的概念和結(jié)構(gòu)?晶閘管又叫可控硅。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管,等等。今天大家使...
工具:指針萬用表、電容表、放大鏡、天那水、耐壓儀一、查看外觀1)看激光噴碼字體清晰度(真貨字體清晰);2)用手摸字體表面有凹凸感覺(真貨同人民幣一樣有凹凸感);3)用放大鏡看表面會(huì)有打磨的痕跡(真貨是...
IGBT模塊簡(jiǎn)介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸...
IGBT模塊簡(jiǎn)介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸...
隨著工業(yè)的發(fā)展科技的進(jìn)步,電力在生產(chǎn)生活中的應(yīng)用越發(fā)廣泛,電源模塊也因此順應(yīng)時(shí)勢(shì)產(chǎn)生并迅速發(fā)展起來,在生活當(dāng)中,電源模塊應(yīng)用于我們身邊的很多電器產(chǎn)品之中,但是很多人并不十分了解什么是電源模塊。那么電源...
IGBT模塊簡(jiǎn)介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸...
GBT是一種由雙極晶體管與MOSFET組合的器件,既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性,又具有雙極晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點(diǎn),作為高功率大電流的電能變換功率開關(guān)器件得到了廣泛的應(yīng)用...
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOS...
1、判斷好壞將萬用表撥在R×10KQ檔,用黑表筆接IGBT的集電極(C),紅表筆接IGBT的發(fā)時(shí)極(E),此時(shí)萬用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時(shí)工GBT被觸發(fā)導(dǎo)通,萬...
IGBT技術(shù)_系統(tǒng)分析IGBT的應(yīng)用在不間斷電源中的作用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合的器件。據(jù)東芝公司資料,1200V/100A的IGBT的導(dǎo)通電阻是同一耐壓規(guī)格的...
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